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[導(dǎo)讀]縱觀電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過(guò)程中,關(guān)于存儲(chǔ)器間的商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)尤為激烈,最開(kāi)始是美國(guó)一家獨(dú)大,80年代后“日本五巨頭”將全球市場(chǎng)徹底洗牌,隨后韓國(guó),臺(tái)灣等地的公司迅速興起,將原先日本的市場(chǎng)奪走大半;緊接著韓國(guó)又憑借著美國(guó)和政府的扶持,將一眾同行盡數(shù)打敗。時(shí)至今日,在DRAM方面,僅剩下三星,海力士,鎂光三家;NAND也差不多,除了上述三家,也只有inter,西部數(shù)據(jù),鎧俠等寥寥數(shù)家。2017年,存儲(chǔ)器價(jià)格上漲,國(guó)內(nèi)企業(yè)叫苦連天。

縱觀電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過(guò)程中,關(guān)于存儲(chǔ)器間的商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)尤為激烈,最開(kāi)始是美國(guó)一家獨(dú)大,80年代后“日本五巨頭”將全球市場(chǎng)徹底洗牌,隨后韓國(guó),臺(tái)灣等地的公司迅速興起,將原先日本的市場(chǎng)奪走大半;緊接著韓國(guó)又憑借著美國(guó)和政府的扶持,將一眾同行盡數(shù)打敗。時(shí)至今日,在DRAM方面,僅剩下三星,海力士,鎂光三家;NAND也差不多,除了上述三家,也只有inter,西部數(shù)據(jù),鎧俠等寥寥數(shù)家。2017年,存儲(chǔ)器價(jià)格上漲,國(guó)內(nèi)企業(yè)叫苦連天。

就在此時(shí),一家中國(guó)企業(yè),立志要改變這種屈辱的局面。

這家企業(yè),就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)。

十年飲冰,難涼熱血:長(zhǎng)江存儲(chǔ)的艱辛歷程

在見(jiàn)識(shí)到上游產(chǎn)業(yè)被壟斷的嚴(yán)峻后果,國(guó)內(nèi)先后出現(xiàn)三家主營(yíng)存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的公司——長(zhǎng)江存儲(chǔ),合肥長(zhǎng)鑫,福建晉華。而福建晉華由于剛起步就被美國(guó)打壓,所以進(jìn)展滯后了許多,目前就只剩下長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫兩家。其中實(shí)力最為強(qiáng)勁的,便是長(zhǎng)江存儲(chǔ)。

說(shuō)起長(zhǎng)江存儲(chǔ),就不得不提起他的前身——武漢新芯,這家成立于2006年的企業(yè)曾是湖北省重點(diǎn)扶持的對(duì)象。由于此前缺乏經(jīng)驗(yàn),武漢新芯由中芯國(guó)際負(fù)責(zé)運(yùn)營(yíng)。武漢新芯一開(kāi)始本來(lái)是打算做DRAM的,但當(dāng)時(shí)的中芯國(guó)際十分困難,被臺(tái)積電的官司搞得焦頭爛額,無(wú)暇顧及武漢新芯的發(fā)展。又恰逢DRAM行業(yè)正處于低谷周期,無(wú)奈之下,武漢新芯只好先替美國(guó)企業(yè)Spansion代工NADA閃存。

然而武漢新芯著實(shí)倒霉,在2008年的全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)中,Spansion斷掉了給武漢新芯的訂單,武漢新芯一度徘徊在破產(chǎn)邊緣,還被臺(tái)積電,鎂光等企業(yè)盯上。在隨后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里,武漢新芯只能在夾縫中求生存。盡管局勢(shì)艱難,但武漢新芯一直沒(méi)有放棄對(duì)自主創(chuàng)新的追求,堅(jiān)決不同意合資。2011年,從官司中緩過(guò)勁的中芯國(guó)際終于想起了武漢新芯,投資十億美元將武漢新芯全資控股,但可惜的是,因?yàn)楦鞣N原因,這筆注資計(jì)劃實(shí)際上并沒(méi)有完成。2013年,中芯國(guó)際選擇退出,武漢新芯又一次陷入危機(jī),但這一次,武漢新芯沒(méi)有等待太久。

2014年9月,工信部辦公廳宣布成立國(guó)家集成電路投資基金,專(zhuān)門(mén)用于推進(jìn)先進(jìn)集成電路事業(yè)的發(fā)展。在此后的兩年里,湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、國(guó)開(kāi)發(fā)展基金有限公司、湖北省科技投資集團(tuán)有限公司共同出資240億美元,解決了武漢新芯的資金問(wèn)題。在存儲(chǔ)行業(yè)拼搏多年的武漢新芯終于迎來(lái)了勝利的曙光,2016年3月,武漢新芯高調(diào)宣布:將用240億美元,在武漢打造一個(gè)世界級(jí)的半導(dǎo)體企業(yè)!

2016年,武漢新芯再迎喜訊:中國(guó)最大的綜合性集成電路企業(yè)——紫光集團(tuán)正式參與。多方討論研究后,決定在武漢新芯的基礎(chǔ)上成立了一家全新的企業(yè)——長(zhǎng)江存儲(chǔ)。在紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)的安排下,長(zhǎng)江存儲(chǔ)整合了武漢新芯,其中紫光占股51.04%。

“自主創(chuàng)芯,產(chǎn)業(yè)報(bào)國(guó)!”

