3分鐘說(shuō)一說(shuō)手機(jī)VBUS?OVP電路
[導(dǎo)讀]大家好，我是記得誠(chéng)。手機(jī)VBUS電路上，一般會(huì)有OVP防護(hù)，今天簡(jiǎn)單聊一聊這個(gè)電路。OVP的全稱是OverVoltageProtection，意為過(guò)壓保護(hù)，在手機(jī)VBUS上加過(guò)壓保護(hù)電路，一般有如下幾個(gè)原因：1、手機(jī)充電，用一些非原裝劣質(zhì)的充電器，會(huì)導(dǎo)致VBUS輸出異常，異常的高...
大家好，我是記得誠(chéng)。
手機(jī)VBUS電路上，一般會(huì)有OVP防護(hù)，今天簡(jiǎn)單聊一聊這個(gè)電路。
OVP的全稱是Over Voltage Protection，意為過(guò)壓保護(hù)，在手機(jī)VBUS上加過(guò)壓保護(hù)電路，一般有如下幾個(gè)原因：
1、手機(jī)充電，用一些非原裝劣質(zhì)的充電器，會(huì)導(dǎo)致VBUS輸出異常，異常的高電壓會(huì)損壞手機(jī)內(nèi)部芯片。
2、在一些不發(fā)達(dá)國(guó)家，如東南亞，電網(wǎng)不穩(wěn)定，也會(huì)導(dǎo)致VBUS輸出異常。
3、作者之前做過(guò)車(chē)載電子，在一些大卡車(chē)，車(chē)載電平是24V的，點(diǎn)火狀態(tài)，最高電壓能到28.XV，此時(shí)在車(chē)上給手機(jī)充電時(shí)，也會(huì)有浪涌的風(fēng)險(xiǎn)。
?VBUS電路一般是TVS OVP結(jié)合防護(hù)，下圖是典型的應(yīng)用電路。
USB port的電壓通過(guò)R1和R2分壓，達(dá)到OVLO閾值時(shí)，OVP內(nèi)部的開(kāi)關(guān)會(huì)斷開(kāi)，避免高壓損壞后端負(fù)載，未達(dá)到閾值時(shí)，OVP內(nèi)部開(kāi)關(guān)正常導(dǎo)通，電路正常工作。
OVP芯片在選型時(shí)，有幾個(gè)參數(shù)需要注意：
1. TVS的鉗位電壓VCL要小于OVP的最大輸入電壓，這個(gè)TVS屬于一級(jí)防護(hù)，抗300V浪涌，OVP的最大輸入電壓其實(shí)指的是內(nèi)部NMOS的DS耐壓。
2. Cin的額定電壓需要注意，外部加TVS時(shí)，Cin的電壓應(yīng)大于TVS最大鉗位電壓，外部無(wú)TVS時(shí)，建議用50V的。
3. Cout的額定電壓需要大于OVP的閾值，如6.8V的閾值，電容電壓選10V及以上。
4. 帶ADJ的OVP，可以通過(guò)R1和R2來(lái)調(diào)節(jié)閾值電壓，和固定閾值電壓的OVP相比，缺點(diǎn)是增加了OVP的關(guān)斷時(shí)間。
5. OVP的關(guān)斷時(shí)間，80ns、100ns和120ns居多，這個(gè)時(shí)間越短越好，能夠及時(shí)的關(guān)斷殘壓。
6. 導(dǎo)通電阻Ron，內(nèi)部MOS的參數(shù)，因?yàn)楹蠖耸沁B接到充電電路，這個(gè)值越小越好，尤其是大電流充電。
7. Surge電壓，這個(gè)指OVP內(nèi)部TVS管防浪涌的電壓，一般在100V/120V，屬于二級(jí)防護(hù)。
OVP芯片內(nèi)部防浪涌TVS管
今天的分享到這里就結(jié)束了，希望對(duì)你有幫助，我們下一期見(jiàn)。
手機(jī)VBUS電路上，一般會(huì)有OVP防護(hù)，今天簡(jiǎn)單聊一聊這個(gè)電路。
OVP的全稱是Over Voltage Protection，意為過(guò)壓保護(hù)，在手機(jī)VBUS上加過(guò)壓保護(hù)電路，一般有如下幾個(gè)原因：
1、手機(jī)充電，用一些非原裝劣質(zhì)的充電器，會(huì)導(dǎo)致VBUS輸出異常，異常的高電壓會(huì)損壞手機(jī)內(nèi)部芯片。
2、在一些不發(fā)達(dá)國(guó)家，如東南亞，電網(wǎng)不穩(wěn)定，也會(huì)導(dǎo)致VBUS輸出異常。
3、作者之前做過(guò)車(chē)載電子，在一些大卡車(chē)，車(chē)載電平是24V的，點(diǎn)火狀態(tài)，最高電壓能到28.XV，此時(shí)在車(chē)上給手機(jī)充電時(shí)，也會(huì)有浪涌的風(fēng)險(xiǎn)。
?VBUS電路一般是TVS OVP結(jié)合防護(hù)，下圖是典型的應(yīng)用電路。
USB port的電壓通過(guò)R1和R2分壓，達(dá)到OVLO閾值時(shí)，OVP內(nèi)部的開(kāi)關(guān)會(huì)斷開(kāi)，避免高壓損壞后端負(fù)載，未達(dá)到閾值時(shí)，OVP內(nèi)部開(kāi)關(guān)正常導(dǎo)通，電路正常工作。
OVP芯片在選型時(shí)，有幾個(gè)參數(shù)需要注意：
1. TVS的鉗位電壓VCL要小于OVP的最大輸入電壓，這個(gè)TVS屬于一級(jí)防護(hù)，抗300V浪涌，OVP的最大輸入電壓其實(shí)指的是內(nèi)部NMOS的DS耐壓。
2. Cin的額定電壓需要注意，外部加TVS時(shí)，Cin的電壓應(yīng)大于TVS最大鉗位電壓，外部無(wú)TVS時(shí)，建議用50V的。
3. Cout的額定電壓需要大于OVP的閾值，如6.8V的閾值，電容電壓選10V及以上。
4. 帶ADJ的OVP，可以通過(guò)R1和R2來(lái)調(diào)節(jié)閾值電壓，和固定閾值電壓的OVP相比，缺點(diǎn)是增加了OVP的關(guān)斷時(shí)間。
5. OVP的關(guān)斷時(shí)間，80ns、100ns和120ns居多，這個(gè)時(shí)間越短越好，能夠及時(shí)的關(guān)斷殘壓。
6. 導(dǎo)通電阻Ron，內(nèi)部MOS的參數(shù)，因?yàn)楹蠖耸沁B接到充電電路，這個(gè)值越小越好，尤其是大電流充電。
7. Surge電壓，這個(gè)指OVP內(nèi)部TVS管防浪涌的電壓，一般在100V/120V，屬于二級(jí)防護(hù)。
OVP芯片內(nèi)部防浪涌TVS管
今天的分享到這里就結(jié)束了，希望對(duì)你有幫助，我們下一期見(jiàn)。
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