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[導(dǎo)讀]簡(jiǎn)介:于三極管的電流增益在正向與反向(也就是將C,E對(duì)調(diào))的變化通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)量,觀察到其中的數(shù)據(jù)的分散。對(duì)于三極管的CB,EB的PN的反向擊穿電壓進(jìn)行測(cè)量,他們與電流增益之間的也是沒(méi)有明顯的相關(guān)關(guān)系。關(guān)鍵詞:hFE,BJT,PN結(jié),反向擊穿電壓,電流增益01BJT正反特性一、BJT...

簡(jiǎn) 介:三極管的電流增益在正向與反向(也就是將C,E對(duì)調(diào))的變化通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)量,觀察到其中的數(shù)據(jù)的分散。對(duì)于三極管的CB,EB的PN的反向擊穿電壓進(jìn)行測(cè)量,他們與電流增益之間的也是沒(méi)有明顯的相關(guān)關(guān)系。
關(guān)鍵詞: hFE,BJT,PN結(jié),反向擊穿電壓,電流增益


01 BJT正反特性

一、BJT正反對(duì)稱(chēng)嗎?從基本結(jié)構(gòu)上,雙極性三極管(Bipolar Junction Transistor),無(wú)論是NPN還是PNP型,關(guān)于基極(base)是對(duì)稱(chēng)。但如果將集電極(collector),發(fā)射極(emitter)進(jìn)行對(duì)換,三極管的特性參數(shù)會(huì)出現(xiàn)變化,最為突出的參數(shù)是:


  • 電流放大倍數(shù)hFE(β);通常情況下,正向的hFE比起反向(也就是將C,E對(duì)調(diào))要大;
  • 集電極反向擊穿電壓;通常情況下,集電極的反向電壓遠(yuǎn)大于發(fā)射極反向擊穿電壓;
上述不同主要來(lái)自于BJT三極管實(shí)際結(jié)構(gòu)以及制作C,E半導(dǎo)體的工藝不同。


▲ 圖1.1.1 BJT符號(hào)表示與實(shí)際工藝示意圖那么,有一個(gè)問(wèn)題:兩個(gè)方向的電流放大倍數(shù)的差異與反向擊穿電壓的差異有關(guān)系嗎?


如果回答這個(gè)問(wèn)題,只需要從半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論,推導(dǎo)出三極管決定hFE、PN反向擊穿電壓決定參數(shù)便可以得到答案。


當(dāng)然對(duì)于這個(gè)問(wèn)題,也可以從非專(zhuān)業(yè)角度,直接測(cè)試一批三極管的上述參數(shù),可以檢查它們之間是否具有相關(guān)聯(lián)性。


二、測(cè)量hFE方法

1、測(cè)量hFE

最簡(jiǎn)單測(cè)量BJT電流放大倍數(shù)就是使用帶有測(cè)量hFE功能的數(shù)字萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量。


根據(jù) How to Measure Gain (β) of a BJT 給出的測(cè)量BTJ電流增益電路圖,搭建測(cè)量電路圖。


(1)測(cè)量NPN型三極管hFE

下圖中參數(shù)設(shè)置:


▲ 圖1.2.1 用于測(cè)試的2N3904測(cè)試結(jié)果三極管的基極被運(yùn)放固定在GND。假設(shè)它的發(fā)射極的電壓為Vb,那么考慮第一個(gè)運(yùn)放,它的正,負(fù)輸入端都為Vb。根據(jù)R3=R5,所以它的輸出電壓與輸入滿(mǎn)足:


那么:



這樣可以計(jì)算出的大?。?span>



上式化簡(jiǎn)過(guò)程使用到



第二個(gè)運(yùn)放輸出:。綜上,可以獲得待測(cè)三極管的電流增益為:



