近一段時間，芯片連續(xù)霸屏 A 股，不少目光更是聚焦在了第三代半導(dǎo)體身上。實際上，在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被納入 " 十四五 " 規(guī)劃后，半導(dǎo)體發(fā)展就成為今年的關(guān)鍵詞。一級市場上，創(chuàng)投機構(gòu)紛紛加碼。

信息通訊技術(shù)專家周太平對《科創(chuàng)板日報》記者表示，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的重要性不言而喻，它推動著社會從信息社會向智能社會發(fā)展。

" 國內(nèi)第三代半導(dǎo)體企業(yè)多為中小微企業(yè)，技術(shù)水平可能國際領(lǐng)先，市場前景不可估量，但是要想占據(jù)市場主導(dǎo)，特別是與國際巨頭企業(yè)競爭，還需政策和資本的保駕護(hù)航。" 周太平稱。

而在半導(dǎo)體領(lǐng)域火熱的背后，6 月 21 日，高瓴資本罕見路演。在路演中，高瓴資本認(rèn)為，集成電路、半導(dǎo)體是賽道最長、機會最多、對投資金額的要求可能也最高的賽道，具體可以分為車載半導(dǎo)體、高性能計算半導(dǎo)體和功率半導(dǎo)體三大方向。

" 在半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國公司未來有能力做成千億甚至萬億級獨角獸的機會。" 高瓴資本說到。據(jù)悉，此次高瓴發(fā)起科技賽道專項基金，主要投資半導(dǎo)體、前沿科技、新能源、智能硬件等領(lǐng)域。

半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅、鍺元素半導(dǎo)體材料。第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵、銻化銦。

第三代半導(dǎo)體，被業(yè)內(nèi)譽微電子產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”，主要包括目前即將成熟應(yīng)用的碳化硅、氮化鎵。

6月中旬，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(以下簡稱“聯(lián)盟”)在最新發(fā)布的《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告2020》(以下簡稱“報告”)中表示，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體在新能源汽車、5G、光伏發(fā)電、快充等領(lǐng)域不斷取得突破，2020年全球第三代半導(dǎo)體市場總體保持增長態(tài)勢。

據(jù)其統(tǒng)計，由于5G基站、新能源、快充市場發(fā)展等原因拉動，去年我國第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵電力電子和氮化鎵微波射頻市場總規(guī)模達(dá)到113億元，較2019年增長85%?！叭欢粩嘣鲩L的市場規(guī)模并未對國內(nèi)產(chǎn)業(yè)形成有效拉動，國內(nèi)企業(yè)規(guī)模仍然較小，在新能源汽車、5G基站等關(guān)鍵市場超過八成的國內(nèi)市場份額主要被國際大廠占有?！甭?lián)盟在報告中指出。有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上市公司相關(guān)人士亦向記者表示，“第三代半導(dǎo)體大家都在研發(fā)當(dāng)中，但是真正能夠大規(guī)模量產(chǎn)的并不多，目前大部分的量都是進(jìn)口國外的產(chǎn)品?！?

第一代半導(dǎo)體是以硅材料為主，廣泛應(yīng)用在手機、電腦等領(lǐng)域，比如電腦的和手機的處理器都采用這種硅基的半導(dǎo)體技術(shù)。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵、銻化銦為代表，主要是功率放大，用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、導(dǎo)航等領(lǐng)域。第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵、碳化硅為代表的化合物半導(dǎo)體，主要應(yīng)用于光電子、電力電子和微波射頻，比如手機快充、新能源車、軌道交通、5G基站、航空航天等等。

國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)華潤微(688396.SH)相關(guān)人士在接受記者采訪時表示，目前該公司也在布局第三代半導(dǎo)體，已經(jīng)推出了碳化硅二極管樣品。目前公司采用IDM的模式，也就是說在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上覆蓋了設(shè)計、制造、封測等多個環(huán)節(jié)。

