存儲器相關問題匯總【SRAM】【DRAM】【SDRAM】【Flash】【EPROM】【EEPROM】
[導讀]1.（大疆2020芯片工程師A卷，單選）1個16Kx8位的存儲器，其地址線和數(shù)據(jù)線總和是（）A、46B、17C、48D、22答案：D解析：地址線：16K=1K*16=1024*16=(2^10)*(2^4)=2^14，即需要?14根地址線；數(shù)據(jù)線：8位數(shù)據(jù)需要8根數(shù)據(jù)線；所以一共...
1.（大疆2020芯片工程師A卷，單選）
1 個 16K x 8 位的存儲器，其地址線和數(shù)據(jù)線總和是（）A、46B、17C、48D、22答案：D解析：地址線：16K = 1K*16 = 1024*16 = (2^10)*(2^4) = 2^14，即需要?14 根地址線；數(shù)據(jù)線：8 位數(shù)據(jù)需要 8 根數(shù)據(jù)線；所以一共需要?22?根線。
2. （樂鑫2021數(shù)字IC提前批，填空）用2048x12的ROM芯片，最多能實現(xiàn)（）個輸入 （）個 輸出的組合邏輯的數(shù)。
答案：11，12
解析：2048=2^11，2048深度，是11位地址位，2048*12表示11位輸入地址、12位輸出數(shù)據(jù)（ROM只能輸出）。
3. （大疆2020芯片工程師A卷，多選）下面哪些是非易失性存儲器（）A、FlashB、EPROMC、DRAMD、SRAM答案：AB解析：（1）ROM（Read-Only Memory，只讀存儲器）只能讀出無法寫入信息。信息一旦寫入后就固定下來，即使切斷電源，信息也不會丟失，所以又稱為固定存儲器。ROM所存數(shù)據(jù)通常是裝入整機前寫入的，整機工作過程中只能讀出。可編程只讀存儲器（PROM）;可擦可編程序只讀存儲器（EPROM）;帶電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM，一般使用?IIC 接口讀寫）。
（2）RAM（Random Access Memory，隨機存取存儲器），而且速度很快，RAM在計算機和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結果，比如計算機的8G內(nèi)存，掉電丟失；（3）SRAM（Static Random-Access Memory，靜態(tài)隨機存取存儲器）是 RAM 的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以保持；（4）DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器），需要周期性地更新存儲數(shù)據(jù)，所以叫“動態(tài)”。-----------------------------------------------------------SRAM 和 DRAM 比較：SRAM 不需要動態(tài)刷新，速度快，性能高，但是功耗大、集成度低，同時體積也比 DRAM 大，由此 SRAM 的造價更高。-----------------------------------------------------------（5）SDRAM（Synchronous Dynamic Random-access Memory，同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存），是有同步接口（Synchronous）的 DRAM，系統(tǒng)讀寫能夠同步；第一代 SDRAM 是 SDR 單數(shù)據(jù)速率，其后第二代 DDR SDRAM、第三代 DDR2 SDRAM、第四代 DDR3 SDRAM、第五代 DDR4 SDRAM 均為雙倍速率的存儲器，一般簡稱 DDR。DDR：Double Data Rate。
（6）Flash 存儲器，又叫閃存，非易失性存儲器件。結合 RAM 和 ROM 的優(yōu)點，既能電可擦除，不掉電丟數(shù)據(jù)（ROM），又能快速讀寫數(shù)據(jù)（RAM），U盤大部分使用的是 Flash 技術，所以你知道了，不丟數(shù)據(jù)，可讀可寫，還挺快，但是還是不如 RAM 快。Flash 分 2 種：Nor Flash 和 Nand Flash。
????很多 FPGA 也是基于 SRAM 架構的，下載程序后運行，而斷電后再次上電，需要重新下載程序。由此引出所謂的“固化”，即將程序下載到 EEPROM、Flash 等非易失性器件中，每次上電后從 EEPROM 或者 Flash 中加載對 FPGA 的配置（bitstream），比如 Xilinx FPGA 常用 QSPI Flash、SD 卡等方式。
