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采用<strong>CMOS器件</strong>的數(shù)字式<strong>倍頻器</strong>.gif

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  1 引言  倍頻器是無線電技術(shù)高頻電路中重要的非線性電路,作為基本的電子器件,被廣泛應(yīng)用于發(fā)射機(jī)、頻率合成器、接收機(jī)本振源等各種電子設(shè)備中。亞毫米波倍頻器可以

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  21ic電子網(wǎng)訊:一種新型晶體管使更快、更低功耗的計算器件成為可能,可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動式計算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場效應(yīng)晶體這種新型器件采用量子機(jī)制,電子遂穿超薄

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[據(jù)美國固態(tài)技術(shù)網(wǎng)站2013年12月18日報道]一種新型晶體管使更快、更低功耗的計算器件成為可能,可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動式計算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場效應(yīng)晶體這種新型器件采用量

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[據(jù)美國固態(tài)技術(shù)網(wǎng)站2013年12月18日報道]一種新型晶體管使更快、更低功耗的計算器件成為可能,可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動式計算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場效應(yīng)晶體這種新型器件采用量

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英特爾在“IEDM 2012”上展望了使CMOS晶體管的微細(xì)化持續(xù)至極限水平所需要的要素技術(shù)、相關(guān)課題以及后CMOS器件技術(shù)(論文編號:8.1)。要想使CMOS晶體管的微細(xì)化能夠持續(xù)發(fā)展至極限水平,抑制短溝效應(yīng)、導(dǎo)入高遷...

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該電路可用在兩個非??拷囊粽{(diào)的選擇性調(diào)諧中。選擇性頻率是由集電極和Q1的基極之間的反饋電路中的電容和電阻的值決定的。當(dāng)值是如圖所示的值時,頻率可以圍繞650Hz調(diào)諧100多次。

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基礎(chǔ)實用電路

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