說(shuō)道功率半導(dǎo)體，早期的功率半導(dǎo)體器件：大功率二極管、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)(正因如此，早期才被稱(chēng)為電力電子器件)半導(dǎo)體器件，以前也被稱(chēng)為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。給個(gè)數(shù)量吧，電壓處理范圍從幾十V~幾千V，電流能力最高可達(dá)幾千A。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。

功率半導(dǎo)體器件，嘿嘿，本人的本行。后來(lái)，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展，現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛啦， 在計(jì)算機(jī)、通行、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子 為代表的4C行業(yè)(computer、communication、consumer electronics、cartronics)，功率半導(dǎo)體器件可以說(shuō)是越來(lái)越火，現(xiàn)在不是要節(jié)能環(huán)保嗎，低碳生活，那就需要對(duì)能量的處理進(jìn)行合理的管理，power是啥?通俗的理解不就是功率P=IV 嗎，所以就需要對(duì)電壓電流的運(yùn)用進(jìn)行有效的控制，這就與功率器件密不可分! 功率管理集成電路(Power Management IC，也被稱(chēng)為電源管理IC)已經(jīng)成為功率半導(dǎo)體器件的熱點(diǎn)，發(fā)展非常迅速噢!

功率半導(dǎo)體器件，在大多數(shù)情況下，是被作為開(kāi)關(guān)使用(switch)，開(kāi)關(guān)，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是用來(lái)控制電流的 通過(guò) 和 截?cái)唷? 那么，一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)，應(yīng)該具有兩個(gè)基本的特性：

1，電流通過(guò)的時(shí)候，這個(gè)理想開(kāi)關(guān)兩端的電壓降是零

2，電流截?cái)嗟臅r(shí)候，這個(gè)理想開(kāi)關(guān)兩端可以承受的電壓可以是任意大小，也就是0~無(wú)窮大

因此，功率半導(dǎo)體器件的研究和發(fā)展，就是圍繞著這個(gè)目標(biāo)不斷前進(jìn)的?，F(xiàn)在的功率半導(dǎo)體器件，已經(jīng)具有很好的性能了，在要求的電壓電流處理范圍內(nèi)，可以接近一個(gè)比較理想的開(kāi)關(guān)。

好了，扯了這么多，舉幾個(gè)功率半導(dǎo)體器件的例子吧，剛才已經(jīng)說(shuō)了，功率二極管，晶閘管，還有功率BJT(就是功率雙極型晶體管)這些都是第一代產(chǎn)品了，比較老的了，第二代是以功率MOSFET為代表的新型功率半導(dǎo)體器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。

VDMOS 即(vertical double-diffusion MOSFET)是縱向器件，多用于分立器件;LDMOS 即(Lateral double-diffusion MOSFET)，是橫向器件，其三個(gè)電極均在硅片表面，易于集成，多用于功率集成電路領(lǐng)域。 IGBT 即 (Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極型晶體管)，可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。 IGBT目前非常火啊，國(guó)內(nèi)才剛剛起步，大量需要IGBT的高技術(shù)人才，這個(gè)有錢(qián)途的。