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  • 信號(hào)波形下降沿出現(xiàn)上沖的原因解析

    在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)與信號(hào)傳輸過(guò)程中，工程師們常常會(huì)遇到信號(hào)波形不理想的情況。其中，信號(hào)波形下降沿出現(xiàn)上沖現(xiàn)象是較為常見的問題之一。這種異常不僅會(huì)干擾信號(hào)的正常傳輸，影響系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性，甚至可能導(dǎo)致系統(tǒng)出現(xiàn)誤判等嚴(yán)重后果。因此，深入探究信號(hào)波形下降沿上沖產(chǎn)生的原因，對(duì)于解決信號(hào)完整性問題、提升電子系統(tǒng)的可靠性至關(guān)重要。

  • 在哪些情況下需要考慮過(guò)孔對(duì)信號(hào)完整性的影響

    在印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)中，過(guò)孔作為連接不同層線路的重要元件，其對(duì)信號(hào)完整性的影響不容忽視。隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電路的工作頻率不斷提高，信號(hào)上升沿時(shí)間越來(lái)越短，這使得過(guò)孔對(duì)信號(hào)的影響愈發(fā)顯著。在許多情況下，我們必須仔細(xì)考慮過(guò)孔對(duì)信號(hào)完整性的影響，以確保電路的正常運(yùn)行。

  • 基于變壓器的隔離放大器成為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)的理想選擇

    在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(HEV)的發(fā)展進(jìn)程中，眾多電子功能對(duì)于實(shí)現(xiàn)車輛的高性能和高能效起著不可或缺的作用。其中，精確的電壓檢測(cè)功能對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳功率控制尤為關(guān)鍵。無(wú)論是 EV 還是 HEV，其關(guān)鍵部件，如逆變器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器等，都對(duì)電壓檢測(cè)電路提出了極為嚴(yán)苛的要求。這些電路不僅要具備高帶寬、小誤差、小漂移以及高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)，還需符合 AEC - Q100 等汽車標(biāo)準(zhǔn)。在此背景下，基于變壓器的隔離放大器憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，成為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)的理想選擇。

  • 防雷浪涌保護(hù)器的作用與復(fù)合型 SPD 的區(qū)別

    在現(xiàn)代工業(yè)、電力、通信及建筑設(shè)施中，雷電及電涌干擾已成為影響系統(tǒng)安全與設(shè)備壽命的關(guān)鍵隱患。為了有效應(yīng)對(duì)這些瞬態(tài)高能沖擊，防雷浪涌保護(hù)器(Surge Protective Device，簡(jiǎn)稱 SPD)成為電氣系統(tǒng)中不可或缺的保護(hù)裝置。尤其在 “數(shù)字化 + 智能化” 趨勢(shì)下，SPD 的技術(shù)進(jìn)化和復(fù)合型浪涌保護(hù)器的廣泛應(yīng)用，已成為行業(yè)安全建設(shè)的重要方向。

  • 24 位 RGB TTL 信號(hào)布線要求詳解

    在電子電路設(shè)計(jì)中，24 位 RGB TTL 信號(hào)的布線是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其布線質(zhì)量直接影響到系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。特別是在涉及顯示設(shè)備等對(duì)信號(hào)完整性要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景中，遵循正確的布線要求至關(guān)重要。下面將從多個(gè)方面詳細(xì)闡述 24 位 RGB TTL 信號(hào)布線的要求。

  • 鋰電池充電 IC 進(jìn)入 fault 模式的成因剖析

    鋰電池以其高能量密度、長(zhǎng)循環(huán)壽命和無(wú)記憶效應(yīng)等優(yōu)勢(shì)，在便攜式電子設(shè)備、電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。為確保鋰電池安全、高效充電，充電 IC 發(fā)揮著關(guān)鍵作用。當(dāng)鋰電池充電 IC 進(jìn)入 fault 模式，意味著充電過(guò)程出現(xiàn)異常，需及時(shí)排查。本文將深入探討導(dǎo)致鋰電池充電 IC 進(jìn)入 fault 模式的因素。

  • 模擬從驅(qū)動(dòng)到連接器的信號(hào)完整性中接收端的設(shè)置

    在現(xiàn)代高速電子系統(tǒng)中，信號(hào)完整性(Signal Integrity, SI)已成為確保系統(tǒng)可靠運(yùn)行的關(guān)鍵因素。信號(hào)完整性是指信號(hào)在傳輸路徑上保持其原始特性的能力，當(dāng)信號(hào)從驅(qū)動(dòng)端出發(fā)，經(jīng)過(guò)傳輸線到達(dá)連接器，最終被接收端接收的過(guò)程中，信號(hào)質(zhì)量可能會(huì)受到多種因素的影響，如反射、串?dāng)_、延遲等，從而導(dǎo)致信號(hào)失真，影響系統(tǒng)性能。設(shè)置合適的接收端，成為優(yōu)化這一信號(hào)傳輸過(guò)程、保障信號(hào)質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

