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1 引言 倍頻器是無線電技術(shù)高頻電路中重要的非線性電路,作為基本的電子器件,被廣泛應(yīng)用于發(fā)射機(jī)、頻率合成器、接收機(jī)本振源等各種電子設(shè)備中。亞毫米波倍頻器可以
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倍頻器
無源
HZ
二極管
21ic電子網(wǎng)訊:一種新型晶體管使更快、更低功耗的計算器件成為可能,可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動式計算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場效應(yīng)晶體這種新型器件采用量子機(jī)制,電子遂穿超薄
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晶體管
低功耗
CMOS器件
電池
[據(jù)美國固態(tài)技術(shù)網(wǎng)站2013年12月18日報道]一種新型晶體管使更快、更低功耗的計算器件成為可能,可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動式計算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場效應(yīng)晶體這種新型器件采用量
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低功耗
CMOS器件
電池
[據(jù)美國固態(tài)技術(shù)網(wǎng)站2013年12月18日報道]一種新型晶體管使更快、更低功耗的計算器件成為可能,可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動式計算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場效應(yīng)晶體這種新型器件采用量
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低功耗
晶體管
CMOS器件
電池
英特爾在“IEDM 2012”上展望了使CMOS晶體管的微細(xì)化持續(xù)至極限水平所需要的要素技術(shù)、相關(guān)課題以及后CMOS器件技術(shù)(論文編號:8.1)。要想使CMOS晶體管的微細(xì)化能夠持續(xù)發(fā)展至極限水平,抑制短溝效應(yīng)、導(dǎo)入高遷...
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CMOS
英特爾
CMOS器件
BORDER
該電路可用在兩個非??拷囊粽{(diào)的選擇性調(diào)諧中。選擇性頻率是由集電極和Q1的基極之間的反饋電路中的電容和電阻的值決定的。當(dāng)值是如圖所示的值時,頻率可以圍繞650Hz調(diào)諧100多次。
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倍頻器
電路圖
音頻
WIDTH
我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法,這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點,新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間,使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終,通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-...
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MOSFET
高功率
CMOS器件
BSP
摘要:利用GaAsFET的非線性特性設(shè)計了一個X波段二倍頻器,輸入頻率為6.1~6.3 GHz,輸出頻率為12.2~12.6 GHz,帶寬400 MHz。在理論計算的基礎(chǔ)上,結(jié)合微波仿真軟件ADS對輸入匹配電路、輸出匹配...
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仿真
倍頻器
ADS
波段