周遭世界充斥著各種執(zhí)行重復(fù)性作業(yè)的機器，例如智慧電表會讀取并記錄耗電數(shù)據(jù)，然后每隔幾分鐘再將讀取到的數(shù)據(jù)，上傳至區(qū)域匯整設(shè)備進行重置，并重復(fù)之前的動作。其他設(shè)備如可攜式醫(yī)療儀器、工廠生產(chǎn)線設(shè)備和無電刷馬達等，也都必須進行一連串的量測動作，并對量測數(shù)據(jù)做出反應(yīng)，然后再重新開始同樣的流程。各式各樣的工業(yè)產(chǎn)品，如在線式參數(shù)記錄器、錯誤記錄器、引擎監(jiān)視器及電池充電器及暖氣/通風(fēng)/空調(diào)設(shè)備控制器（HVAC）等，也都會運用到重復(fù)性事件管理元件。

　　整體效能大勝EEPROM　nvSRAM適于重復(fù)性事件應(yīng)用

　　在許多應(yīng)用中，持久性或非揮發(fā)性記憶體是處理重復(fù)性事件的必備元件。智慧電表絕不能在處理復(fù)雜作業(yè)時因電力中斷而出現(xiàn)故障，因一旦讀數(shù)流失就必須即時重新擷取，還有可能會遭遇樣本遺失、材料損毀，導(dǎo)致營運商和使用者不滿等問題。

　　重復(fù)性事件記憶體容量通常僅須16k？2MB，并擁有低成本、低切換雜訊的序列介面，且必須以合理的速度如串列周邊介面（SPI）、內(nèi)部整合電路（I2C）進行隨機存取與循序式讀取/寫入動作。

　　以往最能符合需求的元件，就是序列式電子可抹除式唯讀記憶體（EEPROM），這種平價記憶體在成本、密度及讀/寫速度方面，都能符合此類應(yīng)用的需求，但卻有兩項缺點，其中之一是耐用度有限，一般最高上限僅允許十萬次儲存；其次是晶片/區(qū)塊抹寫時間有可能超過1秒，設(shè)計人員得花很多時間排除這些難題之后，才能享受序列式EEPROM帶來的成本優(yōu)勢。專為重復(fù)性事件系統(tǒng)量身打造的非揮發(fā)靜態(tài)隨機存取記憶體（nvSRAM），運作模式類似SRAM，能進行高速讀取、高速寫入、隨機存取和連續(xù)爆發(fā)（Burst）模式，但卻沒有序列式EEPROM或序列式快閃元件在抹寫區(qū)塊與IC資料時作業(yè)時間冗長的問題，使用者完全不會感覺到在幕后工作的非揮發(fā)性記憶體。

　　IC一旦偵測到電源異常時，就會自動把所有資料移到非揮發(fā)儲存元件，在電源中斷時儲存資料完全不會受損。當電力恢復(fù)后，系統(tǒng)會自動把資料移回SRAM，系統(tǒng)會回復(fù)到電力中斷之前的狀態(tài)繼續(xù)運作。

　　這類非揮發(fā)性記憶體的耐用度超過一百萬次儲存。由于這些儲存事件僅在出現(xiàn)電力中斷時才會發(fā)生，因此對于嵌入式與工業(yè)應(yīng)用而言，如此的耐用度實際上等同于無限。SRAM則是在正常模式下持續(xù)運作，具備無次數(shù)上限的讀取與寫入功能。

　　此外，在這些低密度記憶體中，增加的單元電路會提供nvSRAM處理結(jié)果，而且成本很接近序列式EEPROM或序列快閃元件，考量到它對重復(fù)性事件應(yīng)用帶來的改良效益，可說是相當劃算的選擇。