8月14日消息 今年 4 月 13 日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布已成功研發(fā) 128 層 QLC 3D 閃存（X2-6070）。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在今天召開的中國(guó)電子信息博覽會(huì)上首次公開展示了 128 層 QLC 3D NAND 閃存芯片。

第八屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)（CITE2020）于 2020 年 8 月 14 日至 8 月 16 日期間在深圳會(huì)展中心正式舉辦。此次參展企業(yè)包括紫光集團(tuán)、華為、維信諾、紫晶存儲(chǔ)、柔宇科技、TCL、創(chuàng)維等多家科技企業(yè)。

在 CITE2020 上，紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 128 層 QLC 三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片 EasyCore 等。作為業(yè)內(nèi)首款 128 層 QLC 規(guī)格的 3D NAND 閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ) X2-6070 擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高 I/O 傳輸速度和最高單顆 NAND 閃存芯片容量。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)還展示了 64 層堆棧的閃存，其中 64 層 TLC 閃存是國(guó)內(nèi)首個(gè)自研量產(chǎn)的 64 層閃存，基于 Xtacking 堆疊架構(gòu)，其擁有同類產(chǎn)品中最大的單位面積的存儲(chǔ)密度。而 128 層 QLC 產(chǎn)品是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆 Die 容量 1.33Tb 的 NAND 閃存。兩款產(chǎn)品目前均已獲得主流控制器廠商驗(yàn)證。預(yù)計(jì)將在今年底至明年初量產(chǎn)。

▲ 圖源 CITE

了解到，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的量產(chǎn)主力就是 64 層 TLC 閃存，該系列產(chǎn)品已隨光威等廠商的推出。

此外，作為長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一的英特爾目前的 QLC 閃存堆棧技術(shù)已達(dá)到了 144 層，預(yù)計(jì)年底或明年年初量產(chǎn)；三星 V-NAND 閃存目前已達(dá)到 136 層堆疊，據(jù)此前消息稱，三星方面正在研發(fā)新一代的 160 層的第七代 3D 閃存堆疊技術(shù)。