（全球TMT2021年11月22日訊）11月19日，集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟與科百特聯(lián)合舉辦的2021集成電路超凈工藝技術(shù)Workshop在杭州蕭山區(qū)舉行。會(huì)議采用了線上線下同時(shí)進(jìn)行的形式，來(lái)自集成電路制造、硅材料、工藝化學(xué)品、光刻膠、CMP材料等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的高層、技術(shù)人員及研究院所的學(xué)者共計(jì)約80余人參加了此次會(huì)議，共同探討新技術(shù)要求下的潔凈控制。

在Workshop期間，安集微電子科技（上海）股份有限公司（簡(jiǎn)稱“安集科技”）產(chǎn)品應(yīng)用副總監(jiān)王勝利應(yīng)邀發(fā)表題為《先進(jìn)制程刻蝕后清洗技術(shù)》演講報(bào)告。在演講中，王勝利主要分享了邏輯器件先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的后段干法刻蝕殘留物的清洗工藝技術(shù)、特別分享了有氮化鈦硬掩膜的濕法去除要求的清洗技術(shù)指標(biāo)和實(shí)際數(shù)據(jù)。在下一世代的半導(dǎo)體工藝技術(shù)的展望中，王勝利探討了半導(dǎo)體工藝中新材料和新架構(gòu)對(duì)功能性型化學(xué)品提出的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在邏輯器件5nm以后世代中GAA 結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)，Ru及Air Gap的引入；在3D NAND器件中，更高層數(shù)的堆疊帶來(lái)的極高深寬比和Molly的引入， 以及在D1Z世代的DRAM中，Low K材料以及新的電容材料的引入，帶來(lái)了很多新的并且很有挑戰(zhàn)性的功能性化學(xué)品機(jī)會(huì)，并展示了安集科技對(duì)于這些新的應(yīng)用的理解和研發(fā)布局。