FinFET（鰭式場效應晶體管）在當前的晶圓代工領域可謂是大放異彩的核心技術，臺積電甚至打算一路用到3nm時代。

不過，不為認知的是，三星在過去4年的時間內(nèi)，深陷FinFET專利侵權案中，直到最近才了結。

官司的原告是韓國科學技術院（KAIST），其在2001年在美國和韓國提交了FinFET技術相關專利，由韓國科學技術院與首爾大學教授Lee Jong-ho合作開發(fā)。

2016年11月29日的時候，韓國科學技術院在美國德克薩斯對三星、高通和格芯（GlobalFounderies）提起了FinFET專利侵權訴訟。據(jù)說，Intel是乖乖交過了相關“保護費”。

2018年6月和2019年2月，KAIST先后兩次起訴三星，聲稱后者生產(chǎn)的7nm、8nm、10nm、11nm、14nm手機應用處理器均涉侵權之列，要求4億美元賠償。今年2月，法院判令三星賠償2億美元。

目前，該案已和解，和解細節(jié)不詳。

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來源：快科技

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