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[導(dǎo)讀]IBM獲英飛凌130納米嵌入式閃存工藝使用許可

英飛凌科技股份公司近日宣布與IBM簽訂協(xié)議,拓寬公司成熟的大容量嵌入式閃存制造工藝的應(yīng)用范圍 。IBM將獲得英飛凌130納米嵌入式閃存工藝的使用許可,用于在北美地區(qū)制造全新的芯片。此外,英飛凌將利用IBM的晶圓代工服務(wù)生產(chǎn)基于該工藝的產(chǎn)品。

在2006年初,英飛凌的130納米嵌入式閃存工藝就已在英飛凌工廠中得到廣泛應(yīng)用,用于生產(chǎn)從汽車系統(tǒng)到低功率芯片卡設(shè)備等應(yīng)用所需的高級微控制器芯片。通過本協(xié)議,IBM還獲得了相關(guān)非易失性存儲器(NVM)知識產(chǎn)權(quán)的使用許可。130納米嵌入式閃存工藝的采用將提高IBM的晶圓代工能力,使其滿足在單芯片上集成定制邏輯和高密度閃存的應(yīng)用需求。

該工藝的整合與驗(yàn)證工作已開始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圓廠進(jìn)行,計(jì)劃在2008年下半年推出初步設(shè)計(jì)套件。
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