半導(dǎo)體封裝基板（Substrate）銅面粗糙度控制：電鍍添加劑與脈沖反鍍優(yōu)化

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，封裝基板作為芯片與外部電路連接的關(guān)鍵橋梁，其性能和質(zhì)量直接影響著整個(gè)半導(dǎo)體器件的可靠性和性能。銅面粗糙度是封裝基板的重要質(zhì)量指標(biāo)之一，過(guò)高的銅面粗糙度會(huì)導(dǎo)致信號(hào)傳輸損耗增加、阻抗不匹配、可靠性降低等問(wèn)題。因此，有效控制半導(dǎo)體封裝基板銅面粗糙度至關(guān)重要。電鍍添加劑和脈沖反鍍技術(shù)作為控制銅面粗糙度的關(guān)鍵手段，近年來(lái)受到了廣泛關(guān)注。

太赫茲波導(dǎo)過(guò)渡結(jié)構(gòu)：D波段微帶線(xiàn) - 波導(dǎo)轉(zhuǎn)換的S11＜ - 20dB實(shí)現(xiàn) 引言

太赫茲（THz）波位于微波與紅外光之間，具有獨(dú)特的頻譜特性，在高速通信、高分辨率成像、無(wú)損檢測(cè)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。在太赫茲系統(tǒng)中，波導(dǎo)作為重要的傳輸元件，需要與微帶線(xiàn)等平面電路進(jìn)行高效連接。D波段（110 - 170GHz）作為太赫茲頻段的重要子頻段，其微帶線(xiàn) - 波導(dǎo)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。S11參數(shù)（反射系數(shù)）是衡量轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一，S11＜ - 20dB意味著大部分能量被有效傳輸，反射能量極小，這對(duì)于保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能至關(guān)重要。

毫米波AiP天線(xiàn)集成：LTCC轉(zhuǎn)接板與有機(jī)基板的多物理場(chǎng)耦合設(shè)計(jì)

隨著5G及未來(lái)6G通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，毫米波頻段因其豐富的頻譜資源成為實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)年P(guān)鍵。天線(xiàn)集成封裝（AiP，Antenna in Package）技術(shù)將天線(xiàn)與射頻前端集成于一體，有效減小了系統(tǒng)體積，提高了集成度。在毫米波AiP天線(xiàn)集成中，低溫共燒陶瓷（LTCC）轉(zhuǎn)接板與有機(jī)基板的結(jié)合應(yīng)用日益廣泛。然而，由于毫米波頻段的高頻特性，電磁場(chǎng)、熱場(chǎng)、應(yīng)力場(chǎng)等多物理場(chǎng)之間的耦合效應(yīng)顯著，對(duì)天線(xiàn)性能和系統(tǒng)可靠性產(chǎn)生重要影響。因此，開(kāi)展LTCC轉(zhuǎn)接板與有機(jī)基板的多物理場(chǎng)耦合設(shè)計(jì)具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。

DDR6預(yù)布局信號(hào)完整性：ODT參數(shù)自適應(yīng)與三維封裝協(xié)同仿真方法

隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理需求的飛速增長(zhǎng)，DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）內(nèi)存技術(shù)不斷迭代升級(jí)。DDR6作為新一代高速內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，其數(shù)據(jù)傳輸速率大幅提升，這對(duì)信號(hào)完整性提出了更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。在DDR6預(yù)布局階段，確保信號(hào)完整性至關(guān)重要，其中ODT（On-Die Termination，片上終端電阻）參數(shù)自適應(yīng)與三維封裝協(xié)同仿真方法是解決信號(hào)完整性問(wèn)題的關(guān)鍵技術(shù)手段。

224G PAM6背板信道優(yōu)化：玻纖效應(yīng)補(bǔ)償與混合調(diào)制均衡技術(shù)

引言 隨著數(shù)據(jù)通信需求的爆炸式增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算等領(lǐng)域?qū)Ω咚俦嘲逍诺赖膫鬏斔俾侍岢隽烁咭蟆?24G PAM6（6級(jí)脈沖幅度調(diào)制）技術(shù)憑借其高帶寬利用率和相對(duì)較低的實(shí)現(xiàn)復(fù)雜度，成為下一代高速背板信道的關(guān)鍵技術(shù)之一。然而，在224G PAM6背板信道中，玻纖效應(yīng)和信道衰減等問(wèn)題嚴(yán)重影響了信號(hào)的傳輸質(zhì)量。為了實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的高速數(shù)據(jù)傳輸，必須對(duì)背板信道進(jìn)行優(yōu)化，玻纖效應(yīng)補(bǔ)償與混合調(diào)制均衡技術(shù)成為解決這些問(wèn)題的有效手段。

