以下內容中，小編將對MCP存儲器和相變存儲器的相關內容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對這兩款不同類型的存儲器的了解，和小編一起來看看吧。

一、什么是MCP存儲器

首先，我們來了解下什么是MCP存儲器以及MCP存儲器的一些相關內容。

當前給定的MCP存儲器的概念為：MCP是在一個塑料封裝外殼內，垂直堆疊大小不同的各類存儲器或非存儲器芯片，是一種一級單封裝的混合技術，用此方法節(jié)約小巧印刷電路板PCB空間。MCP中使用的芯片的復雜性相對較低，并且不需要高氣密性和嚴格的機械沖擊測試要求。當在有限的PCB區(qū)域中使用高密度封裝時，MCP成為首選。 經(jīng)過最近的技術變革，它已經(jīng)實現(xiàn)了更高的堆積密度。目前，MCP通常具有內置的3-9層垂直堆疊的存儲器。 MCP器件可以包括非NOR或非NAND結構的閃存以及其他用于手機存儲器的結構SRAM芯片層。 如果沒有高效的空間比例MCP，那么高端手機幾乎不可能實現(xiàn)多功能。 MCP繼續(xù)使新的包裝設計能夠成功地在實際生產(chǎn)中使用。 通過堆疊封裝將芯片集成在一起，以實現(xiàn)更高的性能密度，更好的集成度，更低的功耗，更大的靈活性和更低的成本。目前，手機存儲芯片封裝的批量生產(chǎn)主要是開發(fā)在數(shù)碼相機，PDA和某些筆記本計算機產(chǎn)品中的應用。

MCP關鍵技術半導體晶圓后段制程技術加快了開發(fā)速度，允許將某些類型的某些芯片以適當?shù)慕Y構集成到單個一級封裝中，結構分為金字塔型和懸臂型堆疊。前者的特征是芯片尺寸從下到上越來越小，而后者與堆疊芯片的尺寸相同。 MCP變得越來越個性化，可以為客戶提供獨特的應用程序解決方案。它比單芯片封裝具有更高的效率。 它的重要性正在迅速提高。 所涉及的關鍵過程包括如何確保產(chǎn)品合格率和減小芯片厚度。 如果是相同的芯片堆棧裝配和密集的引線鍵合技術。

二、相變存儲器簡介

在了解了MCP存儲器后，我們再來看看相變存儲器到底是個什么東西。

相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅動器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應用領域，以及這項新技術的潛在價值。相變存儲器材料具有訪問速度快、可靠性高的優(yōu)點，與其他存儲器相比具有更廣闊的應用空間和更好的發(fā)展趨勢。 預計它將取代目前眾所周知的傳統(tǒng)存儲技術，例如USB閃存驅動器中使用的可斷電內存技術以及應用于計算機存儲器的不間斷電源存儲的DRAM技術等等。 盡管人們逐漸認識到了新存儲技術的優(yōu)勢，但在實踐中如何應用它們卻存在差異。相變存儲器的訪問時間短，并且具有字節(jié)可尋址特性。它的寫入延遲大約是DRAM的10倍，這使其在設計參考中直接執(zhí)行固件代碼方面顯示出優(yōu)勢，并且作為DRAM的代替品被廣泛研究。關閉計算機電源后，使用DRAM的傳統(tǒng)方法是丟失主存儲器中的所有數(shù)據(jù)。計算機需要重新啟動，以再次從外部存儲器讀取操作系統(tǒng)數(shù)據(jù)，這會花費更多時間。一些研究人員使用NOR閃存作為主存儲器可以解決計算機斷電數(shù)據(jù)丟失的問題，但是閃存具有擦除和寫入受限，隨機寫入性能差以及寫入延遲大的缺點。使用相變存儲器或基于相變存儲器的異構主存儲器方法。 以上問題可以更好地解決。

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