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[導(dǎo)讀]典型的汽車電源架構(gòu)   圖1給出了一個典型的汽車電源簡化框圖,主要包括以下幾個單元:   源保護電路:限制+12V電源總線的正向電壓,并阻止產(chǎn)生負(fù)壓。   有源保護電路:該限壓器功能與無源保護電路類似

典型的汽車電源架構(gòu)   

圖1給出了一個典型的汽車電源簡化框圖,主要包括以下幾個單元:
  源保護電路:限制+12V電源總線的正向電壓,并阻止產(chǎn)生負(fù)壓。
  有源保護電路:該限壓器功能與無源保護電路類似,但使用的是晶體管等有源器件,與具有同樣功能的無源方案相比能夠提供更好的性價比,具有更小尺寸。
  開關(guān)模式或線性穩(wěn)壓器:為指定負(fù)載提供適當(dāng)?shù)碾妷汉碗娏?,可能采用多路電源結(jié)構(gòu)。
  
在不同的應(yīng)用中,這些部件的技術(shù)規(guī)格會有所不同。有些應(yīng)用中并沒有考慮這些因素,但會給系統(tǒng)的整體電氣性能帶來負(fù)面影響。實際上,上述單元電路的任何缺失都會增大系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜度。
  

  

在電源中集成限壓器
  
有源電壓限幅器的原理十分簡單,在器件的輸入和輸出之間增加一個MOSFET,限幅器控制該場效應(yīng)管的柵極。正常工作狀態(tài)下,打開MOSFET并為負(fù)載供電;如果電壓超過定義的門限值,限壓電路會關(guān)閉外部MOSFET,斷開電源與負(fù)載的連接。
  
圖2給出了基本限壓電路的內(nèi)部構(gòu)造和典型應(yīng)用電路。


在這個基本的限壓電路中,VIN給內(nèi)部電路供電,VIN的最大電壓為80V。OVSET端的分壓器設(shè)置過壓檢測門限,內(nèi)置電荷泵為低成本n溝道MOSFET的柵極驅(qū)動供電,從而降低系統(tǒng)成本。除了提供過壓門限外,這些IC還提供了欠壓檢測門限。
  
在另一方案是采用門限可調(diào)的窗式電壓限幅,圖3給出了一個相關(guān)的應(yīng)用范例。
  


這種情況下,限壓電路可以防止MOSFET和負(fù)載工作在欠壓和過壓狀態(tài)??梢試?yán)格限制輸出電壓范圍(將其限制在較窄的范圍內(nèi)),以降低對電壓調(diào)節(jié)器輸入范圍的技術(shù)要求,從而降低電壓調(diào)節(jié)器的設(shè)計成本。而在一些音頻應(yīng)用中,并不需要高精度的電壓調(diào)節(jié),對于這些應(yīng)用,限壓電路的設(shè)計可以省去穩(wěn)壓電路。
  
如上所述,分壓器可以控制圖2所示IC的輸入電壓,分壓器也可以連接到限壓器的輸出端,如圖4所示。在后面的例子中,分壓器限制著負(fù)載上的電壓而不是簡單地將其切斷。從其性能測試數(shù)據(jù)可以看出限壓檢測是周期性進行的。振蕩周期由負(fù)載電容、負(fù)載電流決定,可在很寬的范圍內(nèi)變化。周期振蕩包括兩個階段;第一個階段使MOSFET進入有效模式,第二個階段將其關(guān)閉。
  


圖4所示電路配置使MOSFET周期性地進入有效模式,使功率耗散在MOSFET上,需要考慮MOSFET散熱問題?;谶@一原因,IC內(nèi)部包含了門限約為+160°C的高溫保護單元,當(dāng)溫度下降到+140°C以下時,電路恢復(fù)到正常模式。為了優(yōu)化設(shè)計,IC應(yīng)靠近MOSFET放置,使兩者具有良好的熱傳導(dǎo)通路。
  
眾所周知,電路板電源總線可能存在負(fù)向電壓尖峰或正向電壓尖峰。抑制負(fù)電壓的保護電路可以采用無源器件或特殊IC。圖5提供了MAX6496反向電壓保護的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
  


除了限制正向電壓以外,MAX6496還包含一個p通道MOSFET柵極控制電路,可以在正電壓時使MOSFET 保持導(dǎo)通狀態(tài),而在負(fù)電壓時保持關(guān)閉狀態(tài)。在高負(fù)載電流、低輸入電壓情況下,這個電路比典型的肖特基二極管更實用。
  
結(jié)論
  
本文討論的限壓電路都提供了相應(yīng)的特性參數(shù),便于器件在各種場合的應(yīng)用。每個限壓電路在負(fù)載上電時允許72V的最大輸入電壓,而在負(fù)載切斷時允許80V的最大輸入電壓。下表總結(jié)了限壓IC的主要特性。
  
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