AI輔助布線(xiàn)引擎：強(qiáng)化學(xué)習(xí)在規(guī)避串?dāng)_瓶頸中的應(yīng)用

在高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中，布線(xiàn)是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。隨著芯片集成度的不斷提高和信號(hào)頻率的日益增加，串?dāng)_問(wèn)題逐漸成為制約電路性能的關(guān)鍵瓶頸。串?dāng)_會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真、誤碼率上升，嚴(yán)重影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。傳統(tǒng)的布線(xiàn)方法往往難以充分考慮串?dāng)_因素，而AI輔助布線(xiàn)引擎，尤其是強(qiáng)化學(xué)習(xí)技術(shù)的引入，為解決這一問(wèn)題提供了新的思路和方法。

汽車(chē)電子耐環(huán)境測(cè)試：溫度循環(huán) - 振動(dòng)聯(lián)合試驗(yàn)的焊點(diǎn)失效模型

汽車(chē)電子系統(tǒng)在車(chē)輛運(yùn)行過(guò)程中面臨著復(fù)雜多變的環(huán)境條件，如溫度的劇烈變化和持續(xù)的振動(dòng)。溫度循環(huán) - 振動(dòng)聯(lián)合試驗(yàn)是評(píng)估汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性的重要手段，而焊點(diǎn)作為電子元件與PCB（印制電路板）之間連接的關(guān)鍵部位，其失效是導(dǎo)致汽車(chē)電子產(chǎn)品故障的主要原因之一。建立準(zhǔn)確的焊點(diǎn)失效模型，有助于預(yù)測(cè)焊點(diǎn)在聯(lián)合試驗(yàn)環(huán)境下的壽命，為汽車(chē)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供理論依據(jù)。

剛撓結(jié)合板設(shè)計(jì)規(guī)范：彎曲半徑與導(dǎo)體走線(xiàn)應(yīng)力仿真指南

剛撓結(jié)合板（Rigid-Flex PCB）作為一種將剛性板和撓性板有機(jī)結(jié)合的特殊印制電路板，兼具了剛性板的穩(wěn)定性和撓性板的可彎曲性，在航空航天、醫(yī)療器械、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，剛撓結(jié)合板的設(shè)計(jì)相較于傳統(tǒng)剛性板更為復(fù)雜，尤其是彎曲半徑和導(dǎo)體走線(xiàn)應(yīng)力問(wèn)題，直接關(guān)系到產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。本文將深入探討剛撓結(jié)合板的設(shè)計(jì)規(guī)范，并介紹如何通過(guò)仿真手段對(duì)彎曲半徑和導(dǎo)體走線(xiàn)應(yīng)力進(jìn)行分析和優(yōu)化。

DFM規(guī)則引擎開(kāi)發(fā)：可制造性檢查與CAM數(shù)據(jù)智能修正

在電子制造行業(yè)，設(shè)計(jì)文件（Design File）到實(shí)際產(chǎn)品制造之間存在諸多環(huán)節(jié)，任何一個(gè)細(xì)微的疏忽都可能導(dǎo)致生產(chǎn)問(wèn)題，如產(chǎn)品良率下降、成本增加甚至交貨延遲?？芍圃煨栽O(shè)計(jì)（Design for Manufacturability，DFM）理念應(yīng)運(yùn)而生，旨在從設(shè)計(jì)階段就充分考慮制造的可行性和效率。DFM規(guī)則引擎作為DFM理念的核心工具，能夠?qū)τ?jì)算機(jī)輔助制造（Computer-Aided Manufacturing，CAM）數(shù)據(jù)進(jìn)行可制造性檢查，并實(shí)現(xiàn)智能修正，從而確保設(shè)計(jì)能夠順利轉(zhuǎn)化為高質(zhì)量的產(chǎn)品。

