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[導(dǎo)讀]PI推出多款超小型20W-30W USB PD快充電源參考設(shè)計(jì)。

文章來(lái)源:充電頭網(wǎng)

近日,PI推出多款超小型20W-30W  USB PD快充電源參考設(shè)計(jì)。該參考設(shè)計(jì)內(nèi)置了PI高集成、高性能的InnoSwitch3-Pro芯片(含PowiGaN系列及硅管系列),AC-DC轉(zhuǎn)換效率比一般分立元件高出2-3%。值得一提的是,其中第⑤款已成為市面上極致小的尺寸20W PD快充方案之一。

PI推出多款30W USB PD快充參考設(shè)計(jì)

同時(shí),搭配英集芯協(xié)議IC來(lái)支持多種輸出電壓并擁有豐富的快充協(xié)議,兼顧了產(chǎn)品的性能和成本。為廣大電源廠商開(kāi)發(fā)小體積、高密度、高效率的30W快充產(chǎn)品提供了全新選擇。
PI推出多款30W USB PD快充參考設(shè)計(jì)

PI這套30W USB PD快充參考設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單,使用了兩塊PCB板垂直組合,內(nèi)部放入了變壓器、濾波電容、電感等部件,整體布局十分緊湊。
PI推出多款30W USB PD快充參考設(shè)計(jì)

PCB板外圍器件非常少。
PI推出多款30W USB PD快充參考設(shè)計(jì)

整個(gè)參考設(shè)計(jì)之所以能實(shí)現(xiàn)如此精簡(jiǎn)的外圍電路,主要?dú)w功于InnoSwitch3-Pro芯片的應(yīng)用。因?yàn)樵撔酒瑑?nèi)部集成了PWM主控芯片、650V功率器件、同步整流控制器等大部分主要功能,電源工程師在應(yīng)用過(guò)程中只需要搭配一些必要的被動(dòng)元器件和協(xié)議芯片,即可完成高性能快充產(chǎn)品的設(shè)計(jì),加速產(chǎn)品上市周期并節(jié)約開(kāi)發(fā)成本。
PI推出多款30W USB PD快充參考設(shè)計(jì)

InnoSwitch3-Pro系列芯片內(nèi)置SenseFET無(wú)損檢測(cè)電路,相比傳統(tǒng)分立器件的原邊檢測(cè)能夠降低損耗,提升效率。同時(shí)為了讓每個(gè)器件達(dá)到最佳的性能,該芯片還集成了FluxLink技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)初級(jí)和次級(jí)的實(shí)時(shí)通信。通過(guò)次級(jí)控制器控制原邊的開(kāi)關(guān),最大程度的控制同步整流MOS導(dǎo)通時(shí)間,實(shí)現(xiàn)最高效率。
PI推出多款30W USB PD快充參考設(shè)計(jì)

基于InnoSwitch3-Pro芯片的30W PD快充與市售傳統(tǒng)5W充電器以及傳統(tǒng)30W PD快充的體積對(duì)比,前者優(yōu)勢(shì)明顯,功率密度提升5倍左右。
PI推出多款30W USB PD快充參考設(shè)計(jì)

整個(gè)參考設(shè)計(jì)的側(cè)面面積僅與1元硬幣尺寸相當(dāng)。
PI推出多款30W USB PD快充參考設(shè)計(jì)

前這套30W PD快充參考設(shè)計(jì)選用了業(yè)界知名品牌英集芯的協(xié)議芯片IP2218。這顆芯片通過(guò)I2C總線調(diào)壓,可以搭配InnoSwitch3-Pro的數(shù)字接口進(jìn)行數(shù)字調(diào)壓,滿(mǎn)足USB PD3.0 PPS快充輸出。
PI推出多款30W USB PD快充參考設(shè)計(jì)

通過(guò)ChargerLAB POWER-Z KT002測(cè)試可以看到,該參考設(shè)計(jì)支持PD3.0、PPS、Apple2.4A、QC2.0、QC3.0、QC4 、AFC、FCP、SCP等多種快充協(xié)議。
PI推出多款30W USB PD快充參考設(shè)計(jì)

在PDO方面,顯示支持5V3A、9V3A、15V2A、20V1.5A四組電壓檔位,以及3.3-5.9V 3A,3.3-11V 2.25A和3.3-20V 1.5A三組PPS電壓檔位。

總結(jié)
通常情況下,為了達(dá)到減小充電器體積的目的,可以提高開(kāi)關(guān)頻率縮小變壓器的尺寸。不過(guò)開(kāi)關(guān)頻率的提升通常需要重新設(shè)計(jì)磁性元件,并且會(huì)出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)難調(diào)、EMI難調(diào)、電路布局不好處理等問(wèn)題。當(dāng)然,最終產(chǎn)品的成本也將隨之提升。在小體積的電源設(shè)計(jì)方案上,進(jìn)一步提升功率密度的決勝點(diǎn)不再是磁性元件的大小, 而是器件的布局,排放,甚至器件數(shù)都大大影響了最后設(shè)計(jì)的尺寸。
PI InnoSwitch3-Pro系列在解決上述矛盾時(shí)有著巨大優(yōu)勢(shì),對(duì)于小功率30W以?xún)?nèi)的小功率PD快充而言,可以選用內(nèi)置MOS芯片,兼顧性能和成本。而對(duì)于45W、65W、100W等中高功率的PD快充而言,PI也有內(nèi)置氮化鎵功率器件的PowiGaN芯片。

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