在這篇文章中，小編將對(duì)MPS的MP6501A步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。

MP6501A 是一款內(nèi)置微步進(jìn)轉(zhuǎn)換控制器的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。其工作電壓高達(dá) 35V，能傳輸高達(dá) 2.5A 的驅(qū)動(dòng)電流。MP6501A 能以整步、半步、1/4 步或 1/8 步模式驅(qū)動(dòng)雙極性步進(jìn)電機(jī)。集成安全保護(hù)功能包括過(guò)流保護(hù)、輸入過(guò)壓保護(hù)、欠壓鎖定保護(hù)(UVLO)和過(guò)溫關(guān)斷保護(hù)。該器件具有 3.3V 固定參考輸出電壓，無(wú)需任何控制電源即可工作且支持任何微控制器。開關(guān)管的導(dǎo)通阻抗低至 230m?。通過(guò)外部電阻可以完成電流采樣。MP6501A 采用節(jié)省空間并帶散熱焊盤的 TSSOP-28 封裝。

MP6501A 是一款雙極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，它集成了 8 個(gè) N 溝道功率 MOSFET，排列為 2 個(gè)全橋，在 8V 至 35V 的寬輸入電壓范圍內(nèi)具有 2.5A 的電流能力。 它旨在以全步、半步、四分之一和八分之一步模式運(yùn)行雙極步進(jìn)電機(jī)。 兩個(gè)輸出全橋中的電流均通過(guò)可編程恒定關(guān)斷時(shí)間 PWM(脈沖寬度調(diào)制)控制電路進(jìn)行調(diào)節(jié)。 在每個(gè)步驟中，每個(gè)全橋的電流由其外部電流檢測(cè)電阻器的值、參考電壓 (VREF) 和其 DAC 的輸出電壓設(shè)置，該輸出電壓由轉(zhuǎn)換器的輸出控制。

電機(jī)通過(guò)向 STEP 引腳施加一系列脈沖來(lái)逐步移動(dòng)。 STEP 輸入的上升沿使轉(zhuǎn)換器在 DIR 輸入電平設(shè)置的方向上增加一個(gè)增量。轉(zhuǎn)換器控制 DAC 的輸入和每個(gè)繞組中的電流方向。 增量的幅度由輸入 MS1、MS2 和 MS3 的狀態(tài)決定。

STEP 輸入的最小高/低脈沖寬度為 1us。 邏輯控制信號(hào) MSx 和 DIR 需要至少 200ns 的建立時(shí)間和保持時(shí)間到 STEP 上升沿。

電機(jī)繞組電流由可編程恒定關(guān)斷時(shí)間 PWM 電流控制電路調(diào)節(jié)。這操作如下：

·最初，一對(duì)對(duì)角線的 MOSFET 導(dǎo)通，因此電流可以流過(guò)電機(jī)繞組。

·電機(jī)繞組中的電流增加，由外部檢測(cè)電阻 (RSENSE) 檢測(cè)。在初始消隱時(shí)間 tBLANK 期間，無(wú)論電流限制檢測(cè)如何，高側(cè) MOSFET 始終導(dǎo)通。

·當(dāng) RSENSE 兩端的電壓達(dá)到電流調(diào)節(jié)閾值時(shí)，內(nèi)部電流比較器要么關(guān)閉高側(cè) MOSFET，使繞組電感電流續(xù)流通過(guò)兩個(gè)低側(cè) MOSFET(緩慢衰減)，要么打開對(duì)角線對(duì) MOSFET 使電流流回輸入(快速衰變)。

·在恒定的關(guān)斷時(shí)間內(nèi)，電流不斷減小。

·然后循環(huán)重復(fù)。

在消隱時(shí)間方面，由于體二極管的反向恢復(fù)電流或分布電感或電容，開關(guān)轉(zhuǎn)換期間通常會(huì)出現(xiàn)電流尖峰。這個(gè)電流尖峰需要過(guò)濾以防止它錯(cuò)誤地關(guān)閉高端 MOSFET。 當(dāng)輸出切換時(shí)，內(nèi)部固定消隱時(shí)間 tBLANK 會(huì)消隱電流檢測(cè)比較器的輸出，這也是高端 MOSFET 的最短導(dǎo)通時(shí)間。在自動(dòng)衰減模式下，如果在消隱時(shí)間內(nèi)達(dá)到電流限制，則在消隱時(shí)間后進(jìn)行30%快速衰減率的混合衰減。

考慮電荷泵，MP6501A 集成了一個(gè)內(nèi)部電荷泵，可為高端 MOSFET 生成柵極驅(qū)動(dòng)電壓。 電荷泵需要在 CPA 和 CPB 引腳之間連接一個(gè) 100nF 陶瓷電容器(額定值至少為施加到 VIN 的電壓)，并在 VCP 和 VIN 之間連接一個(gè) 1uF 16V 陶瓷電容器。

在過(guò)流保護(hù)方面，過(guò)流保護(hù)電路通過(guò)禁用柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)限制通過(guò) FET 的電流。 如果達(dá)到過(guò)流限制閾值并且持續(xù)時(shí)間超過(guò)過(guò)流去毛刺時(shí)間，則 Hbridge 中的所有 MOSFET 將被禁用并且 nFAULT 引腳將被驅(qū)動(dòng)為低電平。 驅(qū)動(dòng)程序?qū)⒈３纸脿顟B(tài)，并在 5ms(典型值)后重置為啟用狀態(tài)。 5 次自動(dòng)恢復(fù)后，如果過(guò)流情況仍然存在，芯片將關(guān)閉。高端和低端器件的過(guò)流情況; 即，接地短路、電源短路或電機(jī)繞組短路都會(huì)導(dǎo)致過(guò)電流關(guān)斷。請(qǐng)注意，過(guò)流保護(hù)不使用用于 PWM 電流控制的電流檢測(cè)電路，并且與檢測(cè)電阻值或 VREF 電壓無(wú)關(guān)。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的內(nèi)容，如果你對(duì)本文內(nèi)容感到滿意，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!