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[導讀]伴隨著智能電子、自動化和傳感器在工業(yè)和汽車環(huán)境中的普及,提高了對電源數(shù)量和性能的要求。特別是低 EMI,已成為更加重要的關鍵電源參數(shù)考量因素,除此以外,還包括小解決方案尺寸、高效率、熱性能、穩(wěn)健性和易用性等常規(guī)要求。

伴隨著智能電子、自動化和傳感器在工業(yè)和汽車環(huán)境中的普及,提高了對電源數(shù)量和性能的要求。特別是低 EMI,已成為更加重要的關鍵電源參數(shù)考量因素,除此以外,還包括小解決方案尺寸、高效率、熱性能、穩(wěn)健性和易用性等常規(guī)要求。

多層陶瓷電容器(MLCC)的價格在過去幾年急劇上漲,究其原因,與汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和電信行業(yè)使用的電源數(shù)量增加有關。陶瓷電容被用在電源輸出端,用于降低輸出紋波,以及控制因為高壓擺率加載瞬變而導致的輸出電壓過沖和欠沖。輸入端則要求陶瓷電容進行解耦和過濾 EMI,這是因為在高頻率下,它具備低 ESR 和低 ESL。

為了提高工業(yè)和汽車系統(tǒng)的性能,需要將數(shù)據(jù)處理速度提高幾個等級,并且在微處理器、CPU、片上系統(tǒng)(SoC)、ASIC 和 FPGA 上集成更多耗電器件。這些復雜的器件類型需要多條穩(wěn)壓電軌:一般是內核 0.8 V,DDR3 和 LPDDR4 分別 1.2 V 和 1.1 V,外設和輔助組件分別為 5 V、3.3 V 和 1.8 V。降壓(降壓型)轉換器被廣泛用于調節(jié)電池或直流總線提供的電源。

例如,汽車中的高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)產(chǎn)品組合大幅提升了陶瓷電容的使用率。隨著電信行業(yè)開始采用 5G 技術,也需要用到高性能電源,這也會顯著增加陶瓷電容的使用率。內核的電源電流從幾安培增加到幾十安培,且嚴格管控電源紋波、負載瞬變過沖 / 欠沖和電磁干擾(EMI),這些都需要額外的電容。

更高的電源工作(開關)頻率可以降低瞬變對輸出電壓造成的影響,降低電容需求和整體解決方案的尺寸,但是更高的開關頻率往往會導致開關損耗增加,降低整體效率。能否在先進的微處理器、CPU、SoC、ASIC 和 FPGA 需要極高的電流時,避免這種取舍并滿足瞬變要求?

ADI 的單芯片 Silent Switcher® 2 降壓穩(wěn)壓器系列幫助實現(xiàn)緊湊的解決方案尺寸、高電流能力和高效率,更重要的是,還具備出色的 EMI 性能。LTC7151S 單芯片降壓穩(wěn)壓器使用 Silent Switcher 2 架構來簡化 EMI 濾波器設計。谷電流模式可以降低輸出電容需求。我們來看看適合 SoC 的 20 V 輸入至 1 V、15 A 輸出解決方案。

面向 SoC 的 20 V 輸入、15 A 解決方案

圖 1 所示為適合 SoC 和 CPU 功率應用的 1 MHz、1.0 V、15 A 解決方案,其中輸入一般為 12 V 或 5 V,可能在 3.1 V 至 20 V 之間波動。只需要輸入和輸出電容、電感、幾個小型電阻和電容即會組成完整的電源。此電路易于修改,以生成其他輸出電壓,例如 1.8 V、1.1 V 和 0.85 V,一直到 0.6 V。輸出電軌的負回流(至 V–引腳)使得其能夠對負載附近的輸出電壓實施遠程反饋檢測,最大限度降低板路徑的壓降導致的反饋誤差。

圖 1 所示的解決方案使用 LTC7151S Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器采用高性能集成式 MOSFET,以及 28 引腳散熱增強型 4 mm × 5 mm × 0.74 mm LQFN 封裝。通過谷電流模式實施控制。內置保護功能,以最大限度減少外部保護組件的數(shù)量。

頂部開關的最短導通時間僅為 20 ns(典型值),可以在極高頻率下直接降壓至內核電壓。熱管理功能支持可靠、持續(xù)地提供高達 15 A 的電流、20 V 的輸入電壓,無散熱或氣流,因此非常適合電信、工業(yè)、交通運輸和汽車應用領域的 SOC、FPGA、DSP、GPU 和微處理器使用。

LTC7151S 具備廣泛的輸入范圍,可以用作一級中間轉換器,支持多個下游負載點或 LDO 穩(wěn)壓器在 5 V 或 3.3 V 時達到最高 15 A。

為什么對MLCC電源的要求那么高?

圖. 適用于 SoC 和 CPU 的 1 MHz、15 A 降壓穩(wěn)壓器的原理圖和效率

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