2020年已經(jīng)過去大半，今年半導(dǎo)體行業(yè)可謂是一波三折。2020H1， 全球半導(dǎo)體銷售額2082億美元，同比+6.77%，中國(guó)半導(dǎo)體銷售額714億美元，同比+5.47%，全球占比35.52%。受疫情影響，產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇有所放緩。上半年中美爭(zhēng)端持續(xù)，美對(duì)華為芯片制裁持續(xù)加碼，亦對(duì)華科技其他領(lǐng)域施加制裁。

集成電路進(jìn)口金額近五年超原油，當(dāng)前中國(guó)集成電路制造自給率約16%，自給率尚且不高。預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)產(chǎn)值未來5年內(nèi)保持17%左右的復(fù)合增速，自給率在2024年有望超過20%。對(duì)集成電路重視度進(jìn)一步提升，升級(jí)財(cái)稅政策，設(shè)立集成電路一級(jí)學(xué)科并開展強(qiáng)基計(jì)劃，后續(xù)有望將第三代半導(dǎo)體納入“十四五”規(guī)劃。

產(chǎn)業(yè)大基金方面：大基金一期投向制造、設(shè)計(jì)、封測(cè)、設(shè)備材料等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)投資比重分別是63%、20%、10%、7%。大基金二期2000億元規(guī)模，自2020年開始投資，上半年已有中芯國(guó)際、紫光展銳等重點(diǎn)項(xiàng)目開展。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2020年變化?

根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，2020H1，全球半導(dǎo)體銷售額2082億美元，同比+6.77%，中國(guó)半導(dǎo)體銷售額714億美元，同比+5.47%，全球占比35.52%。其中一季度（全球同比8.06%、中國(guó)同比6.13%）強(qiáng)于二季度（全球同比5.50%、中國(guó)同比4.84%）。

產(chǎn)業(yè)自2019年中進(jìn)入復(fù)蘇周期，2020H1受疫情影響復(fù)蘇暫時(shí)放緩，同比增長(zhǎng)，環(huán)比回落，銷售額不及2017年下半年~2018年上半年水平。

上半年產(chǎn)業(yè)同比表現(xiàn)尚可：一方面由于疫情下游出現(xiàn)很多短單、急單，產(chǎn)業(yè)鏈普遍上調(diào)安全庫存水平，部分銷售增量來自于庫存抬升；另一方面2019年上半年基數(shù)較低。

▲中國(guó)占全球半導(dǎo)體銷售額比重達(dá)到35.5%

▲臺(tái)股部分半導(dǎo)體月度營(yíng)收指引變化

存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額占比約三分之一，價(jià)格周期顯著。以DRAM存儲(chǔ)器為例，2019年12月價(jià)格觸底，接近2016年上輪底部，過去兩輪周期底部到頂部?jī)r(jià)差在100~200%，2020年初相對(duì)底部上漲20%左右；

疫情使存儲(chǔ)周期價(jià)格周期復(fù)蘇放緩；后續(xù)隨疫情恢復(fù)有望持續(xù)復(fù)蘇。

▲DRAM現(xiàn)貨價(jià)格走勢(shì)

國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)上，由于和美國(guó)爭(zhēng)端持續(xù)，美對(duì)華為芯片制裁持續(xù)加碼?。

▲美國(guó)政府對(duì)華為的制裁

▲美國(guó)對(duì)華科技其他制裁

2015年后，集成電路超過原油連續(xù)五年占據(jù)我國(guó)進(jìn)口商品第一大品類。根據(jù)海關(guān)總署數(shù)據(jù)，2019年中國(guó)集成電路進(jìn)口金額3055.5億美元，占我國(guó)進(jìn)口總額的14.7%。

在部分核心領(lǐng)域例如CPU、GPU、FPGA芯片、EDA工具、設(shè)備、材料等方面，國(guó)產(chǎn)化程度尚且較低。

當(dāng)前中國(guó)集成電路制造自給率約16%。預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)產(chǎn)值未來5年內(nèi)保持17%左右的復(fù)合增速，自給率在2024年有望超過20%。

▲中國(guó)集成電路與原油進(jìn)口金額對(duì)比

▲中國(guó)集成電路部分環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)占有率估測(cè)