高頻混壓板層間對(duì)準(zhǔn)：X-Ray補(bǔ)償與膨脹系數(shù)匹配策略

在高頻電子電路領(lǐng)域，高頻混壓板因其能夠整合不同材料的特性，滿(mǎn)足復(fù)雜電路設(shè)計(jì)需求而得到廣泛應(yīng)用。然而，高頻混壓板在制造過(guò)程中面臨著層間對(duì)準(zhǔn)的難題。層間對(duì)準(zhǔn)精度直接影響著電路的性能和可靠性，若對(duì)準(zhǔn)偏差過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致信號(hào)傳輸延遲、串?dāng)_增加等問(wèn)題，進(jìn)而降低整個(gè)電子系統(tǒng)的性能。X-Ray補(bǔ)償與膨脹系數(shù)匹配策略是解決高頻混壓板層間對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題的關(guān)鍵技術(shù)，本文將深入探討這兩種策略的原理、實(shí)現(xiàn)方法以及相關(guān)代碼示例。

超低損耗基板材料評(píng)測(cè)：松下Megtron 8 vs 羅杰斯RO4835LoPro實(shí)測(cè)

在高速數(shù)字電路和微波射頻領(lǐng)域，基板材料的性能對(duì)信號(hào)傳輸質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用。超低損耗基板材料能夠顯著降低信號(hào)在傳輸過(guò)程中的衰減，提高信號(hào)的完整性和系統(tǒng)的可靠性。松下Megtron 8和羅杰斯RO4835LoPro是兩款備受關(guān)注的超低損耗基板材料，本文將通過(guò)實(shí)際測(cè)試對(duì)它們的性能進(jìn)行對(duì)比評(píng)測(cè)。

EMI輻射源定位：近場(chǎng)掃描與電磁拓?fù)浞聪蜃粉櫵惴ǖ娜诤咸剿?/a>

開(kāi)關(guān)電源中高頻變壓器的頻率決定機(jī)制：從理論基礎(chǔ)到工程實(shí)踐

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域，開(kāi)關(guān)電源的高頻化已成為提升功率密度和實(shí)現(xiàn)小型化的核心路徑，而高頻變壓器作為開(kāi)關(guān)電源的 "能量樞紐"，其工作頻率的選擇直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的性能邊界。當(dāng)我們探討高頻變壓器的頻率由何決定時(shí)，實(shí)則是在破解一個(gè)多變量耦合的復(fù)雜工程命題 —— 這既涉及磁芯材料的物理特性與電磁理論的基礎(chǔ)限制，也受制于功率器件的開(kāi)關(guān)速度與系統(tǒng)散熱的工程約束，更需在效率、體積和成本之間尋找精妙的平衡點(diǎn)。理解這一頻率決定機(jī)制，不僅是變壓器設(shè)計(jì)的核心要義，更是掌握開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的關(guān)鍵鑰匙。

紋波噪聲的來(lái)源剖析

BUCK 電路的紋波噪聲主要源于其工作原理中的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。當(dāng)電路中的開(kāi)關(guān)管(如 MOS 管)導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)，電感電流會(huì)發(fā)生變化，導(dǎo)致輸出電壓產(chǎn)生波動(dòng)，這便是輸出電壓紋波的主要成因。同時(shí)，電路中的寄生電感和電容，如 PCB 走線(xiàn)電感、MOS 管引線(xiàn)電感以及電感的寄生電容等，在開(kāi)關(guān)切換瞬間會(huì)形成 LC 振蕩，進(jìn)而產(chǎn)生高頻噪聲。例如，在 MOS 管關(guān)閉時(shí)，其 CDS 寄生電容與寄生電感相互作用，引發(fā)高頻振蕩，這些噪聲通過(guò)各種途徑耦合到輸出端，疊加在輸出電壓上，嚴(yán)重影響電源的穩(wěn)定性和純凈度。

淺析 LC 諧振電路和 LC 振蕩電路

在現(xiàn)代電子技術(shù)的廣闊領(lǐng)域中，LC 諧振電路和 LC 振蕩電路是極為關(guān)鍵的組成部分，它們廣泛應(yīng)用于通信、信號(hào)處理、電源等多個(gè)領(lǐng)域。盡管二者都包含電感(L)和電容(C)元件，但在工作原理、電路特性以及實(shí)際應(yīng)用方面存在顯著差異。深入理解它們的工作機(jī)制和特點(diǎn)，對(duì)于電子工程師設(shè)計(jì)和優(yōu)化電路系統(tǒng)，以及電子愛(ài)好者探索電子世界的奧秘都具有重要意義。