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FormFactor將MEMS探針卡應(yīng)用于多值NAND閃存

時(shí)間：2009-11-04 18:30:00

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[導(dǎo)讀]style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;"> 美國(guó)FormFactor已將該公司300mm晶圓檢查用MEMS探針卡應(yīng)用于NAND型閃存。由于存在裝置成本和交貨期等問題，迄今一直

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美國(guó)FormFactor已將該公司300mm晶圓檢查用MEMS探針卡應(yīng)用于NAND型閃存。由于存在裝置成本和交貨期等問題，迄今一直難以應(yīng)用于閃存，而主要用于DRAM檢查。

此次，該公司新開發(fā)出了適用于32nm以后微細(xì)工藝多值產(chǎn)品的MEMS探針卡。NAND型閃存的數(shù)據(jù)識(shí)別采用電荷量，讀取電荷量作為單元晶體管閾值電壓的變化。隨著NAND型閃存微細(xì)化，電荷量減少，并且8～16值等多值產(chǎn)品中進(jìn)行區(qū)別的電荷量的空白減小。在檢查這種小空白（Margin）時(shí)，探測(cè)時(shí)的接觸電阻存在誤差，難以進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量。而使用該公司此次研制的MEMS探針時(shí)，接觸電阻誤差要比現(xiàn)有探針小?；诮饘賾冶哿旱腗EMS探針，其尖端接觸焊點(diǎn)時(shí)，會(huì)將布線上焊點(diǎn)（Al）上的絕緣膜（Al2O3）向水平方向拉動(dòng)。這樣便可在保持低接觸電阻的前提下進(jìn)行穩(wěn)定探測(cè)。為減小檢查時(shí)的空白，降低了作為不良處理的合格品的比例。

鑒于以上特性，MEMS探針可以說從原理上適用于微細(xì)多值閃存，但客戶對(duì)成本和交貨期的要求卻越來越嚴(yán)格。該公司此次開發(fā)的產(chǎn)品是設(shè)計(jì)與DRAM使用的MEMS探針卡大不相同的閃存專用品。降低了探針本身的成本，同時(shí)降低了客戶的投資成本，能夠支持引腳少的測(cè)試器。另外，為縮短交貨期，與該公司的客戶之間制定了探針芯片等的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。因此，在量產(chǎn)大容量產(chǎn)品和微細(xì)產(chǎn)品時(shí)，該公司便可重新利用上代使用的探針的設(shè)計(jì)資產(chǎn)。

該產(chǎn)品采用了根據(jù)溫度變化補(bǔ)償探針彎曲的結(jié)構(gòu)。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)在晶圓內(nèi)的任何位置都穩(wěn)定的接觸。此次推出的MEMS探針是該公司與一家存儲(chǔ)器廠商率先開發(fā)的，已應(yīng)用于量產(chǎn)線。

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