增強型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)最新推出的兩款100 V eGaN FET(EPC2218及EPC2204)，性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統(tǒng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器(硬開關(guān)和諧振式)和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的激光雷達系統(tǒng)。

EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導通電阻降低了接近20%及提高了額定直流功率。與基準硅器件相比，這兩款氮化鎵器件的性能更高。

EPC2204的導通電阻降低了25%，但尺寸卻縮小了3倍。 與基準硅MOSFET器件相比，其柵極電荷(QG)小超過50%，并且與所有eGaN FET一樣，沒有反向恢復電荷(QRR)，從而使得D類音頻放大器可以實現(xiàn)更低的失真和更高效的同步整流器和電機驅(qū)動器。

100 V基準硅場效應晶體管與100 V 氮化鎵場效應晶體管的性能比較

EPC首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow表示：“大家預計最新一代且性能優(yōu)越的100 V eGaN FET的價格會更高。但這些最先進的100 V晶體管的價格與等效老化器件相近。我們?yōu)樵O計工程師提供的氮化鎵器件的優(yōu)勢是性能更高、尺寸更小、散熱效率更高且成本相近。氮化鎵器件正在加速替代功率MOSFET器件?！?