▲ 中國(guó)集成電路產(chǎn)值增速高于市場(chǎng)規(guī)模增速

重視度進(jìn)一步提升，財(cái)稅政策升級(jí)?。重視提升：2020年8月4日，國(guó)務(wù)院發(fā)布《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》，此前2000年的國(guó)務(wù)院“18號(hào)文”和2011年的“4號(hào)文”表述均為“軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)”，體現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)重視度提升。

財(cái)稅政策：8月4日集成電路新政出臺(tái)財(cái)稅、投融資、研究開發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、市場(chǎng)應(yīng)用、國(guó)際合作等八個(gè)方面政策措施，核心增量在于財(cái)稅和投融資政策。新增28nm以下集成電路生產(chǎn)企業(yè)“十年免所得稅”，進(jìn)口設(shè)備、材料、零配件免關(guān)稅；設(shè)備、材料、封測(cè)公司明確享受所得稅“兩免三減半”，重點(diǎn)設(shè)計(jì)公司升級(jí)為五年免稅，上市融資條件放寬，支持研發(fā)支出資本化。

▲?我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)財(cái)稅相關(guān)政策大事記

加碼人才培養(yǎng)，一級(jí)學(xué)科設(shè)立和強(qiáng)基計(jì)劃?。一級(jí)學(xué)科：2019年10月8日，工信部公布了答復(fù)政協(xié)《關(guān)于加快支持工業(yè)半導(dǎo)體芯片技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的提案》的函，函中工信部指出要“推進(jìn)設(shè)立集成電路一級(jí)學(xué)科，進(jìn)一步做實(shí)做強(qiáng)示范性微電子學(xué)院?！?020年7月30日，國(guó)務(wù)院學(xué)位委員會(huì)投票通過設(shè)立“集成電路”一級(jí)學(xué)科，集成電路學(xué)科內(nèi)涵與外延擴(kuò)大，同時(shí)有利于人才培養(yǎng)和研究資金撥款。

強(qiáng)基計(jì)劃：2020年1月，教育部試點(diǎn)開展“強(qiáng)基計(jì)劃”，聚焦高端芯片與軟件、智能科技、新材料、先進(jìn)制造和國(guó)家安全等關(guān)鍵領(lǐng)域以及國(guó)家人才緊缺的人文社會(huì)科學(xué)領(lǐng)域。

▲?傳統(tǒng)電子科學(xué)與技術(shù)各二級(jí)學(xué)科分工：微電子/半導(dǎo)體學(xué)科負(fù)責(zé)“工藝”

▲? 現(xiàn)在的學(xué)科分工：集成電路由一種元器件變成了整個(gè)電子系統(tǒng)的載體

第三代半導(dǎo)體有望納入“十四五”規(guī)劃?。綱領(lǐng)目標(biāo)：2012年、2015年工信部分別制定了集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”、“十三五”規(guī)劃；根據(jù)中國(guó)證券報(bào)等媒體報(bào)道，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望列入“十四五”規(guī)劃，目標(biāo)“換道超車”。

▲?我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)相關(guān)綱領(lǐng)性文件及第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策梳理

▲? 正在實(shí)施的第三代半導(dǎo)體國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃重點(diǎn)專項(xiàng)

產(chǎn)業(yè)大基金動(dòng)向?：一期投資完成，撬動(dòng)萬億資本投入??！爱a(chǎn)業(yè)+資本”成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展重要手段?！按蠡稹笔着?guī)模達(dá)1387億元+超過6000億元的地方基金及私募股權(quán)投資基金，中國(guó)將撬動(dòng)萬億資本投入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。制造、設(shè)計(jì)、封測(cè)、設(shè)備材料等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)投資比重分別是63%、20%、10%、7%。大基金二期2000億元規(guī)模，自2020年開始投資。

