動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。

相對來說，靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單——每一個比特的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器(RAM)一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器(volatile memory)設備。

DRAM的電路線寬被業(yè)界認定是衡量半導體內存公司技術能力的重要指標，原因是DRAM的電路線寬越窄，功率效率就越高。涉及技術機密情況下，過去DRAM業(yè)界傳統(tǒng)就是不明確公開產品確切電路線寬。隨著DRAM制程技術2016年進入10納米級制程，DRAM制造商普遍共識避免過去參與相關技術與市場的惡性競爭。進入10納米級制程后，DRAM制造商要將電路線寬縮小1納米，就需2~3年研發(fā)時間，如此長時間與成本投入，也代表通過技術議題營銷的效果并不大。

基于以上因素，過去5~6年，全球DRAM制造商從未確實發(fā)布DRAM產品電路線寬數(shù)字。這也是DRAM產業(yè)普遍將2016年推出的10納米級制程歸類為第一代1x納米制程，將2018年推出的10納米級制程歸類為第二代1y納米制程，以及在同一年推出的10納米級制程歸類為第三代1z納米制程，之后于2021年初問世問世的第四代10納米級制程，稱為1a納米制程的原因。

與CPU等邏輯芯片直接使用準確的工藝不同，內存芯片在20nm之后就變得模糊了，廠商稱之為10nm級工藝，實際上會用1X、1Y、1Znm來替代。

1X、1Y、1Znm到底是什么工藝?三星、SK海力士及美光三大內存巨頭之前一直不肯明確，按照業(yè)界的分析，大體來說1Xnm工藝相當于16-19nm級別、1Ynm相當于14-16nm，1Znm工藝相當于12-14nm級別。

在1X、1Y、1Znm之后，還會有1αnm、1βnm、1γnm三種工藝，三星今年下半年量產1αnm工藝的內存。

值得一提的是，在最新的公告中，三星也首次明確了1αnm的具體水平，那就是14nm工藝，這還是三家廠商中首個改變內存工藝定義的。

至于三星為什么要打破常規(guī)，很有可能跟1αnm內存工藝進度落后有關，今年1月份美光就宣布量產1αnm工藝內存芯片了，三星晚了幾個月，現(xiàn)在透明化具體工藝，也有將美光一軍的意味，因為三星早前就懷疑美光的1αnm工藝并不是真正的1αnm，就看美光是否接招了。

此前，三星宣布成功出貨首批100萬個基于極紫外光刻(EVU)技術的10nm級(D1a)DRAM內存模塊。基于EUV的DRAM將供給高端PC、移動和企業(yè)服務器、數(shù)據(jù)中心應用。

三星預計明年開始批量生產基于EUV的DDR5和LPDDR5內存芯片。值得一提的是，應用EUV技術的第四代10nm工藝被稱為1a，這是在之前三代10nm級工藝用完了傳統(tǒng)x、y、z節(jié)點代號的情況下做出的決定。

根據(jù)三星給出的信息，第三代DDR4 DRAM也就是1z-nm級，相比此前的1y-nm在生產效率上有了20%的提升，更容易滿足市場對內存芯片的需求。并且工藝的進步也會帶來效能的提升，同樣的存儲體積下，1z-nm能實現(xiàn)更優(yōu)的耗電和執(zhí)行效率。

三星電子預計，采用1z-nm工藝制造的第三代8GB DDR4 DRAM芯片將從2019年下半年開始大規(guī)模生產，有望適用于未來2020年生產的下一代服務器和高端PC產品。

當前的內存芯片規(guī)格除了PC上主流的DDR4之外，還有DDR5、LPDDR5和GDDR6等等。三星認為在DDR4上成功使用的1z-nm工藝，為拓展到其他規(guī)格上打下了基礎，今后我們有望在更多的內存產品上見到1z-nm工藝的應用。

2021年DRAM將進入1α工藝DRAM技術節(jié)點，而EUV設備是未來DRAM技術發(fā)展的關鍵，因為與氟化氬(ArF)微影技術相比，EUV光源波長從 193nm 直接下降到了 13.5nm，光源的波長越短，在硅基板上雕出來的線寬就越細，有利于讓半導體的電路圖案越趨微細化，不僅能減少復雜的制造工序，同時提高半導體生產效率。

三星在2020年就首次導入了EUV設備量產16Gb LPDDR5，基于1Znm制程技術，更先進的技術相較于12Gb容量提升了33%，封裝的厚度也薄了30%。同時，三星也規(guī)劃將在2021年大量生產基于第四代10nm級(1α)EUV工藝的16Gb DDR5/LPDDR5。

三星電子已經明確表示會在今年下半年實現(xiàn)量產，成品的8GB DDR4模組也在驗證中，目標領域是下一代企業(yè)級服務器和2020年的高端PC產品。