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高靈敏度報(bào)警器

時(shí)間：2008-08-22 20:39:40

關(guān)鍵字：報(bào)警器 IC 開(kāi)關(guān) 比較器

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[導(dǎo)讀]如圖為高靈敏度報(bào)警器電路的簡(jiǎn)化框圖，其中光敏電阻LDR與3個(gè)普通電阻相連接。這樣，當(dāng)光線從全暗到全亮之間變化時(shí)，圖中X點(diǎn)的電位變化范圍約為電源電壓的1／4到3／4。此電位同時(shí)加在兩個(gè)雙觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的輸入端。一個(gè)自激

如圖為高靈敏度報(bào)警器電路的簡(jiǎn)化框圖，其中光敏電阻LDR與3個(gè)普通電阻相連接。這樣，當(dāng)光線從全暗到全亮之間變化時(shí)，圖中X點(diǎn)的電位變化范圍約為電源電壓的1／4到3／4。此電位同時(shí)加在兩個(gè)雙觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的輸入端。一個(gè)自激振蕩器和一個(gè)反相器的組合電路控制這兩個(gè)開(kāi)關(guān)交替轉(zhuǎn)換，轉(zhuǎn)換頻率通常為幾赫，以使兩個(gè)電容交替充電。由于雙觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)在“關(guān)”狀態(tài)時(shí)其電阻很大，而由運(yùn)放構(gòu)成的比較器其輸入阻抗亦極高。而電容上的電荷存儲(chǔ)在雙接點(diǎn)開(kāi)關(guān)和比較器之間的電容器極板上。因此開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)接時(shí)，放電很少。這樣就構(gòu)成了一種取樣保持電路。當(dāng)電容上的電荷(電位)使比較器反相輸入端(-)電位升高到大于同相輸入端(+)的電位時(shí)，或者同相輸入端電位低于反相輸入端電位時(shí)，比較器的輸出變“低”，利用該低電平去觸發(fā)后接的單穩(wěn)定時(shí)器和繼電器工作。

該報(bào)警器傳感電路如下圖所示。在該電路中，CMOS集成定時(shí)器7556的一半(IC1a)接成自激振蕩器，IC2c構(gòu)成等效的反相器，該振蕩器在IC2c的功能下，完成可交替轉(zhuǎn)接。雙節(jié)點(diǎn)開(kāi)關(guān)IC2a和IC2b。由于IC2的控制腳輸人阻抗很高，對(duì)IC1a來(lái)說(shuō)負(fù)載很輕，由R3至 R6，還包括光敏電阻LDR構(gòu)成的分壓網(wǎng)絡(luò)，使X點(diǎn)具有所需的電位，以便通過(guò)雙節(jié)點(diǎn)開(kāi)關(guān)為C4和C5充電。R3、R4和R6的阻值選擇原則是：不論用什么光電傳感器，均應(yīng)保證X點(diǎn)的電位處于電源電壓的24%78%。也就是說(shuō)，可以用多種傳感器(如光敏三極管、光敏二極管、紅外器件和紫外光器件)來(lái)代替光敏電阻，電路仍能正常工作。

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