▲中國(guó)國(guó)家及主要地方集成電路產(chǎn)業(yè)基金規(guī)劃

▲大基金一期投向企業(yè)全景梳理

大基金二期設(shè)立，資本杠桿撬動(dòng)延續(xù)?。大基金二期2000億元規(guī)模，自2020年開始投資，我們預(yù)計(jì)各領(lǐng)域龍頭企業(yè)仍然會(huì)成為其重點(diǎn)投資對(duì)象，預(yù)計(jì)制造環(huán)節(jié)占比仍然最大，重視材料設(shè)備、設(shè)計(jì)，新增應(yīng)用方向，封測(cè)領(lǐng)域預(yù)計(jì)繼續(xù)支持先進(jìn)封測(cè)領(lǐng)域。

中芯國(guó)際獲重點(diǎn)支持：2020年5月，國(guó)家大基金二期和上海集成電路基金二期將分別對(duì)中芯南方注資15億美元和7.5億美元，注資后國(guó)家大基金一期、國(guó)家大基金二期、上海集成電路基金一期及上海集成電路基金二期擁有14.56%、23.08%、12.31%及11.54%股權(quán)。

▲大基金一期投向領(lǐng)域占比

▲ 大基金二期目前已投企業(yè)梳理

地方建廠熱潮方面， 二三梯隊(duì)建設(shè)較多，部分存在過剩可能?。

從2015年起，國(guó)內(nèi)宣布或計(jì)劃建設(shè)的集成電路8英寸、12英寸生產(chǎn)線合計(jì)超過35條。

除中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等第一梯隊(duì)廠商外，還有眾多二、三線城市地方政府與企業(yè)合資項(xiàng)目，如合肥晶合、廈門聯(lián)電、福建晉華、淮安德科瑪、淮安時(shí)代全芯、重慶萬國(guó)半導(dǎo)體（AOS）、大連宇宙半導(dǎo)體等。

當(dāng)前國(guó)內(nèi)12英寸晶圓廠產(chǎn)能約67萬片/月，預(yù)計(jì)2021年底將超過100萬片/月。

▲中國(guó)大陸半導(dǎo)體生產(chǎn)線分布圖（2020年4月）

據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為134.5億美元，約合940億人民幣；中國(guó)大陸12英寸晶圓廠2020~2021年兩年間將新增產(chǎn)能34.55萬片/月，相當(dāng)于在現(xiàn)有存量基礎(chǔ)上新增52%。

▲中國(guó)大陸12英寸晶圓廠產(chǎn)能預(yù)測(cè)

▲中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模

資本市場(chǎng)方面， 一級(jí)市場(chǎng)投融資踴躍，二級(jí)市場(chǎng)鼓勵(lì)上市?。2020上半年集成電路領(lǐng)域一級(jí)市 科創(chuàng)板半導(dǎo)體板塊公司IPO募資情況統(tǒng)計(jì)場(chǎng)投融資交易67起，交易總金額359.47億元。

2019年7月科創(chuàng)板設(shè)立以來，半導(dǎo)體板塊上市公司19家，合計(jì)實(shí)際募資801.75億元。其中設(shè)計(jì)公司10家、制造2家、設(shè)備3家、材料3家、IP1家。

2020年以來科創(chuàng)板半導(dǎo)體公司上市9家，合計(jì)募資681.57億元，其中中芯國(guó)際募資金額最高 ， 為532.3億元。

2020年8月4日，集成電路支持政策指出，大力支持符合條件的集成電路企業(yè)和軟件企業(yè)在境內(nèi)外上市融資，加快境內(nèi)上市審核流程，符合企業(yè)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則相關(guān)條件的研發(fā)支出可作資本化處理。鼓勵(lì)支持符合條件的企業(yè)在科創(chuàng)板、創(chuàng)業(yè)板上市融資，通暢相關(guān)企業(yè)原始股東的退出渠道。

▲科創(chuàng)板半導(dǎo)體板塊公司IPO募資情況統(tǒng)計(jì)

2020年以來，A股市場(chǎng)半導(dǎo)體板塊顯現(xiàn)出兩次高點(diǎn)，分別在2月底和7月初，近兩年總體呈現(xiàn)估值擴(kuò)張趨勢(shì)。

美股半導(dǎo)體指數(shù)在2月份因疫情預(yù)期和流動(dòng)性緊張而重挫，隨后逐步修復(fù)上漲。

▲A股半導(dǎo)體（中信）板塊指數(shù)走勢(shì)

▲美股費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)走勢(shì)

