2020年12月8日消息 在這篇文章中，小編將為大家?guī)鞸K 海力士 176 層 TLC 4D NAND 閃存的相關報道。如果你對本文即將要講解的內容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

SK海力士宣布，已開發(fā)出176層512Gb TLC 4D NAND，并已在上個月給主控廠商提供樣品，稍晚些還將推出基于176層的1Tb容量4D NAND，預計2021年中將有基于176層4D NAND新技術的UFS和SSD產品面世。

SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術，數據傳輸速度提高了 33%，達到 1.6 Gbps。明年年中，SK 海力士將推出最大讀取速度提高 70%、最大寫入速度提高 35% 的移動解決方案產品，并計劃推出消費者和企業(yè) SSD 產品，進而擴大該產品的應用市場。

SK 海力士還計劃開發(fā)基于 176 層 4D NAND的 1Tb 密度的閃存，從而持續(xù)增強其在NAND閃存業(yè)務的競爭力。

4D閃存是SK海力士自己的說法，此番的176層更是被稱之為第三代，每片晶圓可以切割更多有效的閃存硅片。

除了容量增加35%，閃存單元的讀取速度也提升了20%，使用加速技術可使得傳輸速度加快33%到1.6Gbps。

SK海力士4D NAND結合了3D CTF(電荷捕獲閃存)設計、PUC(Peri. Under Cell)技術，2019年送樣第一代96層4D NAND，同年次月又推出了第二代128層4D NAND，本次成功研發(fā)出的176層NAND是第三代4D NAND產品。

SK海力士預計相關產品明年年中上市，目前主控廠商已經在測試樣品，預計會在手機閃存領域首發(fā)，目標是70%的的讀速提升和35%的寫速提升，后續(xù)還會應用到消費級SSD和企業(yè)產品上。

根據一份CFM(中國閃存市場)的數據顯示，2020年第三季度NAND Flash營收三星仍以市場份額33.3%高居第一;鎧俠市場份額21.4%，排名第二，西部數據排第三;SK海力士排名第四;美光位列第五;英特爾排名第六位，長江存儲市占份額已經超過1%排名第七。

在SK海力士之前，美光也發(fā)布了176層3D NAND，這是繼128層之后NAND Flash新一代技術制高點。值得注意的是，在美光和SK海力士新技術進展加速推動下，2021年原廠將可能直接在176層NAND技術上展開競爭。

目前存儲市場競爭非常激烈，各家廠商技技術迭代非常快，NAND顆粒的堆疊的數字也是越來越大，而且隨著國產廠商的努力，市場也變的不再是那么的壟斷，前面的領頭廠商為了市場地位，對新技術的研發(fā)力度也會繼續(xù)增大。

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