(2)測(cè)量PNP型三極管hFE

測(cè)量PNP型BJT三極管的hFE,只要將上面的V 修改成負(fù)電壓就可以了。


2、搭建測(cè)試電路

(1)搭建測(cè)試電路

在面包板上搭建測(cè)量電路,其中的雙運(yùn)放使用 LM358[1] 構(gòu)成。電路的工作電壓為±9V。


▲ 圖1.2.2 在面包板上搭建的測(cè)量電路

(2)測(cè)試三極管

選擇一個(gè)NPN三極管2N3904進(jìn)行測(cè)試。使用 晶體管測(cè)試助手[2] 測(cè)量它的基本參數(shù)為。


▲ 圖1.2.3 用于測(cè)試的三極管基本參數(shù)

(3)測(cè)試數(shù)據(jù)

為了獲得與上述晶體管助手測(cè)量的結(jié)果可比性,選取,這樣三極管的


測(cè)量得到。可以計(jì)算出三極管的hFE參數(shù):



(4)測(cè)試三極管反向hFE

如果還是維持測(cè)量電路工作電壓為±9V,會(huì)出現(xiàn)Vb電壓為負(fù)值,考慮到這種情況是三極管2N3904在方向后,也就是將C,E對(duì)調(diào),B-E PN結(jié)反向擊穿,造成的結(jié)果,將LM358的工作電壓降低到±6V,這種現(xiàn)象笑出了。


●  測(cè)試條件:
Va:0.2V
Vb:2.942


根據(jù)上述條件計(jì)算出2N3904的反向電流放大倍數(shù):



通過(guò)上述測(cè)量結(jié)果,可以看到,對(duì)于2N3904正向與反向的電流增益相差:倍。


三、測(cè)量反向擊穿電壓

1、測(cè)量方法

測(cè)量三極管的PN結(jié)反向擊穿電壓使用 希瑪 AR907C絕緣電阻測(cè)試儀基本實(shí)驗(yàn)[3] 的高壓測(cè)量特性來(lái)測(cè)量。


▲ 圖1.3.1  利用AR907C 數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量器件的擊穿電壓

2、測(cè)量結(jié)果

利用上面測(cè)量方法,測(cè)量2N3904的PN結(jié)反向擊穿電壓。


●  PN結(jié)反向擊穿電壓:
E-B PN結(jié):9.84V
C-B PN結(jié):108.7V


通過(guò)上述測(cè)量結(jié)果來(lái)看,2N3904 的EB,CB的PN結(jié)反向擊穿電壓相差倍左右。


初步來(lái)看,一個(gè)三極管的正向,反向的電流增益相差結(jié)果與CB,EB PN結(jié)反向擊穿電壓之間并沒(méi)有數(shù)值上的直接關(guān)系。不過(guò)可以通過(guò)若干種不同的三極管上述數(shù)值關(guān)系來(lái)測(cè)量其中存在的關(guān)系。


02 測(cè)試數(shù)據(jù)

一、測(cè)試一組BJT數(shù)據(jù)

選擇手邊的24鐘三級(jí)豐潤(rùn)樣品,分別測(cè)試它們對(duì)應(yīng)的正向與反向的電流增益,CB-EB的PN結(jié)反向擊穿電壓。


▲ 圖2.1.1 用于實(shí)驗(yàn)的三極管

1、測(cè)試方法

通過(guò)以下步驟對(duì)于每個(gè)三極管進(jìn)行測(cè)試。


  • 使用晶體管特性模塊測(cè)量三極管的管腳分布以及電流增益;
  • 使用上面搭建面包板上的三極管測(cè)量電路elder三極管的正向與反向電流增益;
  • 使用絕緣電阻測(cè)試表測(cè)量三極管的CB,EB反向擊穿電壓數(shù)值;
然后對(duì)于結(jié)果在進(jìn)行分析。


