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英特爾高管：未來凌動(dòng)芯片能耗將低于ARM

時(shí)間：2010-08-23 21:00:50

關(guān)鍵字： ARM 英特爾芯片消費(fèi)電子產(chǎn)品

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[導(dǎo)讀]英特爾高管：未來凌動(dòng)芯片能耗將低于ARM

英特爾首席技術(shù)官賈斯汀當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二表示，該公司新一代凌動(dòng)芯片的能耗將與ARM架構(gòu)芯片相當(dāng)，未來產(chǎn)品的能耗將低于后者。

賈斯汀在接受采訪時(shí)說，Moorestown芯片待機(jī)狀態(tài)下能耗將與ARM架構(gòu)芯片相當(dāng)，Medfield芯片運(yùn)行狀態(tài)下能耗將于ARM架構(gòu)芯片相當(dāng)。

賈斯汀表示：“我預(yù)計(jì)此后我們芯片的能耗將低于ARM架構(gòu)芯片，因?yàn)槲覀冇懈镜男阅軆?yōu)勢。”

分析師之前曾表示，對(duì)于便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品和手機(jī)而言，英特爾平臺(tái)的能耗過高。電池續(xù)航時(shí)間是手機(jī)產(chǎn)業(yè)最重要的指標(biāo)之一。

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