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[導讀]需要可靠性評估需要基礎(chǔ)知識：電源就像是一個源頭的河水，有很多路路上有很多閘?關(guān)鍵元器件工作條件、典型應用、典型拓撲的工作原理及控制方式優(yōu)缺點、保護電路的工作原理、RCD、RC時間常數(shù)一、元器件：瞬時極限值（測試方法、評判標準、關(guān)鍵參數(shù)超標原因及改善措施、失效模式、案列分享）MOS...

需要可靠性評估需要基礎(chǔ)知識：

電源就像是一個源頭的河水，有很多路路上有很多閘

關(guān)鍵元器件工作條件、典型應用、典型拓撲的工作原理及控制方式優(yōu)缺點、保護電路的工作原理、RCD、RC時間常數(shù)

一、元器件：

瞬時極限值（測試方法、評判標準、關(guān)鍵參數(shù) 超標原因及改善措施、失效模式、案列分享）

MOS：（改變其柵極驅(qū)動電阻看MOS管Vds、Ids、。研究多個電路MOS管的導通過程[感性負載、阻性負載]、多種損耗分析、失效模式、MOS管一些極限參數(shù)及評判方法、熱阻的概念。典型包括boost、LLC電路的驅(qū)動Vgs、當MOS管驅(qū)動電壓較低是否可以考慮降低驅(qū)動電阻提高Cgd的放電速度。

MOS管開關(guān)過程

首先聲明一點研究MOS管開關(guān)過程脫離相應的電路是沒有實際意義的。另外MOS管開關(guān)電源里面都研究其作為開關(guān)器件使用。

MOS管的導通過程：驅(qū)動源對MOS管充電，當電壓達到,MOS管開始導通，電流開始緩慢上升，當電流達到最大負載電流時，電壓開始降低，漏極電壓下降，那么驅(qū)動源電荷開始對（米勒電容）充電，進入米勒平臺，電壓不會上升，直到電壓降低到不能再降低=時，米勒平臺結(jié)束。MOS管基本上完全導通，此后驅(qū)動源電荷繼續(xù)對充電，使之達到與驅(qū)動源電壓相等的電壓。

怎么來避免這種電流尖刺的產(chǎn)生呢？

漏極加磁阻，吸收掉阻值電流瞬時突變，使電流尖峰減小，但是同樣有存在缺點MOS管關(guān)斷時會產(chǎn)生電壓尖峰。

前沿消隱：

一般開關(guān)MOS管源極都會有下地電阻檢測流過MOS管的電流，但是導通瞬間電流尖刺是不希望被檢測到的，同時這種電流尖刺不加抑制的話還會影響內(nèi)部檢測，通常下地電阻到IC檢測引腳之間會連個RC，通過設(shè)置RC常數(shù)來吸收電流尖刺。這就是前沿消隱的必要性。

二極管：

1、二極管的VF

為什么二極管一定需要0.7V或者0.3V才能導通呢？

首先要理解二極管的導通過程，因為這個過程對理解二極管的電容效應更加容易。

二極管（研究二極管與線路電感量的關(guān)系、實際測量其波形、二極管的從導通到截止經(jīng)歷幾個過程，這些過程受哪些因數(shù)影響【內(nèi)部的trr和外界的】、反向恢復時間還受電流峰值影響）

三極管（三極管設(shè)置其電阻，看多大的驅(qū)動電流可以飽和導通、以及受地線的干擾試驗）、

1、三種狀態(tài)截止、飽和、放大的理解

2、截止失真，重點講條件、飽和失真、串穩(wěn)電路、線性穩(wěn)壓器。

3、三極管防干擾，注意正?？刂齐娐泛捅Ｗo電路

電容（紋波電流跟溫度、頻率校正關(guān)系）

電容充電瞬間電流峰值大?。浩鋬啥说碾妷汉腿葜店P(guān)系

穩(wěn)壓管(穩(wěn)壓管的典型電路及穩(wěn)壓原理)

變壓器、

電感:

伏秒平衡、電弧產(chǎn)生原理（光能、熱能）

電感電流流上升斜率計算公式（有電阻、無電阻）

電感的設(shè)計、紋波電流系數(shù)、電感規(guī)格

磁珠：低頻時相當于短路，高頻時會阻止電流變化，高頻的電流會全部流過其電阻，具有很好的高頻濾波特性。

芯片的前沿消隱時間

三端穩(wěn)壓管431與光耦組成的反饋環(huán)路、鑒幅電路

光耦---發(fā)光二級管反壓大約5V、也有放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)、CTR

溫度對元器件的影響：高溫、低溫，以及相關(guān)特性曲線

電源控制器

一、保護功能

過壓、過流、短路保護

二、環(huán)路及地線

環(huán)路為什么形成正反饋或自激：我們知道環(huán)路要穩(wěn)定，一般要實行負反饋控制。像boost電路，LED-端檢測通過檢測電阻上的電壓實現(xiàn)檢測電流的大小，但是不能直接將這個檢測電壓反饋回主IC，因為環(huán)路中會存在很多高頻的干擾，而這些高頻的干擾是沒有用的，我們一般要將這些高頻干擾濾除掉。濾掉這些高頻干擾需要在檢測前加個RC吸收電路。

如下圖紅圈

但是加的這個RC電路時間常數(shù)不能太大，也不能太小

1、太小的話某些高頻干擾可能不能濾掉。

2、太大的話可能會造成自激也就是正反饋，當此RC濾波的頻率低于MOS管的開關(guān)頻率時就會形成正反饋，即當上一個周期的采樣的信號是讓MOS管增大占空比，此時LED 快速升到我們想要的電壓，但是由于RC充放電速度太慢導致采樣的信號還停留在電壓不足的過程，所以還會繼續(xù)讓LED 端升壓。

影響環(huán)路的因數(shù)：電容、電感、MOS管的開關(guān)速度。

三、典型電路

1、BOOST電路升壓二極管反向恢復損耗問題：①引起MOS管開機瞬間有電流過沖、②二極管在CCM、BCM、DCM中反向恢復損耗。

2、LLC模塊電路總結(jié)：

①兩個諧振頻率當開關(guān)頻率時，諧振腔呈感性利于MOS管實現(xiàn)ZVS，

是次級整流管不能實現(xiàn)ZCS，會造成整流管引起反向恢復損耗問題而溫升偏高，不過現(xiàn)在大多數(shù)整流管都使用的是肖特基二極管，大大降低二極管損耗。

本文整理自百度文庫《電源可靠性評估》

https://wenku.baidu.com/view/60515b9d6c175f0e7dd1376c.html

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