研究團隊提出了一種全新的“離域電解液”設計理念，其核心思路是通過引入多樣化的電解液微環(huán)境，增加溶劑化環(huán)境的無序性，優(yōu)化整體電解液性能。
隨著新能源汽車向800V電氣架構的快速轉型，以及碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體技術的普及，柵極驅動的性能需求被推向了新的高度。
就在所有人將目光聚焦于云端 AI 軍備競賽時，一場決定中國智能未來的關鍵戰(zhàn)役，正在我們觸手可及的邊緣地帶悄然打響。你的手機、家里的攝像頭 、工廠的機器人 、街上的自動駕駛汽車 —— 這些設備的 “大腦” 正成為科技巨頭們爭奪的新焦點。沒有龐大的數(shù)據中心支持，它們必須在最后一厘米的距離上，獨自完成感知、決策和學習的全過程。
在芯片制造這一精密復雜的領域中，電子氣體雖看似低調，卻如同人體的血液一般，發(fā)揮著不可或缺的關鍵作用。它貫穿于光刻、刻蝕、摻雜、CVD(化學氣相沉積)、擴散等眾多核心工藝環(huán)節(jié)，是半導體產業(yè)得以穩(wěn)健發(fā)展的重要支撐。隨著芯片制造技術朝著更先進的制程節(jié)點不斷邁進，如 2nm 制程的探索，電子氣體的純度、穩(wěn)定性以及供應安全性，已逐漸成為決定芯片良率與成本控制的核心要素。
LED是一種能發(fā)光的半導體電子元件，這種電子元件早期只能發(fā)出低光度的紅光，隨著技術的不斷進步，現(xiàn)在已發(fā)展到能發(fā)出可見光、紅外線及紫外線的程度，光度也有了很大的提高。
高級駕駛輔助系統(tǒng)(Advanced Driving Assistance System)是利用安裝在車上的各式各樣傳感器(毫米波雷達、激光雷達、單\雙目攝像頭以及衛(wèi)星導航)。
示波器的存儲深度是指示波器單次觸發(fā)所能采集和存儲的采樣點數(shù)量，決定了儀器能夠捕獲和分析信號的時間長度和細節(jié)。
電容的旁路作用原理基于其容抗頻率特性和儲能特性，通過為高頻噪聲提供低阻抗通路實現(xiàn)信號分流與電源穩(wěn)定。
電容描述的是器件儲存電荷的能力。電容的定義是器件的電荷量與電勢之比，常用C表示。電容的量綱是L-2M-1T4I2，國際單位制下單位是F(法拉)。
因其輸出端在原邊繞組斷開電源時獲得能量故而得名。反激式變換器以其電路結構簡單，成本低廉而深受廣大開發(fā)工程師的喜愛。
控制EMI的方法有許多種，包括屏蔽、濾波、隔離、鐵氧體磁環(huán)、信號邊沿控制以及在PCB中增加電源和GND層等等。就電源而言，傳統(tǒng)方法是通過減慢開關邊沿或降低開關頻率。
在開關節(jié)點(SW)與地之間并聯(lián)RC緩沖器(C=1nF-10nF，R=1Ω-10Ω)，通過阻尼消耗振蕩能量。緩沖電阻功率需按P=0.5·C·V2·Fsw計算，確保長期可靠性。
IGBT是一個發(fā)熱源，其導通與關斷都需要損耗，損耗越大，發(fā)熱量自然就會越多。而IGBT的開通與關斷并不是瞬間完成的，有開通時間與關斷時間。
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