在日常的電氣柜裝配過(guò)程中，常常會(huì)面臨費(fèi)時(shí)費(fèi)力的巨大煩惱。根據(jù)德國(guó)“裝配機(jī)柜4.0”研究結(jié)果，傳統(tǒng)裝配機(jī)柜過(guò)程最耗時(shí)的是規(guī)劃和安裝階段。而其中，項(xiàng)目規(guī)劃和電路圖構(gòu)建占據(jù)了50%以上的規(guī)劃時(shí)間;機(jī)械裝配和線束加工，更是占據(jù)了...

由于具有更好的品質(zhì)因數(shù)，氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面積更小，因此需要更小尺寸的封裝。假設(shè)器件占用的面積是決定熱性能的主要因素，那么可以合理地假設(shè)較小的功率器件會(huì)導(dǎo)致較高的熱阻。3,4本文將展示...

柵極控制塊或電平轉(zhuǎn)換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開(kāi)或關(guān)閉。門(mén)控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。 在導(dǎo)通期間，柵極控制的主要任務(wù)是對(duì) EN 進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，以產(chǎn)生高(N 溝道)或低(P 溝道)...

高端負(fù)載開(kāi)關(guān)及其操作仍然是許多工程師和設(shè)計(jì)師的熱門(mén)選擇，適用于電池供電的便攜式設(shè)備，例如功能豐富的手機(jī)、移動(dòng)GPS設(shè)備和消費(fèi)娛樂(lè)小工具。本文采用一種易于理解且非數(shù)學(xué)的方法來(lái)解釋基于 MOSFET 的高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)的各個(gè)方面...

我們研究了如何在最終應(yīng)用未知時(shí)為 FET 建議適當(dāng)?shù)慕徊鎱⒖?。在本博客和本系列即將發(fā)布的文章中，我們將開(kāi)始研究針對(duì)特定最終應(yīng)用需要考慮哪些具體考慮因素，從最終應(yīng)用中用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的 FET 開(kāi)始。 電機(jī)控制是 30V...

關(guān)于 FET 數(shù)據(jù)表的問(wèn)題，尤其是熱信息表中的那些參數(shù)，大家不一定知道有什么作用。這就是為什么今天，我想解決數(shù)據(jù)表中結(jié)到環(huán)境熱阻抗和結(jié)到外殼熱阻抗的參數(shù)，這似乎是造成很多混亂的原因。 首先，讓我們準(zhǔn)確定義這些參數(shù)的...

今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)ADI智能功率級(jí)產(chǎn)品LTC7050的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。

上海2022年4月14日 /美通社/ -- 世芯電子完整體現(xiàn)了其在先進(jìn)FinFET（先進(jìn)鰭式場(chǎng)效電晶體）的技術(shù)組合并且成功完成在臺(tái)積電7/6/5納米的流片。除了先進(jìn)FinFET的技術(shù)組合，世芯的ASIC整體設(shè)計(jì)解決方案更...

（全球TMT2022年4月14日訊）世芯電子完整體現(xiàn)了其在先進(jìn)FinFET（先進(jìn)鰭式場(chǎng)效電晶體）的技術(shù)組合并且成功完成在臺(tái)積電7/6/5納米的流片。除了先進(jìn)FinFET的技術(shù)組合，世芯的ASIC整體設(shè)計(jì)解決方案更是涵蓋...

（全球TMT2022年3月9日訊）面向當(dāng)今片上系統(tǒng)（SoC）行業(yè)的Total IPTM解決方案提供商Arasan Chip Systems宣布，立即為GlobalFoundries 12nm FinFET制造節(jié)點(diǎn)提供其...