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[導讀]1月18日,中國科協(xié)在“科創(chuàng)中國”年度工作會上重磅發(fā)布2020年“科創(chuàng)中國”榜單。

1月18日,中國科協(xié)在“科創(chuàng)中國”年度工作會上重磅發(fā)布2020年“科創(chuàng)中國”榜單。其中,作為照明產(chǎn)業(yè)先進技術(shù),南昌大學國家硅基LED工程技術(shù)研究中心研發(fā)的高光效黃光LED材料與芯片制造技術(shù)入選該榜單十大先導技術(shù)(電子信息領(lǐng)域)。

據(jù)悉,南昌大學國家硅基LED工程技術(shù)研究中心(下稱“研究中心”)位于江西南昌國家高新區(qū),組建于2011年1月,主要從事LED高端裝備MOCVD和LED外延、芯片新技術(shù)的研究開發(fā)工作,與教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心、江西省發(fā)光材料重點實驗室、江西省半導體照明工程技術(shù)研究中心、江西省MOCVD裝備與工藝協(xié)同創(chuàng)新中心和南昌大學材料科學研究所,實行多塊牌子一套人馬的管理模式。研究中心擁有材料科學與工程博士后科研流動站,材料物理與化學博士點,材料物理與化學國家重點學科和國家“半導體照明技術(shù)創(chuàng)新團隊”(分別由科技部和教育部批準)。2015年,研究中心獲得了國家技術(shù)發(fā)明獎中唯一的一等獎。2017年,研究中心所在的材料科學與工程學科更入選國家“雙一流”建設(shè)學科(江西省唯一入選的學科)。

目前,在中國科學院院士、國家硅基LED工程技術(shù)研究中心主任江風益的領(lǐng)導下,研究中心有固定工作人員23名,其中正高6人,具有博士學位14人,承擔了國家863課題、國家重點研發(fā)計劃和國家自然科學基金重點項目等課題/項目30余項。研究中心工程中心主任曾入選國家第一批“萬人計劃科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才”。同時,研究中心還擁有較為齊全的科研設(shè)備,涵蓋了LED外延生長、芯片制造、器件封裝、性能表征和裝備制造等方面,其研發(fā)的硅襯底綠光LED外延與芯片制造技術(shù)擁有國際先進水平,硅襯底黃光LED外延與芯片制造技術(shù)更處于國際領(lǐng)先地位。

從21.4%、22.8%、24.3%,到26.7%。近年來,在江風益院士的牽頭下,研究中心研發(fā)的黃光LED光效不斷刷新了自身保持的世界紀錄,遠高于國外公開報道的最高水平(9.63%),解決了國際上七彩色LED缺高效黃光的問題,提升了LED在信息、能源和健康領(lǐng)域的基礎(chǔ)地位,并將進一步拓寬LED的應(yīng)用范圍。其為專用市場設(shè)計制造的流明效率高達320lm/W黃綠光LED芯片的各項指標更是高于國際同類產(chǎn)品,讓用戶的品牌效益大幅提高。在產(chǎn)品應(yīng)用端,研發(fā)中心在全球首次推出的金黃光色調(diào)、純LED路燈在南昌、井岡山、天津等地應(yīng)用后效果良好。其既有傳統(tǒng)路燈暖色調(diào)的優(yōu)點,又有熒光型LED路燈高光效的長處,還節(jié)省了稀土資源,開拓了LED照明新方向。

在強大技術(shù)和研發(fā)實力的助力下,研究中心又通過裝備與工藝的協(xié)同創(chuàng)新,發(fā)展了具有自主產(chǎn)權(quán)的大科學裝置—MOCVD高端裝備,并在硅襯底上生長第三代半導體InGaN黃光LED材料方面取得了歷史性突破,將黃光LED的光效提升到了27.9%的新高度。未來,全球更多照明細分領(lǐng)域應(yīng)用端將在該技術(shù)與時俱進的創(chuàng)新與突破中受益。

高光效黃光LED材料與芯片制造技術(shù)的誕生,結(jié)束了國際市場上長期缺乏高光效黃光LED的局面,其技術(shù)指標遠超過熒光型技術(shù)路線實現(xiàn)的同色溫光源,解決了LED熒光技術(shù)實現(xiàn)的超低色溫光源存在的光效不高、光衰較大、顯色不足的難題,開拓了健康照明的新方向,具有廣泛的應(yīng)用價值,市場前景廣闊。該技術(shù)入選2020年“科創(chuàng)中國”榜單十大先導技術(shù)(電子信息領(lǐng)域)后,也將為國內(nèi)照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)革新帶來更大的動力。

來源:中國照明網(wǎng)原創(chuàng) 編輯:嚴志祥


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