人類社會的進(jìn)步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計(jì)者的努力，其實(shí)很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如650VCoolMOS?CFD7。

在工業(yè)應(yīng)用SMPS的設(shè)計(jì)上，最新的技術(shù)趨勢會將高效率、高功率密度及總線電壓上升的需求作整體考慮，也因此觸發(fā)了對650V擊穿電壓功率器件的需求。英飛凌科技股份有限公司(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)旗下650VCoolMOS?CFD7產(chǎn)品系列即可滿足上述需求。此器件適用于軟切換應(yīng)用的諧振拓?fù)洌缤ㄐ烹娫?、服?wù)器、太陽能和非車載的電動車充電。

對于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu)， Rdson 與BV 這一對矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson 就大了。

新款650V器件擴(kuò)展了聲譽(yù)卓越的CoolMOSCFD7系列的電壓范圍，且為CoolMOSCFD2的后繼產(chǎn)品。新款650V產(chǎn)品可搭配LLC和零電壓切換相移全橋拓?fù)?，較前幾代產(chǎn)品能提供多項(xiàng)優(yōu)勢。本產(chǎn)品系列擊穿電壓提升50V，搭配整合高速本體二極管技術(shù)及更出色的切換效能，非常適合用于當(dāng)代設(shè)計(jì)。極低的反向恢復(fù)電荷加上優(yōu)異的熱性能，也添加了更多優(yōu)勢。

Rdson直接決定著MOS 單體的損耗大小。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和，這就是常規(guī)VDMOS的局限性。

開關(guān)損耗與RDS(on)過熱相依性皆大幅降低，此產(chǎn)品系列具備非常優(yōu)異的硬式整流耐用度。由于閘極電荷(Qg)改善，加上快速的開關(guān)性能，650VCoolMOSCFD7系列可提高整個(gè)負(fù)載范圍的效率。在主要的SMPS應(yīng)用中，相較于競爭產(chǎn)品，這些MOSFET提供絕佳的輕載效率，滿載效率也有所提升。此外，同級最低RDS(on)也能讓客戶能以極具競爭力的價(jià)格，提升SMPS的功率密度。

對于COOLMOS，通過設(shè)置一個(gè)深入EPI 的的P 區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對Rdson 上不產(chǎn)生影響。對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N 型EPI 與body區(qū)界面的PN 結(jié)，對于一個(gè)PN 結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積。

本文只能帶領(lǐng)大家對650VCoolMOS?CFD7有了初步的了解，對大家入門會有一定的幫助，同時(shí)需要不斷總結(jié)，這樣才能提高專業(yè)技能，也歡迎大家來討論文章的一些知識點(diǎn)。