日本爾必達(dá)公司近日宣布,已經(jīng)在其廣島晶圓廠(chǎng)開(kāi)始批量生產(chǎn)50nm工藝2Gb Mobile RAM存儲(chǔ)顆粒。
超低功耗的Mobile RAM內(nèi)存主要用在手機(jī)或掌上影音設(shè)備、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)終端中。爾必達(dá)的50nm 2Gb Mobile RAM于去年年底開(kāi)發(fā)完成,采用193nm浸潤(rùn)式光刻與銅互連技術(shù)制造。相比70nm產(chǎn)品,它的數(shù)據(jù)保持電流和工作電流都是前代的一半,在容量翻倍的情況下并未提高電源需求。
爾必達(dá)的2Gb Mobile RAM支持MCP多芯片封裝、PoP層疊封裝等封裝技術(shù),使用32bit DDR技術(shù),頻率為200MHz,傳輸傳輸率達(dá)到1.6GB/s。除JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1.8V電壓外,該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作。
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