賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年1月11日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款通過AEC-Q101認證的100 V p溝道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽車應用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不僅是業(yè)內(nèi)首款鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK® SO-8L封裝器件，而且10 V條件下其導通電阻僅為30 mW，達到業(yè)內(nèi)優(yōu)異水平。

日前發(fā)布的新款汽車級MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競品器件相比，導通電阻分別降低26 %和46 %，占位面積分別減小50 %和76 %。SQJ211ELP低導通電阻有助于降低導通功耗，從而節(jié)省能源，10 V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為45 nC，減少柵極驅(qū)動損耗。

這款新型MOSFET可在+175°C高溫下工作，滿足反向極性保護、電池管理、高邊負載開關和LED照明等汽車應用牢固性和可靠性要求。此外，SQJ211ELP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動光學檢測(AOI)功能，消除機械應力，提高板級可靠性。

器件100 V額定值滿足12 V、24 V和48 V系統(tǒng)多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。此外，作為p溝道MOSFET，SQJ211ELP可簡化柵極驅(qū)動設計，無需配置n溝道器件所需電荷泵。 MOSFET采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素、符合RoHS標準，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。

SQJ211ELP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為14周。