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)三個(gè)核心問題

1、 中美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)比

A股選取CS半導(dǎo)體板塊，總市值合計(jì)為2.1萬億元人民幣，美股選取費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股，總市值合計(jì)折合13.9萬億人民幣，總市值相差6.6倍。按照營(yíng)收口徑，中美相差13.8倍，按照凈利潤(rùn)口徑，中美相差51.9倍。

▲中美半導(dǎo)體上市公司體量對(duì)比

▲ 中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)公司數(shù)量變化

▲ 全球前10大IC設(shè)計(jì)公司排名：華為海思一家大陸公司躋身top10

在選取的標(biāo)的范圍內(nèi)，A股市場(chǎng)半導(dǎo)體公司過去四年估值平均70倍PE（當(dāng)年P(guān)E），美股半導(dǎo)體公司平均約20倍。

中國(guó)一二級(jí)資本市場(chǎng)相對(duì)于海外市場(chǎng)均存在估值溢價(jià)，事實(shí)上有利于國(guó)內(nèi)成為科技創(chuàng)業(yè)和投資熱土。

▲國(guó)內(nèi)A股半導(dǎo)體部分標(biāo)的過去四年P(guān)E平均水平為70倍

▲美股半導(dǎo)體公司歷史PE平均水平在20倍上下

估值水平差異，映射發(fā)展階段

▲中美半導(dǎo)體公司發(fā)展階段對(duì)比：高成長(zhǎng)vs成熟期

▲ 以中芯國(guó)際為例，單從收入體量來看，大致相當(dāng)于2000年前后的臺(tái)積電

據(jù)《中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書》（中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院）統(tǒng)計(jì)，2018年集成電路行業(yè)人員平均月薪9120元。根據(jù)上市公司年報(bào)計(jì)算，國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)上市公司平均薪酬大多在35~40萬元左右，芯片制造上市公司平均薪酬大多在30萬左右。

根據(jù)美國(guó)勞工統(tǒng)計(jì)局（BLS）的數(shù)據(jù)，美國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)的制造崗位平均年薪為15萬美元，折合人民幣105萬元左右。

華為事件后國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)公司核心人才已十分緊缺，部分需求匹配的工程師待遇可提升50%~100%。

▲部分半導(dǎo)體行業(yè)上市公司人均薪酬水平（2019）

▲ 2019年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)普通員工平均年薪水平（元）

2、華為制裁事件分析?

美國(guó)對(duì)華為制裁分三步：1）2019.5.16，納入實(shí)體清單，美技術(shù)含量超25%產(chǎn)品需申請(qǐng)?jiān)S可證；2）2020.5.15，含美國(guó)技術(shù)產(chǎn)品均需申請(qǐng)?jiān)S可證，制裁指向華為海思定制芯片；3）2020.8.17，只要華為是最終客戶，相關(guān)產(chǎn)品均需申請(qǐng)?jiān)S可證，封堵主芯片等標(biāo)準(zhǔn)品采購。

華為應(yīng)對(duì)措施：1）前期大量存貨。在2018年中興通訊被美國(guó)列入拒絕清單之后，華為就已經(jīng)開始做相應(yīng)的準(zhǔn)備。2018年華為的存貨大幅增加，其中主要增加的是原材料，占存貨的比例達(dá)到近年的峰值37.5%。2）供應(yīng)鏈切換，華為從十幾年前就開始儲(chǔ)備BCM（Business Continuity Management）計(jì)劃，考慮在上游不能保證供貨的極端情況下依然能夠?qū)崿F(xiàn)業(yè)務(wù)的持續(xù)性，就具體落實(shí)而言包括非美國(guó)廠商切換和自主研發(fā)。

▲華為原材料和存貨數(shù)據(jù)及比例（億元）

▲ 華為榮耀V30 pro 5G實(shí)現(xiàn)完全去A化，全部34顆芯片，自研20顆

基站中整個(gè)去A環(huán)節(jié)中難度最大的ADC/DAC已實(shí)現(xiàn)由海思完全替代。高速高精度的ADC/DAC是整個(gè)模擬芯片皇冠上的明珠。

