剛在前不久發(fā)布了業(yè)界領先的176層NAND產品，美光近日又宣布推出1α DRAM 制程技術，這兩項領先的技術革新引領內存和存儲產品走向了更高性能水準。不僅僅技術領先，美光在2020年的業(yè)績也同樣實現(xiàn)了超預期的增長。在近日的美光2021線上媒體溝通會上，美光執(zhí)行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana 先生針對美光最近推出的新技術，美光2020年的整體業(yè)績狀況，以及對內存和存儲市場發(fā)展現(xiàn)狀進行了精彩的分享。

美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana

內存和存儲領域仍將保持高速增長勢頭

從預測數(shù)據來看2021年的全球GDP增長將達到約5%，而半導體產業(yè)的增長預計可以達到12%，而在半導體產業(yè)中內存和儲存技術這一領域增長可達到19%?？焖僭鲩L勢頭背后推動力是內存和存儲產品的旺盛市場需求，據Sumit先生分享，在2020年疫情初期雖然智能手機和汽車等需求有所下降，但后期這些需求實現(xiàn)了大幅度復蘇，當前在半導體設備、汽車和PC等客戶這邊都有非常強勁的需求。

據Sumit分享，目前已經有多個成長動能因素交織在一起：汽車業(yè)需求逐步反彈，5G手機數(shù)量今年將實現(xiàn)翻倍增長，疫情帶來的線上業(yè)務增多同樣也發(fā)揮巨大推動作用。旺盛的內存和存儲市場需求對于制造商的生產能力也提出了更高的要求，而這一部分的壓力主要是集中在DRAM這邊。據Sumit先生觀察，在當前第一季度已經可以看到某些DRAM產品的價格有所上漲，并且隨著全球經濟復蘇這種供給緊俏的現(xiàn)象還會持續(xù)下去。而在NAND端目前雖然市場供應充足，隨著價格浮動市場會自行進行調節(jié)，在年底有望達到產能穩(wěn)定。

為了給客戶提供穩(wěn)定可靠的貨源供應，美光一方面會投資擴充自己的內部封測設備和產線，提高自己的產線生產能力。另一方面，美光將會更緊密地與客戶進行需求溝通，提前進行產能規(guī)劃。

同時實現(xiàn)DRAM和NAND技術創(chuàng)新領先

在此次媒體會上，美光發(fā)布了其最新的1α DRAM 制程技術，這代表著業(yè)界DRAM技術的最高水平。對于美光上一代1z DRAM 制程，1α 技術將內存密度提升了 40%。采用該制程技術的LPDDR5產品將在實現(xiàn)更高性能同時達到更好的功耗表現(xiàn)，為一共行業(yè)提供15%節(jié)能的DRAM平臺，幫助5G手機實現(xiàn)更長續(xù)航表現(xiàn)。1α 工藝制程提供了從8Gb～16Gb的密度，DDR4和LPDDR4產品也可以使用該新工藝來生產。所以針對有著存量市場的客戶而言，可以采用更低成本實現(xiàn)系統(tǒng)性能提升，例如數(shù)據中心等。

在NAND方面，前不久發(fā)布的176層NAND產品則標志著美光在NAND方面達到了技術領先的水平。據Sumit先生介紹，176層3D NAND技術結合了美光第二代的替換柵極、電荷捕獲以及美光的 CMOS 陣列下 (CMOS-under-array, CuA) 架構，遠超部分競爭對手。此外，美光的NAND也可以在一個單元上存儲4個bit數(shù)據，實現(xiàn)QLC的NAND產品，上一季有近半數(shù)的SSD客戶都是使用最該新的QLC NAND技術。

憑借在在NAND和DRAM上的技術革新，Sumit表示美光在超過40年的歷史當中，首次在DRAM技術和NAND的技術上同時實現(xiàn)了領先。而且我們可以看到，美光針對后續(xù)的技術升級路線圖也有著明確的規(guī)劃和布局，這種領先勢頭仍將繼續(xù)保持下去。

從美光科技最新公布的財報信息來看，在截至去年12月3日的2021財年第一財季，美光科技營收較上一財年同期增12.23%。而隨著2021年全球經濟復蘇、5G手機普及以及中國雙循環(huán)和新基建的開啟，美光在2021年的有著強勁的增長機會。在2021年作為NAND和DRAM技術先驅者的美光又將給我們帶來哪些突破性的技術革新，讓我們拭目以待。