2、測(cè)量結(jié)果

晶體管
型號(hào)
電流
增益
管腳
分布
正向
電流增益
反向
電流增益
EB擊
穿電壓
CB擊
穿電壓
9012 57 PNP-ebc 406 23.98 11.03 70.4
9013 266 PNP-ebc 266 162 9.05 112.1
9014 366 NPN-ebc 394 7.45 9.84 186.1
9015 355 PNP-ebc 378 16.83 11.58 104.9
8050 256 NPN-ebc 260 51.5 9.03 126.6
8550 342 PNP-ebc 387 81 11.66 67.1
2222 254 NPN-ebc 233 33.47 8.17 151.2
3904 190 NPN-ebc 195 5.25 10.72 155.8
3906 192 PNP-ebc 181 8.5 11.13 100.0
A1015 369 PNP-ecb 407.5 16.1 11.53 108.4
C1815 375 NPN-ecb 383 6.81 9.81 192.1
C945 365 NPN-ecb 374 6.8 9.88 182.2
5401 181 PNP-ebc 186 3.62 10.96 214.2
5551 161 NPN-ebc 164 3.23 9.75 374.2
BC327 316 PNP-cbe 340 50.5 11.1 74.1
BC337 207 NPN-cbe 210 52.4 8.01 125.7
BC517 29.8k NPN-cbe

17.71 155.1
BC547 315 NPN-cbe 324 6.13 11.05 165.5
BC548 380 NPN-cbe 383 11.2 8.52 134.1
BC549 360 NPN-cbe 335 5.84 10.93 173.9
BC550 376 NPN-cbe 348 7.2 11.01 157.2
BC556 370 PNP-cbe 409 17 11.02 99.1
BC557 323 PNP-cbe 334 8.63 9.37 113.2
BC558 427 PNP-cbe 348 6.32 8.39 76.7
自己觀察上面表格測(cè)量的數(shù)據(jù),可以看到三極管的hFE的正向與反向的變化并沒(méi)有太大的規(guī)律。而對(duì)應(yīng)的CB,EB的PN的反向擊穿電壓則大體處在相同的數(shù)值。


二、測(cè)量Ie與hFE關(guān)系

在 三極管hFE參數(shù)隨著Ic,Vc的變化情況[4] 測(cè)試了BJT的hFE隨著Ic之間的關(guān)系。下面對(duì)于前面測(cè)量的三極管測(cè)量不同Ie下對(duì)應(yīng)的hFE。


1、測(cè)量9013

使用DP1038數(shù)控DC電源設(shè)置Va,測(cè)量不同設(shè)置電壓下對(duì)應(yīng)的hFE。


下面是第一次測(cè)量,看到對(duì)于電流非常小的情況下,對(duì)應(yīng)的hFE非常大,這一點(diǎn)與常見(jiàn)到的BJT在小電流下對(duì)應(yīng)的hFE較小矛盾,所以猜測(cè)這是由于電路的零偏造成的誤差。


▲ 圖2.2.1 測(cè)量9013不同的Ie下對(duì)應(yīng)的hFE下圖顯示了設(shè)置電壓從0.5 變化到10V對(duì)應(yīng)的hFE的情況。對(duì)于電壓超過(guò)7V左右,hFE呈現(xiàn)線性上升,這一點(diǎn)可有是由于LM358工作電壓在±9V所引起的輸出飽和引起的。


▲ 圖2.2.2 測(cè)量9013不同的Ie下對(duì)應(yīng)的hFE下面將LM358的工作電壓修改到±12V,重新測(cè)量輸入電壓在1 ~ 10V的對(duì)應(yīng)的測(cè)量結(jié)果。


▲ 圖2.2.3 測(cè)量9013不同的Ie下對(duì)應(yīng)的hFE

2、測(cè)量8050

▲ 圖2.2.4 對(duì)于不同的Ie下晶體管hFE的數(shù)值

3、測(cè)量2222

▲ 圖2.2.5 對(duì)于不同Ie晶體管的hFE

4、測(cè)量BC549

▲ 圖2.2.6 不同Ie下晶體管hFE

測(cè)量總結(jié) ※

關(guān)于三極管的電流增益在正向與反向(也就是將C,E對(duì)調(diào))的變化通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)量,觀察到其中的數(shù)據(jù)的分散。對(duì)于三極管的CB,EB的PN的反向擊穿電壓進(jìn)行測(cè)量,他們與電流增益之間的也是沒(méi)有明顯的相關(guān)關(guān)系。






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