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  • 11月北京見(jiàn)！ICCAD Expo 2026重磅啟幕

    匯聚全球智慧，共赴中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)新未來(lái)

    半導(dǎo)體
    2026-04-11
    ICCAD

  • 反向轉(zhuǎn)換器FET關(guān)斷電壓緩沖技術(shù)解析

    在反向轉(zhuǎn)換器(尤以反激式拓?fù)錇榈湫?的工作過(guò)程中，功率MOSFET關(guān)斷瞬間產(chǎn)生的電壓尖峰，是制約電路可靠性、縮短器件壽命的核心瓶頸。這類(lèi)尖峰源于變壓器漏感與FET輸出電容的高頻諧振，疊加次級(jí)反射電壓后，往往會(huì)超出器件安全耐壓范圍，引發(fā)雪崩擊穿、電磁干擾加劇等問(wèn)題。因此，科學(xué)設(shè)計(jì)FET關(guān)斷電壓緩沖電路，實(shí)現(xiàn)尖峰抑制與能量合理處置，是反向轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

  • 熱敏電阻憑借體積小、成本低、靈敏度高的優(yōu)勢(shì)成為核心元件

    在電子設(shè)備溫控、過(guò)溫保護(hù)、溫度檢測(cè)等場(chǎng)景中，熱敏電阻憑借體積小、成本低、靈敏度高的優(yōu)勢(shì)成為核心元件。PTC(正溫度系數(shù))熱敏電阻與NTC(負(fù)溫度系數(shù))熱敏電阻作為兩大主流類(lèi)型，其響應(yīng)速度的差異直接影響設(shè)備的控制精度、反應(yīng)效率與安全性能。很多工程設(shè)計(jì)中，常會(huì)面臨“二者誰(shuí)的響應(yīng)速度更快”的疑問(wèn)。

  • Qt嵌入式開(kāi)發(fā)：在無(wú)GPU的MCU上實(shí)現(xiàn)流暢的觸摸屏UI

    在資源受限的嵌入式領(lǐng)域，許多MCU（如STM32H7、NXP i.MX RT系列）雖具備強(qiáng)大的CPU算力，卻缺乏獨(dú)立的GPU單元。在此類(lèi)“軟渲染”環(huán)境下運(yùn)行Qt，常面臨幀率低、操作延遲高的困境。然而，通過(guò)深度的架構(gòu)優(yōu)化與Qt特性配置，完全可以在無(wú)GPU加持下實(shí)現(xiàn)60fps的絲滑交互體驗(yàn)。

  • SoC硬件加速：FPGA原型驗(yàn)證在早期軟件開(kāi)發(fā)中的核心價(jià)值

    在復(fù)雜的SoC芯片設(shè)計(jì)流程中，硬件與軟件的“割裂”往往是導(dǎo)致項(xiàng)目延期的元兇。當(dāng)RTL代碼還在仿真階段時(shí)，軟件團(tuán)隊(duì)只能基于指令集模擬器（ISS）進(jìn)行開(kāi)發(fā)，不僅速度慢如蝸牛，且無(wú)法捕捉真實(shí)硬件的時(shí)序細(xì)節(jié)。此時(shí)，F(xiàn)PGA原型驗(yàn)證平臺(tái)便成為了連接虛擬設(shè)計(jì)與實(shí)體世界的“橋梁”，它允許開(kāi)發(fā)者在芯片流片前數(shù)月就在接近真實(shí)的硬件環(huán)境中運(yùn)行驅(qū)動(dòng)與固件。

  • 如何通過(guò)脈寬變化趨勢(shì)分析SPWM波形

    在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，正弦脈寬調(diào)制(SPWM)波形是逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等設(shè)備的核心控制信號(hào)，其波形質(zhì)量直接決定系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性、效率與噪聲水平。常規(guī)的示波器濾波觀察法雖能初步判斷基波畸變情況，但難以捕捉微觀缺陷。脈寬變化趨勢(shì)分析作為一種精準(zhǔn)高效的分析手段，通過(guò)挖掘脈沖寬度的分布規(guī)律，可直觀還原SPWM波形的本質(zhì)特征，精準(zhǔn)定位潛在故障，為系統(tǒng)調(diào)試與優(yōu)化提供量化依據(jù)。

  • 基于SiC器件的車(chē)載氫燃料電池DC/DC變換器設(shè)計(jì)

    氫燃料電池作為車(chē)載零排放動(dòng)力源，具有高效、環(huán)保、續(xù)航里程長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，但其輸出電壓范圍寬、動(dòng)態(tài)響應(yīng)慢的特性，需通過(guò)DC/DC變換器實(shí)現(xiàn)能量的高效轉(zhuǎn)換與穩(wěn)定傳輸。碳化硅(SiC)器件憑借耐高溫、低損耗、高頻化的突出優(yōu)勢(shì)，成為提升車(chē)載DC/DC變換器功率密度與轉(zhuǎn)換效率的核心解決方案。

  • 鋰電池?zé)o感升壓時(shí)負(fù)載運(yùn)行異常的原因解析

    在便攜式電子設(shè)備、小型儲(chǔ)能系統(tǒng)等場(chǎng)景中，鋰電池?zé)o感升壓技術(shù)因無(wú)電感、體積小、EMI干擾低的優(yōu)勢(shì)被廣泛應(yīng)用，其核心是通過(guò)電荷泵等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，將鋰電池2.7V~4.2V的輸出電壓提升至設(shè)備所需的5V、12V等規(guī)格。但實(shí)際應(yīng)用中，很多用戶(hù)會(huì)遇到“空載時(shí)輸出電壓正常，接入負(fù)載后就出現(xiàn)電壓跌落、負(fù)載啟停異常、發(fā)熱甚至停機(jī)”的問(wèn)題，嚴(yán)重影響設(shè)備穩(wěn)定性。