目前，第三代半導(dǎo)體功率器件發(fā)展方向主要有碳化硅和氮化鎵兩大方向，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域有很大的應(yīng)用潛力。碳化硅擁有更高的熱導(dǎo)率和更成熟的技術(shù)，氮化鎵高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點，兩者的不同優(yōu)勢決定了應(yīng)用范圍上的差異。氮化鎵集中在600V以下領(lǐng)域，主要應(yīng)用于快充、電源開關(guān)、激光雷達(dá)、服務(wù)器電源等市場;碳化硅用于1200V以上領(lǐng)域，主要應(yīng)用于電動汽車、PFC電源、儲能、充電樁、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，它具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，應(yīng)用前景和市場潛力巨大。

我國第三代半導(dǎo)體已列入2030年國家新材料重大項目七大方向之一，正處于研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的關(guān)鍵期。

根據(jù)規(guī)劃，到2025年我國將力爭實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體技術(shù)在全球居于領(lǐng)先地位，產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)到全球第一;到2030年全產(chǎn)業(yè)鏈達(dá)到國際先進(jìn)水平，核心器件國產(chǎn)化率超過70%。

從以上可以看出，第三代半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)未來市場的主流，有點像3G、4G、5G的進(jìn)階。近期半導(dǎo)體板塊的表現(xiàn)也是異常凌厲，但是股價的快速上漲并非可持續(xù)的。

“第一代和第二代半導(dǎo)體，尤其是在芯片領(lǐng)域，我國整體相較技術(shù)領(lǐng)先國家落后至少二十年，但第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展，目前我國與國際巨頭公司差距可精確至5年左右。”宋杰認(rèn)為，近年來我國重視第三代半導(dǎo)體，加大相關(guān)研發(fā)投入，也是希望能借由這一路徑，盡快縮小與其他國家差距，實現(xiàn)換道超車。

第三代半導(dǎo)體材料主要有氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)等。宋杰博士介紹，氮化鎵領(lǐng)域目前以日本技術(shù)最為領(lǐng)先，而美國則在碳化硅方面發(fā)展得最好。

陳辰認(rèn)為：“日本一直有研發(fā)新材料的傳統(tǒng)，日本科學(xué)家也是氮化鎵這一材料的“鼻祖”。據(jù)了解，2014年的諾貝爾物理學(xué)獎，正是授予了發(fā)明出藍(lán)色發(fā)光二極管的日本名城大學(xué)教授赤崎勇、日本名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加利福尼亞大學(xué)圣巴巴拉分校教授中村修二這三位日本籍或日裔科學(xué)家。

國內(nèi)半導(dǎo)體的各大領(lǐng)域都有相應(yīng)的突破，可謂是越挫越勇。新的半導(dǎo)體市場格局也在逐漸成型。

很多企業(yè)正在改變思想觀念，從以前的“造不如買”到現(xiàn)在的“買不如造”，寧愿自己造也不希望過度從國外購買芯片。在力所能及的范圍內(nèi)，將實現(xiàn)自主可控的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢。

國產(chǎn)半導(dǎo)體“新格局”正在發(fā)生改變，在新的格局下，國內(nèi)半導(dǎo)體會有越來越多的企業(yè)參與其中，也會減少對海外市場的依賴。

其實我國是具備國際半導(dǎo)體市場競爭力的，設(shè)備、材料、技術(shù)等等都有相應(yīng)的發(fā)展部署，而且還在不斷取得突破進(jìn)步。與其讓國外企業(yè)賺中國市場的錢，不如自己多加努力，把控自己的市場，占據(jù)市場主動權(quán)。

好的一方面是，中芯國際已經(jīng)在持續(xù)投入產(chǎn)能開支，中芯紹興項目實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，今年也在28nm制程范圍內(nèi)提升產(chǎn)能。與此同時各大高校都在輸送源源不斷的人才隊伍，確保國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有足夠的人才資源保障。國產(chǎn)半導(dǎo)體有非常大的潛力，大部分的芯片消費市場都集中在中國，這促使許多海外的供應(yīng)商都向中國出售半導(dǎo)體設(shè)備。但是在美國的規(guī)則下，含有美國技術(shù)的供應(yīng)商產(chǎn)品，都無法順利出貨，必須獲得許可。