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[導(dǎo)讀]在過壓防護(hù)領(lǐng)域,豪威集團(tuán)旗下的韋爾半導(dǎo)體一直致力于TVS工藝特性研發(fā),在常規(guī)DIODE工藝基礎(chǔ)上結(jié)合觸發(fā)管工藝特性設(shè)計(jì)出全新NPN高壓工藝特性防護(hù)器件,新工藝TVS器件具有超低鉗位電壓特性,相比常規(guī)工藝TVS防護(hù)效果更優(yōu)。

如今,智能手機(jī)已成為人們衣食住行中必不可少的電子設(shè)備。自2016年開始,為滿足手機(jī)快充技術(shù)的需求,USB Type-C接口應(yīng)運(yùn)而生。得益于此類接口支持雙面插入的特性,“USB永遠(yuǎn)插不準(zhǔn)”的世界性難題得以解決,因此該類型設(shè)備接口也得到了廣大用戶的喜愛。伴隨著各大手機(jī)廠商的激烈競爭,USB Type-C接口幾乎已成為智能手機(jī)的標(biāo)配。

在使用過程中,USB Type-C接口需要支持熱插拔動(dòng)作,因此更容易受到ESD靜電放電和Surge低壓浪涌過沖等EOS過電應(yīng)力的傷害,而導(dǎo)致后端芯片永久性損壞;為滿足過壓防護(hù)需求及提高端口抗干擾能力,對(duì)USB Type-C端口電子電路進(jìn)行EOS過電應(yīng)力保護(hù)就變得尤為重要。

迎接多重過壓挑戰(zhàn),豪威集團(tuán)打造創(chuàng)新型TVS保護(hù)器件

TVS防護(hù)示意圖

目前,市場上限壓型過壓保護(hù)器件主要包括壓敏電阻MOV、聚合物ESD、瞬態(tài)電壓抑制器TVS等。其中TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)作為新型高效電路保護(hù)器件,以其卓越的嵌位功能、較低的擊穿電壓、較小的封裝和穩(wěn)定的電氣特性而得到了廣泛應(yīng)用。在實(shí)際使用中,TVS具有反應(yīng)速度快、鉗位電壓低的特性,能夠在線路或器件受到損傷之前快速有效地遏制瞬時(shí)脈沖,在處理靜電、電感性負(fù)載切換而產(chǎn)生的瞬變電壓及熱插拔所產(chǎn)生的過電壓沖擊時(shí)擁有更加理想的性能表現(xiàn)。在過壓防護(hù)領(lǐng)域,豪威集團(tuán)旗下的韋爾半導(dǎo)體一直致力于TVS工藝特性研發(fā),在常規(guī)DIODE工藝基礎(chǔ)上結(jié)合觸發(fā)管工藝特性設(shè)計(jì)出全新NPN高壓工藝特性防護(hù)器件,新工藝TVS器件具有超低鉗位電壓特性,相比常規(guī)工藝TVS防護(hù)效果更優(yōu);為USB Type-C端口提供防護(hù)效果更優(yōu)的全方位過壓保護(hù)解決方案。

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目前韋爾半導(dǎo)體推出的ESD56161D30、ESD63091CN和ESD56371N三款電路保護(hù)器件均為NPN工藝TVS器件,主要用于USB Type-C端口電源及信號(hào)線的過壓保護(hù)。其中VBUS端口防護(hù)器件ESD56161D30采用DFN 2020-3L封裝技術(shù),是一款單向TVS產(chǎn)品,具有低鉗位電壓(Vcl)和高脈沖峰值電流(IPP)的特性,可用于保護(hù)連至電源線的敏感電子元件免受ESD(靜電放電)和SURGE(浪涌)引起的過電應(yīng)力沖擊。目前,行業(yè)內(nèi)TVS保護(hù)器件一般是針對(duì)5V/9V/12V充電端口做過壓防護(hù),但隨著人們對(duì)智能手機(jī)“快速充電”功能需求的日益提升,針對(duì)更高充電電壓(20V)的過壓保護(hù)已成為技術(shù)發(fā)展趨勢。ESD56161D30不僅可滿足20V高壓快充過壓保護(hù),還可提供最高30V的反向關(guān)斷電壓,提高VBUS電源線常態(tài)直流過壓能力,能夠更好適配Type-C端口VBUS電源線日漸嚴(yán)苛的防護(hù)需求。