從這天起,中國(guó)正式開(kāi)啟了存儲(chǔ)自主化的進(jìn)程。

逆流而上,專(zhuān)為打破壟斷而生

根據(jù)《二十國(guó)集團(tuán)國(guó)家創(chuàng)新競(jìng)爭(zhēng)力黃皮書(shū)》報(bào)告:中國(guó)已經(jīng)成為集成電路最大的進(jìn)口國(guó),80%的高端芯片都靠進(jìn)口。以2019年為例,中國(guó)在芯片方面的進(jìn)口金額超過(guò)了3000億美元,遠(yuǎn)超石油進(jìn)口的開(kāi)銷(xiāo)。而存儲(chǔ)器作為集成電路里至關(guān)重要的一環(huán),實(shí)現(xiàn)自主化更是當(dāng)務(wù)之急,長(zhǎng)江存儲(chǔ)擔(dān)起了這項(xiàng)重任。

成立伊始,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)實(shí)力比較薄弱,工藝水平還停留在先前為Spansion代工的層面。和三星,海力士等企業(yè)是不能相提并論的。為了解決這項(xiàng)難題,長(zhǎng)江存儲(chǔ)找到了“國(guó)家隊(duì)”——中科院微電子研究所進(jìn)行深度合作,一起研發(fā)新工藝。

2017年2月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳來(lái)捷報(bào):國(guó)產(chǎn)32層3D NAND FLASH芯片在電學(xué)特性等各項(xiàng)測(cè)試中指標(biāo)合格,迎來(lái)突破性進(jìn)展。緊接著,長(zhǎng)江存儲(chǔ)挖來(lái)了楊偉毅擔(dān)任CEO。楊偉毅在半導(dǎo)體行業(yè)可謂是鼎鼎大名,他所創(chuàng)辦的晨星集團(tuán)在全球范圍內(nèi)也是響當(dāng)當(dāng)?shù)拇嬖冢绕湓谥悄茈娨曅酒难邪l(fā)商,一度超越了聯(lián)發(fā)科。但由于楊的祖籍是福建,自大陸背景讓晨星在臺(tái)灣的運(yùn)營(yíng)屢被刁難。所以當(dāng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)出邀請(qǐng)時(shí),楊毅偉很快便同意了。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)深知人才的重要性,除了楊毅偉,還不惜花重金聘請(qǐng)了NorFlash創(chuàng)始人高啟全,聯(lián)電集團(tuán)集團(tuán)CEO孫世偉等,與之而來(lái)的還有一大批技術(shù)功底扎實(shí),經(jīng)驗(yàn)豐富的前沿工程師,他們都是長(zhǎng)江存儲(chǔ)最堅(jiān)實(shí)的技術(shù)后盾。

道阻且長(zhǎng),志在必行的長(zhǎng)江存儲(chǔ)

2018年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布了號(hào)稱(chēng)能夠顛覆行業(yè)的Xtacking 3D NAND技術(shù)。

簡(jiǎn)單來(lái)講,傳統(tǒng)的NAND閃存的制造商通常都是使用單一工藝技術(shù)在一個(gè)晶片上產(chǎn)生存儲(chǔ)器陣列以及NAND邏輯(地址解碼,頁(yè)面緩沖器等)。而長(zhǎng)江存儲(chǔ)則是將兩種不同的工藝技術(shù)在兩個(gè)不同的晶圓上制作NAND陣列和NAND邏輯,然后再將兩個(gè)晶圓粘合在一起,使用一個(gè)額外的工藝步驟通過(guò)金屬通孔將存儲(chǔ)器陣列相連接,實(shí)現(xiàn)邏輯上的互聯(lián)。

這種全新的架構(gòu)模式能最大化其內(nèi)存陣列的密度,使NAND獲得超快的I/O速度,具長(zhǎng)江長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3 Gbps,比三星最新的V-NAND快兩倍,比主流3D NAND快三倍,速度和穩(wěn)定性都遠(yuǎn)超其他同期產(chǎn)品。

憑借著Xtaking這項(xiàng)顛覆性的技術(shù),在2018年的閃存技術(shù)峰會(huì)上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)成為了最后出場(chǎng)的壓軸公司,并獲得“最具創(chuàng)新能力的閃存創(chuàng)始公司”的獎(jiǎng)項(xiàng)。這標(biāo)志著我國(guó)在閃存方面,已經(jīng)和鎂光,海力士等企業(yè)在同一水平線上!

但這并不夠,因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)的最終目標(biāo),是存儲(chǔ)界的泰斗——三星。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)——致鈦SC001 1TB SSD

韓國(guó)三星早在2017年就實(shí)現(xiàn)了64層NAND的量產(chǎn)工作,而我們直到2019年9月是,才宣布投產(chǎn)64層,256Gb TLC 3D NAND Flash,并且良品率也不高。所以保守估計(jì),長(zhǎng)江存儲(chǔ)和三星的技術(shù)差距在三年之間,我們?cè)谶M(jìn)步,對(duì)方也沒(méi)閑著,這看似短短的三年,將是一場(chǎng)極為困難的攻堅(jiān)戰(zhàn)。如今紫光集團(tuán)已經(jīng)在著手準(zhǔn)備,將投入1100億美元來(lái)投資國(guó)內(nèi)自己的內(nèi)存場(chǎng),和長(zhǎng)江存儲(chǔ)共同努力,計(jì)劃在2022 年大規(guī)模量產(chǎn)用于智能手機(jī)和其他設(shè)備的內(nèi)存芯片。

雖然目前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)和世界一線大廠仍然存在一定的差距,比如良品率和兼容性等,但長(zhǎng)江存儲(chǔ)用了僅僅四年時(shí)間,就追趕到這種地步,并彎道超車(chē)推出了自己的Xtaking架構(gòu),已經(jīng)是行業(yè)奇跡!

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