隨著社會(huì)的快速發(fā)展，我們的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器也在快速發(fā)展，那么你知道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的詳細(xì)資料解析嗎?接下來讓小編帶領(lǐng)大家來詳細(xì)地了解有關(guān)的知識(shí)。

致力于建立更智能、更互聯(lián)世界的領(lǐng)先芯片、軟件和解決方案供應(yīng)商SiliconLabs(亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB)，日前推出新型Si823Hx/825xx隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。新產(chǎn)品結(jié)合了更快更安全的開關(guān)、低延遲和高噪聲抑制等能力，可更靠近功率晶體管放置，實(shí)現(xiàn)緊湊的印制電路板(PCB)設(shè)計(jì)。這些柵極驅(qū)動(dòng)器所取得的新進(jìn)展可以幫助電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員滿足甚至超越日益提高的能效標(biāo)準(zhǔn)及尺寸限制，同時(shí)支持使用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)和快速SiFET等新興技術(shù)。

在功率電子(例如驅(qū)動(dòng)技術(shù))中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時(shí)間。

SiliconLabs副總裁兼電源產(chǎn)品總經(jīng)理BrianMirkin表示：“汽車、工業(yè)和可再生能源市場(chǎng)的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員正在通過新興的能效標(biāo)準(zhǔn)和新的技術(shù)選擇來管理動(dòng)態(tài)環(huán)境，同時(shí)滿足對(duì)安全和電源的持續(xù)需求。我們的新型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供了電源工程師所需的滿足并超過行業(yè)要求的高性能，包括擴(kuò)展的輸入電壓范圍、更低的延遲、更高的抗擾性和快速開關(guān)能力。”

然而，快速開關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器，還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開關(guān)速度的功能。

SiliconLabs的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)可用于多種電源應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心電源、太陽能微型逆變器、汽車市場(chǎng)的牽引式逆變器和工業(yè)電源。

在電力電子中，出于功能和安全考慮需要進(jìn)行隔離。由于采用了柵極驅(qū)動(dòng)器(例如在驅(qū)動(dòng)技術(shù)中采用半橋拓?fù)湫问?，因此會(huì)與高總線電壓和電流接觸，隔離不可避免。

Si823Hx/825xx系列產(chǎn)品的差異化特性經(jīng)過了專門配置，可滿足在充滿挑戰(zhàn)的電源環(huán)境中工作的設(shè)計(jì)人員的需求。SiliconLabs系列產(chǎn)品提供了獨(dú)特的升壓器件，可提供更高的拉電流，實(shí)現(xiàn)更快的FET導(dǎo)通速度。對(duì)稱的4A灌/拉電流能力意味著拉電流幾乎是前代驅(qū)動(dòng)器的兩倍，這有助于減少開關(guān)損耗。新的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器將延遲減少了一半，最大傳播延遲為30ns，從而減少了反饋環(huán)路延遲，可獲得更高的系統(tǒng)效率。這些驅(qū)動(dòng)器還改進(jìn)了瞬態(tài)噪聲抑制能力，進(jìn)而確保可在固有噪聲環(huán)境中可靠運(yùn)行。輸入電壓范圍(VDDIH)也得到了擴(kuò)展，從4.5V至20V，支持與典型模擬控制器的電源軌直接接口。

以上就是隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的有關(guān)知識(shí)的詳細(xì)解析，需要大家不斷在實(shí)際中積累經(jīng)驗(yàn)，這樣才能設(shè)計(jì)出更好的產(chǎn)品，為我們的社會(huì)更好地發(fā)展。