  • 驅(qū)動(dòng)器源極引腳MOSFET驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)關(guān)損耗改善措施

    在高頻功率轉(zhuǎn)換電路中，MOSFET憑借開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻小、驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)勢(shì)，成為核心開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)關(guān)損耗直接決定電路轉(zhuǎn)換效率、器件溫升及系統(tǒng)可靠性。驅(qū)動(dòng)器源極引腳作為MOSFET驅(qū)動(dòng)環(huán)路的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，其寄生參數(shù)、連接方式及驅(qū)動(dòng)策略的合理性，對(duì)開(kāi)關(guān)損耗產(chǎn)生顯著影響。

  • 感性與容性負(fù)載對(duì)電網(wǎng)的不良影響及危害

    在電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行中，負(fù)載作為電能消耗與轉(zhuǎn)換的終端，其特性直接決定電網(wǎng)的運(yùn)行效率與穩(wěn)定性。理想狀態(tài)下，電網(wǎng)負(fù)載應(yīng)呈現(xiàn)純電阻特性，此時(shí)電流與電壓同相位，電能可全部轉(zhuǎn)化為有用功，實(shí)現(xiàn)高效利用。但實(shí)際應(yīng)用中，工業(yè)生產(chǎn)中的電動(dòng)機(jī)、變壓器，民用領(lǐng)域的變頻空調(diào)、微波爐，以及電力補(bǔ)償設(shè)備中的電容器組等，大多屬于感性或容性負(fù)載。這些負(fù)載的廣泛存在，會(huì)打破電網(wǎng)的理想運(yùn)行狀態(tài)，引發(fā)一系列不良影響，不僅降低電能利用效率，還可能威脅電網(wǎng)安全，需引起足夠重視。

  • U-Boot移植詳解：NAND Flash啟動(dòng)與環(huán)境變量的備份恢復(fù)機(jī)制

    在嵌入式系統(tǒng)的“創(chuàng)世記”中，U-Boot扮演著喚醒系統(tǒng)的關(guān)鍵角色。當(dāng)存儲(chǔ)介質(zhì)選用NAND Flash時(shí)，由于其非易失性、大容量及低成本的特性，成為工業(yè)控制與消費(fèi)電子的主流選擇。然而，NAND不支持代碼直接運(yùn)行（XIP），且存在壞塊與位翻轉(zhuǎn)風(fēng)險(xiǎn)，這使得U-Boot的移植成為一場(chǎng)精密的“硬件協(xié)奏曲”。

  • DDR4/DDR5控制器調(diào)試：讀寫(xiě)分離與訓(xùn)練（Training）失敗的排查手冊(cè)

    在高速存儲(chǔ)系統(tǒng)的調(diào)試中，DDR控制器的初始化訓(xùn)練堪稱(chēng)“鬼門(mén)關(guān)”。當(dāng)系統(tǒng)啟動(dòng)卡在Log的“Training”階段，或是高頻運(yùn)行下突發(fā)藍(lán)屏，往往源于信號(hào)完整性與協(xié)議訓(xùn)練的博弈。掌握讀寫(xiě)分離的觀測(cè)技巧與系統(tǒng)化的故障排查流程，是打通這一“任督二脈”的關(guān)鍵。

  • Git在硬件開(kāi)發(fā)中的應(yīng)用：Verilog/VHDL文件的版本管理與Merge沖突解決

    在現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)流程中，硬件工程師往往面臨著比軟件開(kāi)發(fā)更復(fù)雜的協(xié)作挑戰(zhàn)。當(dāng)多個(gè)工程師同時(shí)修改同一個(gè)Verilog模塊的時(shí)序邏輯，或者對(duì)VHDL的狀態(tài)機(jī)編碼進(jìn)行調(diào)整時(shí)，代碼沖突不可避免。Git作為分布式版本控制系統(tǒng)，已成為硬件團(tuán)隊(duì)管理RTL代碼的bi備工具，但其在處理硬件描述語(yǔ)言（HDL）時(shí)需結(jié)合特定的策略與工具鏈。

  • SI/PI聯(lián)合仿真：DDR5內(nèi)存條設(shè)計(jì)中的串?dāng)_抑制與阻抗匹配實(shí)操

    在DDR5內(nèi)存子系統(tǒng)邁向4800MT/s乃至更高頻率的征途中，信號(hào)完整性（SI）與電源完整性（PI）不再是可有可無(wú)的點(diǎn)綴，而是決定設(shè)計(jì)成敗的“生死線”。當(dāng)信號(hào)周期縮短至0.208ns，任何微小的阻抗波動(dòng)或串?dāng)_都可能引發(fā)誤碼。因此，深度耦合的SI/PI聯(lián)合仿真，成為打破高速設(shè)計(jì)瓶頸的bi由之路。

  • RISC-V核定制：在FPGA上實(shí)例化Rocket Chip并添加自定義指令集

    在硬件設(shè)計(jì)的浪潮中，RISC-V架構(gòu)憑借其開(kāi)放性與模塊化，已成為創(chuàng)新的“黃金賽道”。而FPGA則為這種創(chuàng)新提供了無(wú)限可能的“試驗(yàn)田”。通過(guò)將Rocket Chip生成器與FPGA結(jié)合，開(kāi)發(fā)者不僅能快速構(gòu)建定制化SoC，更能通過(guò)自定義指令集（Custom Instructions）為特定算法注入硬件加速的靈魂。

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