今日，在華為官方發(fā)布的《任總在C9高校校長(zhǎng)一行來(lái)訪座談會(huì)上的講話》一文中，任正非明確表示，我國(guó)芯片設(shè)計(jì)已經(jīng)步入世界領(lǐng)先，達(dá)到世界第一水平的芯片制造技術(shù)在臺(tái)灣。但是大陸芯片產(chǎn)業(yè)的最大問題就是制造設(shè)備與基礎(chǔ)工業(yè)，制造沒有追上芯片設(shè)計(jì)的腳步，造成芯片行業(yè)的短板效應(yīng)，因?yàn)槿菀妆蝗丝ú弊印?

國(guó)產(chǎn)芯片設(shè)計(jì)水平居于領(lǐng)先地位的無(wú)疑就是華為海思，任正非說國(guó)產(chǎn)芯片在設(shè)計(jì)方面居于全球領(lǐng)先地位，應(yīng)該就是說華為海思在芯片設(shè)計(jì)方面居于領(lǐng)先地位。華為海思研發(fā)的高端芯片在性能方面已能與手機(jī)芯片老大高通、三星等比肩，從這個(gè)方面來(lái)說，華為海思確實(shí)可以說達(dá)到了領(lǐng)先水平。

縱觀全球，只有三星、英特爾等少數(shù)幾家企業(yè)能完成芯片全套的程序。海思芯片用到了很多ARM的技術(shù)架構(gòu)，目前海思芯片還無(wú)法完全脫離ARM所建立的技術(shù)底層。

華為海思研發(fā)的手機(jī)芯片基本都是采用ARM的公版CPU核心和GPU核心，一旦雙方的合作出現(xiàn)障礙，華為就無(wú)法跟上世界的腳步，例如去年的麒麟990 5G芯片和今年的麒麟9000芯片都未采用ARM最新的公版核心，導(dǎo)致性能方面落后于高通和三星。

由此可見華為在研發(fā)先進(jìn)芯片方面其實(shí)收到ARM的制約，ARM給與它最先進(jìn)的技術(shù)授權(quán)，華為海思才能設(shè)計(jì)出最先進(jìn)的芯片，一旦ARM與它的合作受阻，它的芯片技術(shù)就受到重大的阻礙。當(dāng)然了，華為目前也在建立自己的底層技術(shù)。

華為在手機(jī)芯片方面確實(shí)具有了較強(qiáng)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，不過它的這種領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)其實(shí)還是有一定的局限性。如果放到中國(guó)整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)來(lái)說，中國(guó)在芯片設(shè)計(jì)方面的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)就更為有限了。

芯片多種多樣，據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指全球芯片市場(chǎng)有大約一半來(lái)自美國(guó)。美國(guó)能在全球芯片行業(yè)居于絕對(duì)的領(lǐng)先地位，得益于它保持100多年的全球制造業(yè)一哥地位，這種深厚的積累才奠定了它如今在芯片行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

對(duì)于中國(guó)來(lái)說，中國(guó)僅僅是在手機(jī)芯片的某個(gè)方面具有一定的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，在整體上于海外芯片企業(yè)的還是有一定的差距的。如果從各個(gè)芯片行業(yè)來(lái)說，中國(guó)落后的地方就更多了。

在存儲(chǔ)芯片行業(yè)，中國(guó)的存儲(chǔ)芯片才剛剛起步，長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫去年才投產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，當(dāng)然值得高興的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年已研發(fā)出于全球主流水平相當(dāng)?shù)?28層NAND flash，但是中國(guó)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能占全球的比例還太小，預(yù)計(jì)到明年才能占有一成多點(diǎn)的市場(chǎng)份額。

在模擬芯片方面的落后更是人所共知，據(jù)稱中國(guó)生產(chǎn)的模擬芯片占全球模擬芯片的比例只有一成左右，而且中國(guó)生產(chǎn)的模擬芯片主要是低端芯片，高端的模擬芯片幾乎全數(shù)進(jìn)口，華為恰恰在模擬芯片方面幾乎完全受制于美國(guó)，這個(gè)行業(yè)恐怕需要十年乃至更長(zhǎng)時(shí)間才能趕得上。

正如余承東所說，華為一家公司的力量也是有限的，麒麟芯片之所以受限，主要原因就是因?yàn)閲?guó)內(nèi)找不到一家高端的芯片制程商為麒麟芯片服務(wù)。芯片制造的每一臺(tái)設(shè)備、每一項(xiàng)材料都非常尖端、非常難做，沒有高端的有經(jīng)驗(yàn)的專家是做不出來(lái)的。

所以，當(dāng)前國(guó)產(chǎn)芯片最大的難題還是在于芯片的制程方面，整個(gè)芯片差距要在于制造，芯片制造能力，芯片制造設(shè)備研發(fā)能力，背后是基礎(chǔ)科學(xué)、工程科學(xué)、應(yīng)用科學(xué)的沉積。

因而，我們國(guó)家要重視裝備制造業(yè)、化學(xué)產(chǎn)業(yè)?；瘜W(xué)就是材料產(chǎn)業(yè)，材料就是分子、原子層面的科學(xué)。需要出來(lái)更多的尖子人才和交叉創(chuàng)新人才，才會(huì)有突破的可能。

任正非還表示，望國(guó)內(nèi)頂尖大學(xué)不要過度關(guān)注眼前工程與應(yīng)用技術(shù)方面的困難，要專注在基礎(chǔ)科學(xué)研究突破上，“向上捅破天、向下扎下根”，努力在讓國(guó)家與產(chǎn)業(yè)在未來(lái)不困難。