在“十四五”規(guī)劃等國(guó)家政策的推動(dòng)下，半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域正在快速成長(zhǎng)，其中，第三代半導(dǎo)體器件憑借較大的禁帶寬度、高導(dǎo)熱率、高電子飽和漂移速度、高擊穿電壓、優(yōu)良的物理和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，備受企業(yè)和資本市場(chǎng)的熱捧。

據(jù)了解，國(guó)星光電于2020年啟動(dòng)了組建功率器件實(shí)驗(yàn)室及功率器件產(chǎn)線的工作，開(kāi)始大力布局“三代半封測(cè)”領(lǐng)域。

近期，國(guó)星正式推出一系列第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品，其中，TO-220/TO247系列的SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入了試產(chǎn)階段，并且在樣品階段完成了AEC-Q101車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的摸底測(cè)試驗(yàn)證工作。TO-247-3L的性能達(dá)到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L達(dá)到1200V、13A、160mΩ。

與此同時(shí)，國(guó)星的三代半產(chǎn)品已送至第三方有資質(zhì)的機(jī)構(gòu)，正在依據(jù)AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有關(guān)車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行認(rèn)證測(cè)試。

目前，國(guó)星光電在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)形成了3大產(chǎn)品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模塊。

SiC功率器件：國(guó)星SiC功率器件小而輕便，反向恢復(fù)快、抗浪涌能力強(qiáng)、雪崩耐壓高，擁有優(yōu)越的性能與極高的工作效率。目前該領(lǐng)域已形成了2條SiC功率器件拳頭產(chǎn)品線：SiC-MOSFET、SiC-SBD；擁有4種封裝結(jié)構(gòu)（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可廣泛應(yīng)用于大功率電源、充電樁等工業(yè)領(lǐng)域。

GaN-DFN器件：國(guó)星GaN-DFN器件具有更高的臨界電場(chǎng)、出色導(dǎo)通電阻、更低的電容等優(yōu)勢(shì)，使其尤適用于功率半導(dǎo)體器件，降低節(jié)能和系統(tǒng)總成本的同時(shí)，工作頻率更高，具有極高的功率密度和系統(tǒng)效率，可極大地提升充電器、開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用的充電效率，廣泛應(yīng)用于新能源汽車充電、手機(jī)快充等。

功率模塊：國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體功率模塊，采用自主創(chuàng)新的架構(gòu)及雙面高效散熱設(shè)計(jì)，具有優(yōu)越的電性能和熱性能，雜散電感低、轉(zhuǎn)換效率高、輕載損耗小等優(yōu)勢(shì)，其功率密度大，產(chǎn)品體型小，可廣泛應(yīng)用于各種變頻器、逆變器的工業(yè)領(lǐng)域，滿足系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員對(duì)空間的嚴(yán)格要求。模塊產(chǎn)品可根據(jù)特殊功能需求進(jìn)行模塊化定制開(kāi)發(fā)。

展望2021年及未來(lái)，國(guó)星將把第三代半導(dǎo)體作為戰(zhàn)略發(fā)展新方向，不斷創(chuàng)造新的利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)，同時(shí)助力推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程。

來(lái)源：LEDinside

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