美國(guó)科技企業(yè)的應(yīng)對(duì)：通過證明產(chǎn)品無關(guān)國(guó)家安全、申請(qǐng)臨時(shí)許可等方式。非美國(guó)本土供應(yīng)商：2020年5月制裁升級(jí)前供貨實(shí)質(zhì)未受美國(guó)實(shí)體清單影響，2020年5月后也需申請(qǐng)臨時(shí)許可。

▲2019年第一波制裁期間美國(guó)重要美國(guó)科技企業(yè)對(duì)華為供貨情況

短期悲觀情況：美國(guó)嚴(yán)格按照實(shí)體清單封鎖且不發(fā)放許可證，高通、聯(lián)發(fā)科等美國(guó)或非美海外供應(yīng)商無法給華為供貨，海思短期基本無法尋求代工，主要依靠存貨支撐1~2年現(xiàn)有產(chǎn)品生產(chǎn)。短期內(nèi)華為產(chǎn)業(yè)鏈公司可能經(jīng)歷客戶切換過程。

短期樂觀情況：美國(guó)大選前對(duì)華政策強(qiáng)硬，若后續(xù)適度放松，發(fā)放許可證，允許美國(guó)或非美海外供應(yīng)商發(fā)貨（符合美國(guó)廠商利益），則華為現(xiàn)有產(chǎn)品生產(chǎn)可以延續(xù)，對(duì)供應(yīng)鏈沖擊影響小。

長(zhǎng)期可能方案：轉(zhuǎn)向易于去除美國(guó)技術(shù)的產(chǎn)品領(lǐng)域，如家電、IoT等。牽頭推進(jìn)去美技術(shù)芯片制造能力。海思轉(zhuǎn)型為學(xué)術(shù)型研發(fā)機(jī)構(gòu)或者IP授權(quán)模式。哈勃投資加大產(chǎn)業(yè)鏈投資力度?！吧⑹菨M天星”，長(zhǎng)期利于國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

▲華為參與投資的科技公司梳理

▲ 5G 標(biāo)準(zhǔn)必要專利數(shù)目統(tǒng)計(jì)

3、制造內(nèi)循環(huán)可能性和必要性

臺(tái)灣及大陸晶圓制造龍頭廠商對(duì)比?：

先進(jìn)制程大致占晶圓代工市場(chǎng)700億美元的30%，客戶產(chǎn)品隨技術(shù)進(jìn)步整體前移，掌握最先進(jìn)制程者掌握最先進(jìn)客戶獲得高毛利。

臺(tái)積電：臺(tái)積電產(chǎn)能約為250萬片/月（折合8英寸），為中芯國(guó)際產(chǎn)能5倍，營(yíng)收10倍。臺(tái)積電占全球約40%的產(chǎn)能，50%的份額，12吋收入貢獻(xiàn)88%，16nm及以下先進(jìn)制程貢獻(xiàn)56%收入，7nm貢獻(xiàn)35%收入，先進(jìn)制程在全球處于80%份額的壟斷地位。

中芯國(guó)際：中芯國(guó)際產(chǎn)能為47.6萬片/月（折合8英寸），12吋收入貢獻(xiàn)57%，40nm及以上更落后節(jié)點(diǎn)的成熟制程貢獻(xiàn)92%收入，且盈利穩(wěn)定；28nm及以下收入貢獻(xiàn)7.8%。

▲?中芯國(guó)際與臺(tái)積電各節(jié)點(diǎn)對(duì)比

存儲(chǔ)器制造中外龍頭廠商對(duì)比?：存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模約占半導(dǎo)體市場(chǎng)三分之一左右，全球近1500億美元，主要包括NAND Flash和DRAM。

NAND Flash大容量存儲(chǔ)器目前國(guó)內(nèi)核心廠商為長(zhǎng)江存儲(chǔ)，技術(shù)路線主要看層數(shù)，目前國(guó)際主流廠商如三 星 、 美光等已實(shí)現(xiàn) 128 層 3D NAND Flash量產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2019年量產(chǎn)64層產(chǎn)品后，跳過96層產(chǎn)品，直接追趕128層產(chǎn)品。

長(zhǎng)存128層產(chǎn)品于2020年4月已研發(fā)成功并通過主流控制器廠商驗(yàn)證，預(yù)計(jì)最晚2021年上半年量產(chǎn)。與行業(yè)主流時(shí)間差距縮小到1~2年。

