日本黄色一级经典视频|伊人久久精品视频|亚洲黄色色周成人视频九九九|av免费网址黄色小短片|黄色Av无码亚洲成年人|亚洲1区2区3区无码|真人黄片免费观看|无码一级小说欧美日免费三级|日韩中文字幕91在线看|精品久久久无码中文字幕边打电话

當前位置:首頁 > 模擬 > 模擬
[導讀] 2009年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣從谷底爬出,各家DRAM廠盛行縮衣節(jié)食,日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半,全年支出僅約16億美元,但分析師預估,將海力士的自有廠房與意法半導體在大陸合資的無錫廠一并計算,

2009年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣從谷底爬出,各家DRAM廠盛行縮衣節(jié)食,日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半,全年支出僅約16億美元,但分析師預估,將海力士的自有廠房與意法半導體在大陸合資的無錫廠一并計算,2009年的總資本支出也頂多10億美元,較目前規(guī)劃的金額減少6億美元,充分反應對存儲器市場看法的保守;此外,臺系DRAM廠只有南亞科和華亞科下半年轉進50納米,2009年資本支出規(guī)劃超過新臺幣100億元,力晶資本支出不到50億美元,茂德更無資本支出可言。


DRAM業(yè)者表示,以2009年初的存儲器產(chǎn)業(yè)氣氛和價格來看,公司的資本支出預算非常難規(guī)畫,因為所有的新制程都停擺,除了三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)之外,大部分的DRAM廠都認清事實,無法在2009年導入50納米制程,而新12寸廠的興建計畫,以及既有廠房的擴充計畫也都喊停,當時只求活命而不想資本支出問題。


隨著存儲器產(chǎn)業(yè)景氣好轉,DRAM業(yè)者的資本支出規(guī)畫逐漸上路,但金額一直刪減,除了必須的花費之外,其它開銷一律喊卡,存儲器業(yè)者認為,下半年DRAM價格不會再破底,但要馬上反彈上來,機率也不高,因此所有新制程和產(chǎn)能都暫緩,視價格走向而調整。


日前傳出海力士大砍資本支出近一半,2009年資本支出約16億美元;然日前有分析師針對海力士自有廠房加計與意法合資成立的無錫廠估計,認為最后總資本支出不會超過10億美元,對照2008海力士2008年加計無錫廠,資本支出接近20億美元,2007年資本支出接近40億美元,反應存儲器產(chǎn)業(yè)景氣逐年艱鉅的情況。


美光(Micron)和爾必達(Elpida)而言,2009年資本支出也是大幅縮減,美光加計與英特爾合資的IM Flash廠房,2009年資本支出約6億~8億美元,而爾必達2009年的資本支出也約4億~5億美元水平,更是所有國際級的存儲器大廠中,最節(jié)省的一員。


在臺系DRAM業(yè)者方面,最大手筆繼續(xù)投資的成員,當屬臺塑集團旗下的南亞科技和華亞科,估計2009年分別的資本支出都各100億元以上,主要是用于2009年將現(xiàn)有的12寸廠產(chǎn)能從70納米溝槽式制程轉換至50納米堆疊式制程,因此花費相當驚人,日前臺塑集團也以實際行動金援南亞科和華亞科,繼續(xù)擴張DRAM版圖。


在力晶方面,2009年規(guī)劃的資本支出不到50億元,市場預估實際花費的金額,會遠低于此數(shù)字。力晶今年并無新產(chǎn)能開出,2008年底的制程技術也大多轉進至65納米技術,因此需要投資的部分不多,惟力晶近期獲得金士頓和力成的金援,計畫將回頭增產(chǎn)DRAM,將之前減產(chǎn)的部分,逐步補回來,但此部分的花費有限。


本站聲明: 本文章由作者或相關機構授權發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

(全球TMT2022年10月18日訊)10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證,可在驍龍(Snapdragon?)移動平臺上使用,該內(nèi)存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過...

關鍵字: DRAM GBPS 三星 LPDDR5

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購,導致供應商庫存壓力進一步升高。同時,各DRAM供應...

關鍵字: 消費性 DRAM 智能手機

- 在驍龍(Snapdragon)移動平臺上,三星以8.5Gbps的運行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗證,為LPDDR(移動端)內(nèi)存打開了新市場。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日,三...

關鍵字: DRAM GBPS 三星 LPDDR5

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日三星在一年一度的技術日研討會上公布了未來的3大規(guī)劃方向,其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。

關鍵字: 存儲 三星 NAND DRAM

據(jù)韓媒報道,在日前舉辦的行業(yè)活動上,IDC韓國副總裁Kim Su-gyeom預計,存儲半導體市場的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示,今年的市場需求較最初預期更為糟糕,預計來年三季度DRAM和NAN...

關鍵字: SSD DRAM IDC INSIGHT

Flash Memory 是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中,則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。

關鍵字: Flash 存儲器 嵌入式系統(tǒng)

與其他類型的半導體相比,存儲芯片的競爭廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲芯片更加商品化,對需求變化也就更加敏感。存儲芯片通常是第一個感受到需求變化并出現(xiàn)價格下跌的組件。

關鍵字: 存儲芯片 半導體 DRAM

為增進大家對存儲器的認識,本文將對單片機中的程序存儲器、數(shù)據(jù)存儲器以及二者的區(qū)別予以介紹。

關鍵字: 程序存儲器 指數(shù) 存儲器

為增進大家對存儲器的認識,本文將對PLC內(nèi)部常用存儲器的使用規(guī)則予以介紹。

關鍵字: 存儲器 指數(shù) PLC

為增進大家對存儲器的認識,本文將對隨機存儲器、只讀存儲器以及二者的區(qū)別予以探討。

關鍵字: 隨機存儲器 指數(shù) 存儲器

模擬

31144 篇文章

關注

發(fā)布文章

編輯精選

技術子站

關閉