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[導(dǎo)讀]由于眾所周知的原因,近期國外尤其是美國對中國的科技“卡脖子”打擊,這也掀起了我國自主研發(fā)突破國外封鎖的一波熱潮,近期也是捷報(bào)頻頻。在芯片方面,離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備,中國電子科技集團(tuán)有限公司近日公布,該集團(tuán)旗下電科裝備已成功實(shí)現(xiàn)離子注入機(jī)全譜系產(chǎn)品國產(chǎn)化,可為全球芯片制造企業(yè)提供離子注入機(jī)一站式解決方案。

由于眾所周知的原因,近期國外尤其是美國對中國的科技“卡脖子”打擊,這也掀起了我國自主研發(fā)突破國外封鎖的一波熱潮,近期也是捷報(bào)頻頻。在芯片方面,離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備,中國電子科技集團(tuán)有限公司近日公布,該集團(tuán)旗下電科裝備已成功實(shí)現(xiàn)離子注入機(jī)全譜系產(chǎn)品國產(chǎn)化,可為全球芯片制造企業(yè)提供離子注入機(jī)一站式解決方案。

在晶圓制造中,總共有七大關(guān)鍵環(huán)節(jié),分別是擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、拋光、金屬化。這其中金屬化,也就是把集成電路里的各個元件用金屬導(dǎo)體連接起來,用到的設(shè)備也是薄膜生長設(shè)備,所以這兩個環(huán)節(jié)所用到的設(shè)備是類似的。另外,幾乎每個環(huán)節(jié)都需要用到清洗機(jī),因?yàn)樯a(chǎn)工藝越來越復(fù)雜,幾乎每一兩步就要對硅片進(jìn)行清洗一次。所以,晶圓制造需要七大類的生產(chǎn)設(shè)備,包括:擴(kuò)散爐、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、清洗機(jī)。其中,離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。

用離子注入機(jī)向硅片注入硼離子,可以形成很多空穴,它們都是正電子。正電子帶正電荷,質(zhì)量與電子相等,是電子的反粒子。帶有空穴的半導(dǎo)體,稱為空穴型半導(dǎo)體,也叫P型半導(dǎo)體。它們以帶正電的空穴導(dǎo)電為主,讓三價(jià)元素(如硼)取代晶格中硅原子的位置。由于P型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等,P型半導(dǎo)體呈電中性。另一類半導(dǎo)體叫N型半導(dǎo)體。在這類半導(dǎo)體中,參與導(dǎo)電的主要是帶負(fù)電的電子,這些電子來自半導(dǎo)體中的磷、砷等五價(jià)元素。磷、砷都比硅元素多一個電子,所以能為硅片帶來多余的電子。因此,要制造N型半導(dǎo)體,就得用離子注入機(jī)將磷、砷等五價(jià)元素以帶電離子形態(tài)注入硅片。P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合,可以形成P-N結(jié)。通電后,正電荷與負(fù)電荷產(chǎn)生勢能差,就會形成電流,像地勢差會形成水流一樣。

根據(jù)SEMI(美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會)的數(shù)據(jù)顯示,離子注入設(shè)備在晶圓加工設(shè)備比重為5%左右,對應(yīng)的全球市場規(guī)模25億美元左右,不過在該領(lǐng)域,國外廠商占據(jù)著大部分市場,主要是由美國廠商所壟斷,美國應(yīng)用材料公司和美國 Axcelis 這兩家公司占據(jù)全球共計(jì)70% 以上的市場份額。我國目前在離子注入機(jī)領(lǐng)域有所突破的是兩家企業(yè),一家是前面所提到的中國電子科技集團(tuán)下面的電科裝備集團(tuán),另外一家則是萬業(yè)集團(tuán)旗下的凱世通公司。

離子注入機(jī)行業(yè)存在較高競爭壁壘,行業(yè)集中度較高,整體而言整個市場主要由美國廠商壟斷,美國應(yīng)用材料公司和美國Axcelis公司合計(jì)占據(jù)全球70%以上的市場。分領(lǐng)域來看,半導(dǎo)體制造領(lǐng)域應(yīng)用材料、Axcelis和漢辰科技AIBT地位領(lǐng)先,太陽能電池生產(chǎn)領(lǐng)域主要為萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通、美國Inte-vac和日本真空技術(shù)三家,其中萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通競爭地位領(lǐng)先,AMOLED面板制造領(lǐng)域被日本日新壟斷。

早在2020630日的時(shí)候,中國電子科技集團(tuán)宣布,由該集團(tuán)旗下電科裝備自主研制的高能離子注入機(jī),成功實(shí)現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速,性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。

如今,中束流、大束流、高能、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等離子注入機(jī)全譜系產(chǎn)品國產(chǎn)化消息傳來,工藝段覆蓋至28nm,為我國芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈補(bǔ)上重要一環(huán),也為全球芯片制造企業(yè)在離子注入機(jī)領(lǐng)域提供了更多選擇。

但是,我們距世界頭部企業(yè)仍有一定的距離,離子注入機(jī)研發(fā)進(jìn)度仍待加快。此次中國電科攻克離子注入機(jī)全譜系產(chǎn)品國產(chǎn)化,將為我國芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈補(bǔ)上重要一環(huán),為全球芯片制造企業(yè)提供離子注入機(jī)一站式解決方案。


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