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[導(dǎo)讀]現(xiàn)在,許多電腦主流使用著DDR4內(nèi)存,DDR5即將正式到來。最近,AMD、Intel在發(fā)布新品時,都已開始支持DDR5。作為下一代存儲技術(shù),它究竟有何奧妙?去年7月,電子器件工程聯(lián)合會(JEDEC)終于正式發(fā)布了下一代主流存儲器(DDR5SDRAM)最終規(guī)范。自90年代末以來,雙...

現(xiàn)在,許多電腦主流使用著DDR4內(nèi)存,DDR5即將正式到來。最近,AMD、Intel在發(fā)布新品時,都已開始支持DDR5。作為下一代存儲技術(shù),它究竟有何奧妙?


去年7月,電子器件工程聯(lián)合會(JEDEC)終于正式發(fā)布了下一代主流存儲器(DDR5 SDRAM)最終規(guī)范。自90年代末以來,雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)存儲器技術(shù)已經(jīng)歷多次迭代,并且推動了 PC、服務(wù)器等生態(tài)的快速發(fā)展。


據(jù)悉,JEDEC最初于2018年提出DDR5內(nèi)存規(guī)范,時隔兩年,正式版本雖然來得有些晚,但并沒有降低新一代存儲器標(biāo)準(zhǔn)的重要性。


值得一提的是,DDR5再次將重點(diǎn)放在了DRAM存儲的密度和速率上。JEDEC將兩者都提升了一倍,最大內(nèi)存速率也設(shè)置到了6.4Gbps起步、單條 LRDIMM容量有望達(dá)到2TB 。



與 DDR4 內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)已支持單顆64Gbit的DRAM存儲芯片,是 DDR4最大允許容量(16Gbit)的四倍。
結(jié)合管芯堆疊工藝,還可將多達(dá)8組管芯塞入單個芯片,那樣40個單元的 LRDIMM 即可達(dá)2TB的有效存儲容量。至于不那么起眼的無緩沖DIMM,典型雙面配置亦可達(dá)成128GB的單條內(nèi)存容量。

下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,實(shí)際上,早在2020年1月美光科技(Micron)就宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。
與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低,起步頻率至少4800MHz,最高6400MHz。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝,大概是12-14nm節(jié)點(diǎn)之間,ECC DIMM規(guī)格,頻率DDR5-4800,比現(xiàn)在的DDR4-3200內(nèi)存性能提升了85%左右,不過距離DDR5-6400還有點(diǎn)距離,后期還有挖掘的空間。?

根據(jù)美光科技介紹,DDR5是目前技術(shù)最先進(jìn)的DRAM,以4800 MT/s 的引入數(shù)據(jù)速率將內(nèi)存性能提高85%以上,從而支持下一代服務(wù)器工作負(fù)載。與DDR4相比,DDR5將提供兩倍以上的有效帶寬,有助于緩解每個核心的帶寬緊縮,進(jìn)一步推動CPU內(nèi)核數(shù)量的增加,使計算能力逐年提高。

對DDR5內(nèi)存來說,平臺的支持是最大的問題,不過從目前各大公司公布的產(chǎn)品來看,大部分新產(chǎn)品都已正式支持DDR5內(nèi)存的平臺。
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