MP6919智能整流器將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認識和了解，詳細內(nèi)容如下。

一、MP6919智能整流器概述

整流器是把交流電轉(zhuǎn)換成直流電的裝置，可用于供電裝置及偵測無線電信號等。整流器可以由真空管，引燃管，固態(tài)矽半導體二極管，汞弧等制成。相反，一套把直流電轉(zhuǎn)換成交流電的裝置，則稱為“逆變器”。整流器是一個整流裝置，簡單的說就是將交流(AC)轉(zhuǎn)化為直流(DC)的裝置。它有兩個主要功能：第一，將交流電(AC)變成直流電(DC)，經(jīng)濾波后供給負載，或者供給逆變器;第二，給蓄電池提供充電電壓。因此，它同時又起到一個充電器的作用。下面，我們來看一款智能整流器產(chǎn)品。

MP6919 是一款用于反激變換器的快速關(guān)斷智能整流器，其內(nèi)部集成了 100V MOSFET。可提供比二極管整流器更高的效率和功率密度。它可將內(nèi)部開關(guān)管的正向電壓壓降調(diào)節(jié)至 40mV(1)，并在漏源電壓反向之前，將開關(guān)管關(guān)斷。

此器件可以自主生成電源電壓，無需輔助繞組，因此非常適用于低輸出電壓要求的充電器應(yīng)用或其他具有高端設(shè)置的適配器應(yīng)用。內(nèi)部振鈴檢測電路可以防止 MP6919 在斷續(xù)導通模式(DCM)式或準諧振工作期間發(fā)生誤導通。

二、MP6919智能整流器詳述

通過上面的介紹，想必大家對MP6919智能整流器大致內(nèi)容已有所了解。下面，我們來詳細看下MP6919智能整流器的一些特點。

1.VDD 生成

SENSE 是線性穩(wěn)壓器的輸入，其輸出為 VDD。 VDD 為 MP6919 供電，并在 VDD_REG(約

6.7V)。 當 SENSE 低于 4.7V 時，來自 SENSE 的 40mA 電流源為 VDD 充電。 當 SENSE 高于 4.7V 時，線性穩(wěn)壓器的最大充電電流被限制在 IVDD，以在 VDD 為外部電容器充電。

2.啟動和欠壓鎖定 (UVLO)

當 VDD 升至 4.2V 以上時，MP6919 退出欠壓鎖定 (UVLO) 并啟用。 一旦 VDD 降至 4.0V 以下，MP6919 進入睡眠模式，VGS 保持低電平。

3.開啟階段

當 VDS 降至約 2V 時，開啟定時器開始計時。如果 VDS 在壓擺率檢測時間(約 30ns)內(nèi)從 2V 達到 -80mV 的開啟閾值，則 MOSFET 在開啟延遲 tDON(大約 20ns)后開啟。如果定時器結(jié)束后 VDS 超過 -80mV，柵極電壓保持關(guān)閉。該開啟定時器可防止設(shè)備因 DCM 和準諧振操作的振鈴而錯誤開啟。

4.開啟消隱

控制電路包含消隱功能。 當 MOSFET 導通時，控制電路確保導通狀態(tài)持續(xù)一段特定的時間。開啟消隱時間為 tB-ON(約 1.2μs)，可防止因振鈴而意外關(guān)閉。如果 VDS 在導通消隱時間內(nèi)達到 1.8V，VGS 立即拉低。

5.傳導階段

當 VDS 上升到高于正向壓降 -VFWD (-40mV) 時，MP6919 根據(jù)開關(guān)電流的下降，降低柵極電壓電平以增大同步 MOSFET 的導通電阻。

使用這種控制方案，即使通過 MOSFET 的電流相當?shù)停琕DS 也會調(diào)整為大約 -VFWD。 當同步 MOSFET 關(guān)閉時，此功能將驅(qū)動器電壓保持在非常低的水平。 它還可以提高關(guān)斷速度，用于 CCM 操作。

6.關(guān)斷階段

當 VDS 上升以觸發(fā)關(guān)斷閾值(約 -3mV)時，柵極電壓在 tDOFF(約 25ns)的短暫關(guān)斷延遲后拉至零。

7.關(guān)閉消隱

當 VDS 達到關(guān)斷閾值 (-3mV) 時，柵極驅(qū)動器 (VGS) 拉至零后，應(yīng)用關(guān)斷消隱時間。在此過程中，柵極驅(qū)動器信號鎖存。 當 VDS 超過 VB-OFF(約 2V)時，關(guān)閉消隱被移除。

8.SENSE 上的外部電阻

過壓條件會損壞 MP6919，適當?shù)膽?yīng)用設(shè)計可保證安全操作，尤其是在高壓引腳上。

一種常見的過壓情況是當 SR MOSFET 的體二極管由于正向壓降超過 SENSE 引腳上的負額定值而導通時。 如果發(fā)生這種情況，建議在 SENSE 和 MOSFET 漏極之間放置一個外部電阻器。 推薦電阻約為 100Ω 至 300Ω。

不要使用太大的電阻器，因為它可能會影響 VDD 電源并減慢 VDS 檢測的壓擺率。 不建議使用大于 300Ω 的電阻。 應(yīng)根據(jù) VDD 電源和壓擺率選擇電阻器。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。最后的最后，祝大家有個精彩的一天。