▲NAND Flash主要廠商技術(shù)路線圖（疊層）

DRAM內(nèi)存顆粒的國(guó)內(nèi)核心廠商為長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（合肥長(zhǎng)鑫），技術(shù)路線主要看工藝納米數(shù)和內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，目前國(guó)際主流廠商如三星等已實(shí)現(xiàn)1z nm（12-14nm）量產(chǎn)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)位于1x nm（17~19nm）節(jié)點(diǎn)。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)于2019年底量產(chǎn)19nm產(chǎn)品，17nm產(chǎn)品有望在2020年底前量產(chǎn)。與行業(yè)主流廠商時(shí)間差距約2~3年。

▲DRAM主要廠商技術(shù)路線圖（制程）

設(shè)備全球前15名均為美日歐廠商，中國(guó)大陸廠商在全球市場(chǎng)占比僅約2%左右。

晶圓廠制造設(shè)備中約50%來自于美國(guó)廠商，20~30%左右來自于日本廠商。國(guó)內(nèi)晶圓廠國(guó)產(chǎn)化設(shè)備率現(xiàn)可達(dá)10%左右。

▲半導(dǎo)體制造流程及相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備示意圖

▲半導(dǎo)體設(shè)備類型占比

▲ 全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商排名

國(guó)產(chǎn)替代能力從高到低大致排序：化學(xué)機(jī)械拋光、爐管、清洗、離子注入、薄膜(PVD/CVD)、刻蝕、量測(cè)、光刻?。

▲國(guó)內(nèi)核心集成電路設(shè)備廠商技術(shù)能力對(duì)比

集成電路制造材料包括硅晶圓、掩模、電子氣體、工藝化學(xué)品、光刻膠、拋光材料、靶材、封裝材料等。高端材料方面我國(guó)綜合實(shí)力不足。

國(guó)內(nèi)晶圓廠半導(dǎo)體材料供應(yīng)商：日本廠商占30%，美國(guó)廠商占20%。國(guó)產(chǎn)化率在20%~30%。

▲半導(dǎo)體原材料占比

▲全球硅片市場(chǎng)份額

▲全球掩膜版市場(chǎng)份額

▲全球電子氣體市場(chǎng)份額

國(guó)產(chǎn)替代能力從高到低大致排序：高純化學(xué)品，靶材，特種氣體，拋光液，研磨墊，大硅片，光刻膠?。

▲半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商技術(shù)能力現(xiàn)狀

▲設(shè)計(jì)端重點(diǎn)關(guān)注公司

▲設(shè)備端重點(diǎn)關(guān)注公司

▲材料端重點(diǎn)關(guān)注公司

▲制造端重點(diǎn)關(guān)注公司

▲封測(cè)端重點(diǎn)關(guān)注公司

這份報(bào)告對(duì)于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展給出了很理性的分析，未來國(guó)內(nèi)集成電路的發(fā)展應(yīng)該遵循以下五個(gè)方針：“開門迎客”：完全內(nèi)循環(huán)短期沒有可能性也不符合商業(yè)邏輯，應(yīng)團(tuán)結(jié)一切可以團(tuán)結(jié)的力量；“務(wù)實(shí)求是”：產(chǎn)業(yè)投資效績(jī)?cè)u(píng)估應(yīng)針對(duì)不同子行業(yè)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段，增加技術(shù)節(jié)點(diǎn)考核；“上帝的歸上帝，凱撒的歸凱撒”：產(chǎn)業(yè)內(nèi)部尊重商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，避免過度扶持，鼓勵(lì)“野蠻生長(zhǎng)” ；“避免大煉芯片”：地方重資產(chǎn)制造類項(xiàng)目建設(shè)警惕“大水漫灌”和產(chǎn)能過剩風(fēng)險(xiǎn)；“教育為本、尊重從業(yè)、鼓勵(lì)國(guó)產(chǎn)”：繼續(xù)加大教育投入，對(duì)從業(yè)人員和積極使用國(guó)產(chǎn)芯片的下游廠商給予稅收等實(shí)質(zhì)性鼓勵(lì)措施。?

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來源 | 智東西

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