1 UPM的特點(diǎn)
1.1 接口信號(hào)及時(shí)序控制
MPC82XX的UPM接口信號(hào)線如表1所列。
其中,GPLx、CSx的時(shí)序用戶可以自定義,它們最小可調(diào)整時(shí)序間隔為1/4個(gè)總線時(shí)鐘周期。同時(shí)地址總線和數(shù)據(jù)總線的時(shí)序也可作一定程度的修改,以適應(yīng)各種不同的應(yīng)用場(chǎng)合。
MPC82XX具有3個(gè)UPM,GPLx信號(hào)為各UPM所共用,每一個(gè)UPM對(duì)應(yīng)一個(gè)由64個(gè)字(32位)組成的RAM陣列,RAM陣列中每個(gè)字對(duì)應(yīng)一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)總線上各信號(hào)的狀態(tài),同時(shí)可以通過(guò)設(shè)置LOOP位或者RE—D0位進(jìn)行時(shí)間上的擴(kuò)展,以適應(yīng)某些慢速設(shè)備。UPM每個(gè)狀態(tài)序列的結(jié)束由LAST位確定。由此可見,UPM控制的總線時(shí)序完全由它對(duì)應(yīng)的RAM陣列決定,RAM陣列由用戶在初始化UPM時(shí)寫入。
1.2 劃分基本操作
根據(jù)要掛接的芯片的基本操作,對(duì)UPM的RAM陣列進(jìn)行分割,即在適當(dāng)?shù)奈恢迷O(shè)置LAST位,以形成幾個(gè)基本微操作,如讀寫等。每次需要UPM進(jìn)行某項(xiàng)操作時(shí),先將該操作在RAM陣列中的起始地址寫入U(xiǎn)PM控制寄存器MxMR,接下來(lái)的操作對(duì)于用戶來(lái)說(shuō)相當(dāng)于是透明的,只需要進(jìn)行簡(jiǎn)單的賦值操作即可,總線時(shí)序?qū)⒂蒛PM來(lái)控制。
下文將以利用UPM掛接兩種常見的芯片為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
2 擴(kuò)展CAN總線驅(qū)動(dòng)器
在工業(yè)控制領(lǐng)域,CAN總線應(yīng)用相當(dāng)廣泛,SJAl000是最常見的CAN總線驅(qū)動(dòng)器,利于MPC827X的UPM模式可以很好的掛接總線復(fù)用的SJAl000芯片。
2.1 硬件連接
MPC82XX利用UPM掛接SJAl000的連接如圖l所示。
在該應(yīng)用實(shí)例中,SJAl000的讀寫信號(hào)和地址有效信號(hào)均由GPL提供,74LVC245用于完成5 V邏輯和3.3 V邏輯的轉(zhuǎn)換。[!--empirenews.page--]
2.2 設(shè)計(jì)要點(diǎn)
對(duì)SJAl000的操作可以分為讀數(shù)據(jù)和寫數(shù)據(jù)兩個(gè)基本操作,同時(shí)SJAl000是總線復(fù)用器件,待讀寫數(shù)據(jù)的地址必須先行給出,還需加上一個(gè)寫地址的操作,因此可以將微操作定義為三個(gè)。不論是數(shù)據(jù)還是地址,都由MPC82XX的數(shù)據(jù)總線給出,通過(guò)分別使能ALE、RD和WR信號(hào)以區(qū)分以上三類操作,ALE、RD和WR功能由UPM的GPL信號(hào)線來(lái)模擬實(shí)現(xiàn)。圖2分別給出了這三類操作的時(shí)序波形。
3 擴(kuò)展NAND Flash存儲(chǔ)器
閃存(Flash Memory)具有非易失性、高存儲(chǔ)密度、功耗低等優(yōu)點(diǎn),是嵌入式系統(tǒng)的首選存儲(chǔ)設(shè)備。NAND Flash更是具有容量大、價(jià)格低的優(yōu)點(diǎn),比較適合大容量存儲(chǔ)。MPC82XX沒(méi)有類似于SDRAM Machine的NAND Flash專用接口,一般采用CPLD作為接口。但是結(jié)合UPM的特性和NAND Flash操作時(shí)序的特點(diǎn)進(jìn)行分析,采用UPM掛接NAND Flash是可行的。經(jīng)實(shí)踐檢驗(yàn),下文所述方案完全可以滿足應(yīng)用需求。
3.1 硬件連接
MPC82XX利用UPM掛接NAND Flash,如圖3所示。
該應(yīng)用中,NAND Flash的讀寫信號(hào)、地址有效信號(hào)、命令有效信號(hào)均由GPL提供,NAND Flash的Ready/Busyr信號(hào)則由MPC82XX的通用I/O引腳讀取。
3.2 設(shè)計(jì)要點(diǎn)
NAND Flash的操作具有以下特點(diǎn):其一,地址是通過(guò)I/0口串行寫入的,即一次寫入8位或者16位(視具體芯片IO總線寬度而定);其二,F(xiàn)lash在非空白區(qū)寫入時(shí)需先進(jìn)行擦除操作,擦除和寫入的速度相對(duì)于CPU的速度來(lái)說(shuō)是比較長(zhǎng)的,因此CPU需等待一個(gè)操作完成后才能進(jìn)行下一步操作;其三,對(duì)NAND Flash的讀寫操作之前必須先寫入相應(yīng)的命令字。以上這些特點(diǎn)決定NANDFlash的操作較為復(fù)雜,但是依然只需要?jiǎng)澐譃楹?jiǎn)單的4種操作即可:寫命令、寫地址、寫數(shù)據(jù)、讀數(shù)據(jù)。圖4為其中的寫命令和寫地址操作的總線時(shí)序。
值得注意的是,寫入了地址的最后一個(gè)字段后不能立即進(jìn)行數(shù)據(jù)操作,必須等待幾μs的時(shí)間,這個(gè)等待時(shí)間可以通過(guò)設(shè)置UPM的LOOP和REDO實(shí)現(xiàn)。經(jīng)測(cè)試,該方案讀數(shù)據(jù)的速度達(dá)到2 MB/s,寫數(shù)據(jù)的速度達(dá)到1.5MB/s,可以滿足應(yīng)用需求。
結(jié) 語(yǔ)
PowerPC UPM方式配置靈活,適應(yīng)力強(qiáng),能有效地減少應(yīng)用系統(tǒng)軟硬件的復(fù)雜程度,提高系統(tǒng)可靠性,降低設(shè)備的研發(fā)成本和制造成本,使得PowerPC更加適合用在空間、成本等方面有諸多限制而接口要求又豐富多樣的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)中。
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