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1 個 16K x 8 位的存儲器，其地址線和數(shù)據(jù)線總和是（）A、46B、17C、48D、22答案：D解析：地址線：16K = 1K*16 = 1024*16 = (2^10)*(2^4) = 2^14，即需要?14 根地址線；數(shù)據(jù)線：8 位數(shù)據(jù)需要 8 根數(shù)據(jù)線；所以一共需要?22?根線。
2. （樂鑫2021數(shù)字IC提前批，填空）用2048x12的ROM芯片，最多能實現(xiàn)（）個輸入 （）個 輸出的組合邏輯的數(shù)。
答案：11，12
解析：2048=2^11，2048深度，是11位地址位，2048*12表示11位輸入地址、12位輸出數(shù)據(jù)（ROM只能輸出）。
3. （大疆2020芯片工程師A卷，多選）下面哪些是非易失性存儲器（）A、FlashB、EPROMC、DRAMD、SRAM答案：AB解析：（1）ROM（Read-Only Memory，只讀存儲器）只能讀出無法寫入信息。信息一旦寫入后就固定下來，即使切斷電源，信息也不會丟失，所以又稱為固定存儲器。ROM所存數(shù)據(jù)通常是裝入整機前寫入的，整機工作過程中只能讀出。可編程只讀存儲器（PROM）;可擦可編程序只讀存儲器（EPROM）;帶電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM，一般使用?IIC 接口讀寫）。
（2）RAM（Random Access Memory，隨機存取存儲器），而且速度很快，RAM在計算機和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結果，比如計算機的8G內(nèi)存，掉電丟失；（3）SRAM（Static Random-Access Memory，靜態(tài)隨機存取存儲器）是 RAM 的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以保持；（4）DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器），需要周期性地更新存儲數(shù)據(jù)，所以叫“動態(tài)”。-----------------------------------------------------------SRAM 和 DRAM 比較：SRAM 不需要動態(tài)刷新，速度快，性能高，但是功耗大、集成度低，同時體積也比 DRAM 大，由此 SRAM 的造價更高。-----------------------------------------------------------（5）SDRAM（Synchronous Dynamic Random-access Memory，同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存），是有同步接口（Synchronous）的 DRAM，系統(tǒng)讀寫能夠同步；第一代 SDRAM 是 SDR 單數(shù)據(jù)速率，其后第二代 DDR SDRAM、第三代 DDR2 SDRAM、第四代 DDR3 SDRAM、第五代 DDR4 SDRAM 均為雙倍速率的存儲器，一般簡稱 DDR。DDR：Double Data Rate。
（6）Flash 存儲器，又叫閃存，非易失性存儲器件。結合 RAM 和 ROM 的優(yōu)點，既能電可擦除，不掉電丟數(shù)據(jù)（ROM），又能快速讀寫數(shù)據(jù)（RAM），U盤大部分使用的是 Flash 技術，所以你知道了，不丟數(shù)據(jù)，可讀可寫，還挺快，但是還是不如 RAM 快。Flash 分 2 種：Nor Flash 和 Nand Flash。
| Nand Flash | 成本低，串行結構，讀寫慢，可靠性差 |
|---|---|
| Nor Flash | 與上面相反 |
????很多 FPGA 也是基于 SRAM 架構的，下載程序后運行，而斷電后再次上電，需要重新下載程序。由此引出所謂的“固化”，即將程序下載到 EEPROM、Flash 等非易失性器件中，每次上電后從 EEPROM 或者 Flash 中加載對 FPGA 的配置（bitstream），比如 Xilinx FPGA 常用 QSPI Flash、SD 卡等方式。
【往期精彩】聯(lián)發(fā)科數(shù)字IC簡答題（9）——異步復位同步釋放問題
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數(shù)字IC前端設計流程及工具【RTL設計 功能仿真】【綜合】【DFT】【形式驗證】【STA靜態(tài)時序分析】
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