產品方面，安森美半導體提供大范圍的SiC MOSFET和SiC二極管，并推出多代產品。SiC二極管方面，包括650/1200V/1700V二極管產品組合；SiC MOSFET則擁有650/750/900/1200/1700V產品。

那么，這些產品擁有哪些特性？王利民為記者介紹表示，安森美半導體的SiC產品方案具備領先的可靠性、高性價比、滿足汽車規(guī)范這三個重要特性：

1、領先的可靠性：在H3TRB測試（高溫度/濕度/高偏置電壓）里，安森美半導體的SiC二極管可以通過1000小時的可靠性測試。實際測試中，還會延長到2000小時，大幅領先于市場的可靠性水平，對比競爭對手有著明顯的優(yōu)勢。

王利民強調，事實上，安森美半導體曾經是JEDEC可靠性委員會的成員，寬禁帶可靠性標準委員會現(xiàn)已并入JEDEC標準委員會，安森美半導體正是可靠性標準委員會的專家之一。

2、高性價比：通過對比SiC MOSFET、Si MOSFET、Si IGBT，不難發(fā)現(xiàn)在同樣達到1200V擊穿電壓情況下，硅器件的面積甚至相差100倍，硅基IGBT開關損耗相差10倍。實際上，在替換過程中，硅器件性能還要差很多。

對于SiC，業(yè)界很多人都對會被其高昂的單器件價格“勸退”。然而事實上，業(yè)界越來越講求整體方案性能，通過計算不難發(fā)現(xiàn)，同樣的電源如果替換成SiC方案，其體積、功率密度和整體的BOM都會得到優(yōu)化。

許多系統(tǒng)工程師也逐漸認識到減少尺寸和冷卻要求的重要性，在同樣的能源和硬件成本下，他們希望擁有更多的器件以及更廣泛的應用設備，例如更高的電壓和電流額定值以及更多的封裝選項。

之前，21ic家也多次強調，“系統(tǒng)級”成本效益這一概念，且不說在整體上的成本優(yōu)化， SiC的低發(fā)熱的壽命延長事實上也是降低成本的一環(huán)。

3、車規(guī)級：眾所周知，汽車對于電源是一大考驗，不僅要求非常高的穩(wěn)定性，對溫度和參數(shù)上也要求嚴格。安森美半導體的MOSFET涵蓋了市面上所有主流的SiC MOSFET，包括20mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ，TO247封裝，TO247的4條腿以及D2PARK的7條腿封裝，并且所有的產品都提供工業(yè)規(guī)范和汽車規(guī)范。值得一提的是，900V的SiC MOSFET擁有20mΩ、60mΩ這種市面的主流規(guī)格。

事實上，需要沖擊電流也是SiC二極管的一個痛點，這是因為，應用中無論是Boost還是PFC都需要扛住浪涌電流。針對這一點，安森美的SiC則擁有一處貼心的設計，以1200V 15A的碳化硅二極管為例，在毫秒級安森美半導體的的碳化硅二極管有10倍的過濾，在微秒級有50倍的過濾。

另外，行業(yè)內很多SiC二極管并不提供雪崩的量，以安森美的1200V 15A SiC二極管為例，雪崩電流接近200A（3500A/c㎡）。

遠觀功率半導體的發(fā)展歷史，從第一階段的整流管、晶閘管，第二階段的GTO和BJT，第三階段的IGBT，第四階段的功率集成電路PIC和智能功率集成電路SPIC。分立器件逐漸從單一器件轉向集成化。但在不斷迭代過程中，市場并沒有吞并單一器件的市場，而是兩者并存。