ESD56161D30封裝及電性參數(shù):(TYPE-C:VBUS-20V快充電源線過壓防護(hù))

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DFN2020-3L

迎接多重過壓挑戰(zhàn),豪威集團(tuán)打造創(chuàng)新型TVS保護(hù)器件

除單向TVS產(chǎn)品外,韋爾半導(dǎo)體還推出了以ESD56371N及ESD63091CN為代表的高壓雙向普容和低容TVS產(chǎn)品,ESD56371N主要對(duì)Type-C接口CC/SBU信號(hào)線做過壓保護(hù),ESD63091CN主要對(duì)Type-C接口D+D-信號(hào)線做過壓保護(hù),兩款保護(hù)器件均可同時(shí)滿足支持15V高耐壓,高通流及8/20us波形下低鉗位電壓(見下圖)。其中,采用DFN 1006-2L封裝的ESD56371N可兼顧靜電和低壓浪涌綜合防護(hù)性能,并可提供高達(dá)±30kV的ESD保護(hù)及承受高達(dá)22A(8/20us)的峰值脈沖電流。ESD63091CN則內(nèi)置一對(duì)低容二極管,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì),可保障電子元件免受EOS過電應(yīng)力的損害,為敏感芯片組提供更好的保護(hù)功能。

ESD56371N封裝及電性參數(shù):(TYPE-C:CC/SBU信號(hào)線過壓防護(hù))

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DWN1006-2L

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ESD63091CN封裝及電性參數(shù):(TYPE-C:D+D-信號(hào)線過壓防護(hù))

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DFN1006-2L

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在實(shí)際應(yīng)用中,TVS保護(hù)器件除可適配智能手機(jī)的Type-C接口外,還可廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、藍(lán)牙耳機(jī)、電腦、POS機(jī)等多種電子產(chǎn)品中。在產(chǎn)品設(shè)計(jì)過程中,技術(shù)人員需根據(jù)不同的保護(hù)對(duì)象來選用一種或幾種保護(hù)器件,不僅要滿足ESD/SURGE脈沖等級(jí)要求,更要將瞬態(tài)干擾電壓鉗位到后端芯片可承受的電壓范圍內(nèi),以確保線路或芯片得到足夠的保護(hù)。韋爾半導(dǎo)體推出的NPN工藝保護(hù)器件有效地豐富了旗下瞬態(tài)電壓抑制器的產(chǎn)品組合,這些解決方案擁有多種不同封裝尺寸,并具備封裝小,鉗位電壓低,防護(hù)能力強(qiáng)的優(yōu)勢,能夠滿足多種類型的電子元件或芯片對(duì)過電應(yīng)力防護(hù)需求。

一直以來TVS器件都是韋爾半導(dǎo)體的主營產(chǎn)品線之一,憑借豐厚的技術(shù)積累及產(chǎn)品布局,韋爾半導(dǎo)體已打造出完善的過壓保護(hù)TVS產(chǎn)品線,能夠適應(yīng)不同的應(yīng)用場景。同時(shí),其良好的鉗位性能及高通流能力也為不同電子應(yīng)用電路抵御瞬變干擾電壓提供了強(qiáng)大技術(shù)支持。未來,市場對(duì)智能手機(jī)的抗干擾需求將會(huì)越來越高,韋爾半導(dǎo)體也將持續(xù)發(fā)力電路保護(hù)領(lǐng)域,不斷升級(jí)創(chuàng)新,積極助力更高性能的電子設(shè)備迎接多重過壓挑戰(zhàn)。

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