從當(dāng)下全球半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀來(lái)看，雖然說(shuō)全新芯片荒問(wèn)題的蔓延使得芯片產(chǎn)能成為所有半導(dǎo)體企業(yè)需要面臨的共同問(wèn)題，也成為半導(dǎo)體行業(yè)亟需解決的首要問(wèn)題。

但為了能夠在半導(dǎo)體行業(yè)保持領(lǐng)先地位，一眾半導(dǎo)體企業(yè)在解決芯片產(chǎn)能的同時(shí)，也在不斷發(fā)力研制更為先進(jìn)的芯片工藝制程。

芯片工藝制程的不斷微縮，令全球半導(dǎo)體領(lǐng)域即將面臨物理極限。

可即便如此，各大晶圓代工廠仍然不放棄任何延續(xù)摩爾定律的機(jī)會(huì)，因此臺(tái)積電和三星電子兩大專(zhuān)業(yè)晶圓代工巨頭全面展開(kāi)了對(duì)5nm以下高精度工藝的深入研發(fā)。

同時(shí)，兩大巨頭還在3nm工藝節(jié)點(diǎn)上展開(kāi)了激烈的競(jìng)爭(zhēng)，就目前的形勢(shì)來(lái)看，臺(tái)積電更勝一籌。

全球數(shù)字化的不斷加速，芯片幾乎成了一個(gè)大國(guó)發(fā)展的重要基石。雖然我國(guó)是芯片消耗大國(guó)，但是在芯片上游的制造環(huán)節(jié)，技術(shù)專(zhuān)利被美國(guó)所壟斷，同時(shí)也是我國(guó)長(zhǎng)期以來(lái)被卡脖子的典型。隨著中美科技競(jìng)爭(zhēng)的不斷升級(jí)，臺(tái)積電，三星、中芯國(guó)際這些芯片制造領(lǐng)域的企業(yè)成為了眾人熱議的話題。

在這些企業(yè)中，臺(tái)積電是全球芯片制造的領(lǐng)導(dǎo)者，不管是先進(jìn)制程、良品率還是產(chǎn)能，都是世界之最。近兩年與三星的競(jìng)爭(zhēng)，加上全球芯片緊缺的局面，讓臺(tái)積電開(kāi)始在全球瘋狂建廠，一方面是擴(kuò)大28nm、7nm、5nm這些成熟工藝芯片的生產(chǎn)比例;另一方面則是加速對(duì)先進(jìn)制程工藝的研發(fā)，旨在擴(kuò)大與三星等代工企業(yè)的優(yōu)勢(shì)。

據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電的研發(fā)進(jìn)程已經(jīng)到了2nm工藝，并且臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始安裝3nm制程芯片的光刻機(jī)等設(shè)備，臺(tái)積電負(fù)責(zé)人表示，預(yù)計(jì)3nm工藝芯片年底試產(chǎn)，明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)，不得不說(shuō)臺(tái)積電在先進(jìn)工藝方面進(jìn)步神速。

國(guó)芯片業(yè)巨頭英特爾CEO及該司技術(shù)部高管共同宣布該司接下來(lái)的計(jì)劃，基于EUV的3nm芯片設(shè)計(jì)了一套高能制造工藝轉(zhuǎn)化成簡(jiǎn)化制造工藝的技術(shù)，另外，該司還向3nm以下的高精芯片進(jìn)發(fā)，包括2nm和1.8nm工藝制程芯片，該司預(yù)計(jì)1.8nm工藝制程芯片將會(huì)在2025年投入生產(chǎn)，并在此后5年間面市。

若英特爾真的如愿在2025年投片生產(chǎn)1.8nm芯片，則有可能實(shí)現(xiàn)該司之前定下的目標(biāo)——在2025年之前芯片技術(shù)要趕上三星電子和臺(tái)積電。

要知道，作為全球芯片領(lǐng)跑者臺(tái)積電可不好追，該司目前芯片研發(fā)進(jìn)程已達(dá)到2nm工藝制程芯片，并且也著手準(zhǔn)備3nm工藝制程芯片的生產(chǎn)。臺(tái)積電的負(fù)責(zé)人表示，該司預(yù)計(jì)3nm芯片將于今年下半年開(kāi)始試產(chǎn)，并于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。

近兩年來(lái)，臺(tái)積電瘋狂興建新晶圓廠，目的就是為了能夠擴(kuò)大優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)研發(fā)、生產(chǎn)兩不誤。據(jù)悉，經(jīng)過(guò)臺(tái)積電9個(gè)月的努力，今年7月28日，該司終于取得了2nm芯片的建廠資格，相信不久后，2nm芯片將能如臺(tái)積電計(jì)劃的那樣，2023年進(jìn)行試產(chǎn)、2024年就能量產(chǎn)。

8月5日，英特爾發(fā)布消息：英特爾將之前10納米芯片的命名方式更改為「7」。同時(shí)，公司預(yù)計(jì)今年秋天推出將高功率以及低功耗相融合的“ Alder Lake 芯片”。

值得注意的是，英特爾透露公司將使用高能制造工藝簡(jiǎn)化芯片的制造流程，預(yù)計(jì)2025年攻克1.8nm芯片并開(kāi)始投入生產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品將于2025年-2030年面市。

臺(tái)積電方面此前也公開(kāi)表示即將試產(chǎn)3nm工藝芯片。

2021年國(guó)際固態(tài)電話會(huì)議專(zhuān)題演講中，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音表示：臺(tái)積電3nm芯片工藝制程芯片正穩(wěn)步進(jìn)行。按照計(jì)劃，臺(tái)積電3nm工藝制程芯片將于2021年下半年正式試生產(chǎn)，2022年下半年正式量產(chǎn)。

而從近日消息來(lái)看，臺(tái)積電位于南科的3nm工廠已經(jīng)開(kāi)始裝機(jī)作業(yè)，所以按照目前的發(fā)展趨勢(shì)，臺(tái)積電3nm芯片的進(jìn)程會(huì)有所加快。

值得一提的是，根據(jù)《日經(jīng)亞洲》此前的消息，英特爾與臺(tái)積電在3nm工藝上的合作，至少包括移動(dòng)平臺(tái)和服務(wù)器平臺(tái)處理器兩大項(xiàng)目。

而且，英特爾交付給臺(tái)積電的芯片訂單總量遠(yuǎn)超蘋(píng)果，故而這家美國(guó)芯片巨頭很有可能成為3nm時(shí)代臺(tái)積電的最大客戶。

反觀三星電子，目前還沒(méi)有關(guān)于公司獲得3nm芯片客戶的消息。由此可見(jiàn)，即便三星能夠順利量產(chǎn)3nm GAA芯片，在市場(chǎng)占有率上也絕對(duì)不占優(yōu)勢(shì)。

綜合來(lái)看，是否確認(rèn)臺(tái)積電將再一次統(tǒng)治新工藝時(shí)代。