據(jù)臺媒透露，有別于3nm與5nm采用鰭式場效晶體管(FinFET)架構(gòu)，臺積電2nm改采全新的多橋通道場效晶體管(MBCFET)架構(gòu)，研發(fā)進度超前。根據(jù)臺積電近年來整個先進制程的布局，業(yè)界估計，臺積電2nm將在2023下半年推出，有助于其未來持續(xù)拿下蘋果、輝達等大廠先進制程大單，狠甩三星。

幾十年來，半導(dǎo)體行業(yè)進步的背后存在著一條金科玉律，即摩爾定律。摩爾定律表明：每隔 18~24 個月，集成電路上可容納的元器件數(shù)目便會增加一倍，芯片的性能也會隨之翻一番。

然而，在摩爾定律放緩甚至失效的今天，全球幾大半導(dǎo)體公司依舊在拼命廝殺，希望率先拿下制造工藝布局的制高點。

臺積電5nm已經(jīng)量產(chǎn)，3nm預(yù)計2022年量產(chǎn)，2nm研發(fā)現(xiàn)已經(jīng)取得重大突破!

由這個事情，想必大家肯定會聯(lián)系到現(xiàn)在的華為，事實證明必須擁有自己的核心技藝才行，才不會處處被卡，才能不斷發(fā)展進步創(chuàng)造更好價值。

俗話說的好，要想跑得快，先要把路走穩(wěn)，也就是說，基礎(chǔ)要打好，一棟高樓大廈，地基如果不扎實，恐怕5級風(fēng)都會被吹塌。作為電路板、半導(dǎo)體最基礎(chǔ)的蝕刻行業(yè)更是如此。

這里先簡單給大家介紹一下何為蝕刻：

刻蝕(Etching)，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。

蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。

最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工;經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

從工藝流程上，分為兩種：

1、干法刻蝕：利用等離子體將不要的材料去除(亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法)。

2、濕法刻蝕：利用腐蝕性液體將不要的材料去除。

相較而言濕法刻蝕在相關(guān)產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)過程中應(yīng)用比較普遍，在我們的日常生活中也隨處可見例如：金屬版畫、指示標(biāo)牌、電梯轎廂內(nèi)的裝飾板等等，濕法刻蝕在加工過程中主要采用兩種方法：

一、曝光法：工程根據(jù)圖形開出備料尺寸-材料準(zhǔn)備-材料清洗-烘干→貼膜或涂布→烘干→曝光 → 顯影 →烘干-蝕刻→脫膜→OK

二、網(wǎng)印法：開料→清洗板材(不銹鋼其它金屬材料)→絲網(wǎng)印→蝕刻→脫膜→OK

以上兩種工藝的流程在上產(chǎn)過程中都存在著工藝復(fù)雜，耗時費力的問題，而在其加工過程中所造成的環(huán)境污染問題更是嚴(yán)重制約著行業(yè)的發(fā)展，在強調(diào)節(jié)能減排的今天，如何能夠做到既環(huán)保又可以提高生產(chǎn)效率成為了每一個蝕刻業(yè)者追求的目標(biāo)。

蝕刻優(yōu)版加工工藝的研發(fā)成功正是應(yīng)市場所需，目的就是為了解決以上所提到的問題。

從此工藝上由繁變簡，通過打印的方式，將抗蝕刻油墨直接打印在板材上，即打即熱固，打印完成，立即蝕刻。這項技術(shù)為數(shù)碼化生產(chǎn)提供了更多優(yōu)化的方案。

蝕刻優(yōu)版加工工藝對比上述工藝只需三步即可完成蝕刻前工作：

圖文定稿、蝕刻掩膜打印、打印完成，立即蝕刻。蝕刻優(yōu)版的廣泛應(yīng)用，必將促進國內(nèi)蝕刻業(yè)的快速發(fā)展。