  • 去耦電容、bypass 電容和濾波電容的原理與區(qū)別

    在電子電路的世界里，電容是不可或缺的重要元件。去耦電容、bypass 電容(旁路電容)和濾波電容，雖然都屬于電容家族，但它們的原理和功能卻各有千秋，在電路中扮演著不同的關(guān)鍵角色。深入了解它們的特性，對(duì)于設(shè)計(jì)和優(yōu)化電子電路具有重要意義。

  • 電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)之浪涌(沖擊)抗擾度

    在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，電子設(shè)備和系統(tǒng)無(wú)處不在，從日常生活中的智能手機(jī)、電腦，到工業(yè)生產(chǎn)中的自動(dòng)化設(shè)備、電力系統(tǒng)，它們的正常運(yùn)行對(duì)于我們的生活和工作至關(guān)重要。然而，這些設(shè)備和系統(tǒng)所處的電磁環(huán)境卻日益復(fù)雜，各種電磁干擾可能會(huì)對(duì)其性能產(chǎn)生影響，甚至導(dǎo)致故障。電磁兼容性(EMC)作為確保設(shè)備在其電磁環(huán)境中不受干擾正常工作的關(guān)鍵因素，愈發(fā)受到人們的關(guān)注。浪涌抗擾度作為電磁兼容性測(cè)試中的一項(xiàng)重要內(nèi)容，對(duì)于評(píng)估設(shè)備在突然電壓波動(dòng)條件下的穩(wěn)定性和可靠性起著不可或缺的作用。

  • 運(yùn)算放大器失調(diào)電壓誤差的影響與應(yīng)對(duì)策略

    制造過(guò)程中的工藝差異，是導(dǎo)致運(yùn)放失調(diào)電壓的關(guān)鍵因素之一。在運(yùn)放內(nèi)部，晶體管、二極管等元件的制造無(wú)法做到絕對(duì)精確匹配。以輸入級(jí)的差分對(duì)管為例，由于光刻、摻雜等工藝步驟存在微小偏差，使得兩個(gè)晶體管的閾值電壓、跨導(dǎo)等參數(shù)難以完全一致。這種不一致會(huì)導(dǎo)致在相同輸入信號(hào)下，差分對(duì)管的輸出電流產(chǎn)生差異，從而在運(yùn)放輸入端形成失調(diào)電壓。據(jù)統(tǒng)計(jì)，在一些普通工藝制造的運(yùn)放中，因工藝差異導(dǎo)致的失調(diào)電壓可數(shù)毫伏甚至更高。

  • 通孔焊接相對(duì)于標(biāo)貼焊接而言對(duì)虛焊問題解決優(yōu)勢(shì)在哪里啊

    在電子焊接領(lǐng)域，虛焊是一個(gè)常見且棘手的問題，它猶如潛藏在電子設(shè)備中的定時(shí)炸彈，隨時(shí)可能引發(fā)設(shè)備故障，影響其性能與可靠性。通孔焊接和標(biāo)貼焊接作為兩種主流的焊接方式，在應(yīng)對(duì)虛焊問題上各有特點(diǎn)，而通孔焊接憑借其獨(dú)特的工藝特性，在解決虛焊問題方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。

  • AI 服務(wù)器對(duì)電感器的需求分析及選型建議

    在人工智能技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，AI 服務(wù)器作為承載核心運(yùn)算的關(guān)鍵設(shè)備，其性能表現(xiàn)至關(guān)重要。而電感器，作為 AI 服務(wù)器電源管理和信號(hào)處理的重要元件之一，對(duì)服務(wù)器的高效穩(wěn)定運(yùn)行起著不可忽視的作用。深入剖析 AI 服務(wù)器對(duì)電感器的需求，并合理選型，成為提升 AI 服務(wù)器性能與可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

  • DDR2/DDR3 設(shè)計(jì)中阻抗控制的必要性

    在當(dāng)今高速發(fā)展的電子信息時(shí)代，DDR2 和 DDR3 作為廣泛應(yīng)用的內(nèi)存技術(shù)，其性能優(yōu)劣直接影響著電子設(shè)備的整體表現(xiàn)。而在 DDR2/DDR3 的設(shè)計(jì)過(guò)程中，阻抗控制已成為一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和高速數(shù)據(jù)傳輸能力起著決定性作用。

  • 過(guò)孔尺寸：小并非總是美，工藝極限需兼顧

    過(guò)孔由鉆孔(drill hole)以及外圍焊盤共同構(gòu)成，其尺寸的選擇需嚴(yán)格遵循以下原則：內(nèi)徑與外徑規(guī)范：全通過(guò)孔的內(nèi)徑應(yīng)大于等于 0.2mm(8mil)，外徑則應(yīng)大于等于 0.4mm(16mil);在極限情況下，外徑可縮小至 0.35mm(14mil)。

  • 如何做I/O Pin的靜電放電測(cè)試

    靜電放電即ESD(Electro-Staticdischarge)，是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。

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