依據(jù)帶隙基準(zhǔn)原理,采用華潤(rùn)上華(CSMC)O.5μm互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝,設(shè)計(jì)了一種用于總線低電壓差分信號(hào)(Bus Low Voltage Differential Signal,簡(jiǎn)稱BLVDS)的總線收發(fā)器帶隙基準(zhǔn)電路。該電路有較低的溫度系數(shù)和較高的電源抑制比。Hspice仿真結(jié)果表明,在電源電壓yD0==3.3 V,溫度強(qiáng)25℃時(shí),輸出基準(zhǔn)電壓V~r=1.25 V。在溫度范圍為-45℃~+85℃時(shí),輸出電壓的溫度系數(shù)為20 pm/℃,電源電壓的抑制比6(PSRR)=一58.3 dB。
為實(shí)現(xiàn)目標(biāo)識(shí)別與跟蹤的應(yīng)用目的,在基于TMS320DM642的FIFO基礎(chǔ)上擴(kuò)展存儲(chǔ)空間,提出一種基于FPGA實(shí)現(xiàn)SDRAM控制器的方法。分析所用SDRAM的特點(diǎn)和工作原理,介紹FPGA中SDRAM控制器的組成和工作流程,給出應(yīng)用中讀SDRAM的時(shí)序圖。FPGA采用模塊化設(shè)計(jì),增強(qiáng)SDRAM控制器的通用性,更方便地滿足實(shí)際需求。
PADSTACK:就是一組PAD的總稱。Copper pad:在布線層(routing layer),注意不是內(nèi)層,任何孔都會(huì)帶有一個(gè)尺寸大于鉆孔的銅盤(copper pad).對(duì)內(nèi)布線層這個(gè)銅盤大概14 mils,外布線層更大.如果這里需要導(dǎo)線連接,那么這個(gè)
除了計(jì)數(shù)功能外,計(jì)數(shù)器產(chǎn)品還有一些附加功能,如異步復(fù)位、預(yù)置數(shù)(注意,有同步預(yù)置數(shù)和異步預(yù)置數(shù)兩種。前者受時(shí)鐘脈沖控制,后者不受時(shí)鐘脈沖控制)、保持(注意,有保持進(jìn)位和不保持進(jìn)位兩種)。雖然計(jì)數(shù)器產(chǎn)品
1.電容的結(jié)構(gòu)和特性給導(dǎo)體加電位,導(dǎo)體就帶上電荷。但對(duì)于相同的電位,導(dǎo)體容納電荷的數(shù)量卻因它本身結(jié)構(gòu)的不同而不同。導(dǎo)體能夠容納電荷的能力稱為電容。 通常,某導(dǎo)體容納的電荷Q(庫(kù)侖)與它的電位V(伏特,相對(duì)于
三極管是電流放大器件,有三個(gè)極,分別叫做集電極C,基極B,發(fā)射極E。分成NPN和PNP兩種。我們僅以NPN三極管的共發(fā)射極放大電路為例來(lái)說(shuō)明一下三極管放大電路的基本原理。下面的分析僅對(duì)于NPN型硅三極管。如上圖所示,
意法半導(dǎo)體(ST)推出三個(gè)高精度運(yùn)算放大器產(chǎn)品系列。以低功耗與便攜產(chǎn)品為目標(biāo)應(yīng)用,新產(chǎn)品具有出色的節(jié)能特色,包括低電源電流、高速性能、1.5V 操作電壓和器件關(guān)斷功能。以低功耗、高帶寬和高精度為特色,TSV6xx系
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ljcaaa2008
潛力變實(shí)力
飛奔的小野驢
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刁永青
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王洪陽(yáng)
浪里浪
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張百軍
程從騰
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復(fù)制忍者
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房脊上的老貓
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另一種看快樂(lè)
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Lay小呂