在下述的內(nèi)容中，小編將會對元素半導體、化合物半導體、本征半導體的相關消息予以報道，如果半導體是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、元素半導體介紹

元素半導體(element semiconductor)是由同種元素組成的具有半導體特性的固體材料，即電阻率約為10-5～107Ω·cm，微量雜質(zhì)和外界條件變化都會顯著改變其導電性能的固體材料。周期表中，金屬和非金屬元素之間有十二種具有半導體性質(zhì)的元素，硼(B)、金剛石(C)、硅(Si)、鍺(Ge)、灰-錫(Sn)、磷(P)、灰-砷(As)、黑-銻(Sb)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、碘(I)。

硅在半導體工業(yè)中獲得最廣泛的應用，這在很大程度上得益于二氧化硅的特殊性質(zhì)。首先，二氧化硅薄膜層能夠有效地掩蔽大多數(shù)重要的受主和施主雜質(zhì)的擴散，從而為器件制造工藝中的選擇擴散提供了最理想的掩膜，使器件的集合圖形可以得到精確的控制;其次，有氧化膜的硅表面比自由表面有更好的電特性，因而硅器件比較容易解決表面的鈍化問題，容易使器件特性獲得良好的重復性和穩(wěn)定性;此外，由于二氧化硅是一種性能很穩(wěn)定的絕緣體，將它夾在硅與金屬之間構成的金屬一氧化物一半導體結構。是MOS型場效應晶體管的基礎，這是一種只利用多數(shù)載流子工作的單極性器件。由于化合物半導體材料的氧化物在性質(zhì)上都存在著一些尚難克服的短處，硅MOSFET是目前唯一能夠普遍應用的MOS器件。

二、化合物半導體介紹

在看完什么是元素半導體之后，我們再來看看化合物半導體是什么?

通常所說的化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半導體，即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質(zhì)。包括晶態(tài)無機化合物(如III-V族、II-VI族化合物半導體)及其固溶體、非晶態(tài)無機化合物(如玻璃半導體)、有機化合物(如有機半導體)和氧化物半導體等。通常所說的化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半導體。主要是二元化合物如：砷化鎵、磷化銦、硫化鎘、碲化鉍、氧化亞銅等，其次是二元和多元化合物，如鎵鋁砷、銦鎵砷磷、磷砷化鎵、硒銦化銅及某些稀土化合物(如SeN、YN、La2S3等)。多采用布里奇曼法(由熔體生長單晶的一種方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法制備化合物半導體單晶，用外延法、化學氣相沉積法等制備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。用于制備光電子器件、超高速微電子器件和微波器件等方面。

三、本征半導體介紹

在看完什么是化合物半導體之后，我們再來看看本征半導體是什么?

純凈的半導體稱為本征半導體，在本征半導體中,自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)的,稱為電子-空穴對。因此自由電子和空穴兩種載流子的濃度是相等的。由于物質(zhì)運動,半導體中的電子-空穴對不斷產(chǎn)生,同時也不斷會有電子填補空穴,使電子-空穴對消失,達到動態(tài)平衡時會有確定的電子-空穴對濃度。常溫下,載流子很少,導電能力很弱。當溫度升高或光照增強時,激發(fā)出的電子-空穴對數(shù)目增加,半導體的導電性能將增強。利用本征半導體的這種特性,可以制成熱敏器件和光敏器件,例如熱敏電阻和光敏電阻等,其阻值可以隨溫度的高低和光照射的強弱而變化。

以上就是小編這次想要和大家分享的有關元素半導體、化合物半導體、本征半導體的內(nèi)容，希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應的頻道哦。