人類(lèi)社會(huì)的進(jìn)步離不開(kāi)社會(huì)上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開(kāi)我們的設(shè)計(jì)者的努力，其實(shí)很多人并不會(huì)去了解電子產(chǎn)品的組成，比如650VCoolMOS?CFD7。

在工業(yè)應(yīng)用SMPS的設(shè)計(jì)上，最新的技術(shù)趨勢(shì)會(huì)將高效率、高功率密度及總線(xiàn)電壓上升的需求作整體考慮，也因此觸發(fā)了對(duì)650V擊穿電壓功率器件的需求。英飛凌科技股份有限公司(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)旗下650VCoolMOS?CFD7產(chǎn)品系列即可滿(mǎn)足上述需求。此器件適用于軟切換應(yīng)用的諧振拓?fù)?，例如通信電源、服?wù)器、太陽(yáng)能和非車(chē)載的電動(dòng)車(chē)充電。

對(duì)于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu)， Rdson 與BV 這一對(duì)矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson 就大了。

新款650V器件擴(kuò)展了聲譽(yù)卓越的CoolMOSCFD7系列的電壓范圍，且為CoolMOSCFD2的后繼產(chǎn)品。新款650V產(chǎn)品可搭配LLC和零電壓切換相移全橋拓?fù)?，較前幾代產(chǎn)品能提供多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。本產(chǎn)品系列擊穿電壓提升50V，搭配整合高速本體二極管技術(shù)及更出色的切換效能，非常適合用于當(dāng)代設(shè)計(jì)。極低的反向恢復(fù)電荷加上優(yōu)異的熱性能，也添加了更多優(yōu)勢(shì)。

Rdson直接決定著MOS 單體的損耗大小。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和，這就是常規(guī)VDMOS的局限性。

開(kāi)關(guān)損耗與RDS(on)過(guò)熱相依性皆大幅降低，此產(chǎn)品系列具備非常優(yōu)異的硬式整流耐用度。由于閘極電荷(Qg)改善，加上快速的開(kāi)關(guān)性能，650VCoolMOSCFD7系列可提高整個(gè)負(fù)載范圍的效率。在主要的SMPS應(yīng)用中，相較于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，這些MOSFET提供絕佳的輕載效率，滿(mǎn)載效率也有所提升。此外，同級(jí)最低RDS(on)也能讓客戶(hù)能以極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格，提升SMPS的功率密度。

對(duì)于COOLMOS，通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI 的的P 區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson 上不產(chǎn)生影響。對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N 型EPI 與body區(qū)界面的PN 結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN 結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積。

本文只能帶領(lǐng)大家對(duì)650VCoolMOS?CFD7有了初步的了解，對(duì)大家入門(mén)會(huì)有一定的幫助，同時(shí)需要不斷總結(jié)，這樣才能提高專(zhuān)業(yè)技能，也歡迎大家來(lái)討論文章的一些知識(shí)點(diǎn)。