新興終端用戶驅(qū)動(dòng)分立功率半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)
時(shí)間：2007-08-02 15:04:00
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金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)領(lǐng)域的革新，多少?gòu)浹a(bǔ)了這個(gè)成熟產(chǎn)品領(lǐng)域缺乏技術(shù)創(chuàng)新的現(xiàn)狀。這些革新有益于促使將分立功率半導(dǎo)體引入新應(yīng)用，并且探索新的終端用戶市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
根據(jù)Frost & Sullivan日前發(fā)布的全球分立功率半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)查，2005年該市場(chǎng)年收入為104.9億美元，預(yù)計(jì)2009年將發(fā)展到144.2億美元。Frost & Sullivan高級(jí)研究分析員Bonnie Varghese K表示，“汽車(chē)中電子產(chǎn)品逐漸增加，以及通信和電子玩具市場(chǎng)火爆都對(duì)分立功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售帶來(lái)積極影響。行業(yè)經(jīng)歷了一次完整的復(fù)蘇過(guò)程，并且預(yù)計(jì)未來(lái)幾年增長(zhǎng)還將持續(xù)?！?
消費(fèi)電子、通信技術(shù)和汽車(chē)市場(chǎng)銷(xiāo)售增長(zhǎng)推動(dòng)了分立功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，尤其在亞洲市場(chǎng)，這些應(yīng)用貢獻(xiàn)了分立功率器件年銷(xiāo)售收入的一半以上。
盡管終端用戶市場(chǎng)出現(xiàn)增長(zhǎng)，但半導(dǎo)體閘流管、整流器和雙極晶體管缺乏技術(shù)革新。由于沒(méi)有明顯的技術(shù)進(jìn)步，產(chǎn)品無(wú)差別化導(dǎo)致部分制造商已開(kāi)始放棄這些產(chǎn)品。另外，制造商為了增加銷(xiāo)售量壓低價(jià)格，經(jīng)常導(dǎo)致收入負(fù)增長(zhǎng)或者零利潤(rùn)。僅僅少量公司在整流器研發(fā)中進(jìn)行投資，并且這些公司也沒(méi)有承諾長(zhǎng)期投資開(kāi)發(fā)。
Varghese解釋，“通用整流器市場(chǎng)急劇下滑，但肖特基整流器很有可能實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。盡管有將整流器功能集成到其他功率半導(dǎo)體的趨勢(shì)，但一些終端用戶聲稱這樣會(huì)對(duì)分立器件的效率帶來(lái)消極影響?！?
由于在制造過(guò)程和效率方面不斷改進(jìn)，MOSFET和IGBT的性能已經(jīng)有了很大提高。通過(guò)減少漏源電阻(drain-source resistance)、提供低傳導(dǎo)損耗、更高功率級(jí)別、更快速轉(zhuǎn)換速度，更低轉(zhuǎn)換損耗和更小的封裝尺寸，應(yīng)用和設(shè)計(jì)人員不斷提高這些器件的性能表現(xiàn)。在低價(jià)格和附加功能幫助下，MOSFET和IGBT增加和保持了市場(chǎng)份額。
根據(jù)Frost & Sullivan日前發(fā)布的全球分立功率半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)查，2005年該市場(chǎng)年收入為104.9億美元，預(yù)計(jì)2009年將發(fā)展到144.2億美元。Frost & Sullivan高級(jí)研究分析員Bonnie Varghese K表示，“汽車(chē)中電子產(chǎn)品逐漸增加，以及通信和電子玩具市場(chǎng)火爆都對(duì)分立功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售帶來(lái)積極影響。行業(yè)經(jīng)歷了一次完整的復(fù)蘇過(guò)程，并且預(yù)計(jì)未來(lái)幾年增長(zhǎng)還將持續(xù)?！?
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盡管終端用戶市場(chǎng)出現(xiàn)增長(zhǎng)，但半導(dǎo)體閘流管、整流器和雙極晶體管缺乏技術(shù)革新。由于沒(méi)有明顯的技術(shù)進(jìn)步，產(chǎn)品無(wú)差別化導(dǎo)致部分制造商已開(kāi)始放棄這些產(chǎn)品。另外，制造商為了增加銷(xiāo)售量壓低價(jià)格，經(jīng)常導(dǎo)致收入負(fù)增長(zhǎng)或者零利潤(rùn)。僅僅少量公司在整流器研發(fā)中進(jìn)行投資，并且這些公司也沒(méi)有承諾長(zhǎng)期投資開(kāi)發(fā)。
Varghese解釋，“通用整流器市場(chǎng)急劇下滑，但肖特基整流器很有可能實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。盡管有將整流器功能集成到其他功率半導(dǎo)體的趨勢(shì)，但一些終端用戶聲稱這樣會(huì)對(duì)分立器件的效率帶來(lái)消極影響?！?
由于在制造過(guò)程和效率方面不斷改進(jìn)，MOSFET和IGBT的性能已經(jīng)有了很大提高。通過(guò)減少漏源電阻(drain-source resistance)、提供低傳導(dǎo)損耗、更高功率級(jí)別、更快速轉(zhuǎn)換速度，更低轉(zhuǎn)換損耗和更小的封裝尺寸，應(yīng)用和設(shè)計(jì)人員不斷提高這些器件的性能表現(xiàn)。在低價(jià)格和附加功能幫助下，MOSFET和IGBT增加和保持了市場(chǎng)份額。
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